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1、LED芯片寿命试验(1)论文论文摘要：介绍了LED芯片寿命试验过程，提出了寿命试验条件，完善的试验方案，消除可能影响寿命试验结果准确性的因素，保证了寿命试验结果的客观性和准确性。采用科学的试验线路和连接方式，使寿命试验台不但操作简便、平安，而且试验容量大。1、引言作为电子元器件，发光二极管Light Emitting Diode-LED已出现40多年，但长久以来，受到发光效率和亮度的限制，仅为指示灯所采用，直到上世纪末打破了技术瓶颈，消费出高亮度高效率的LED和兰光LED，使其应用范围扩展到信号灯、城市夜景工程、全彩屏等，提供了作为照明光源的可能性。随着LED应用范围的加大，进步LED可靠性具
2、有更加重要的意义。LED具有高可靠性和长寿命的优点，在实际消费研发过程中，需要通过寿命试验对LED芯片的可靠性程度进展评价，并通过质量反响来进步LED芯片的可靠性程度，以保证LED芯片质量，为此我司在实现全色系LED产业化的同时，开发了LED芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等，以进步寿命试验的科学性和结果的准确性。2、寿命试验条件确实定电子产品在规定的工作及环境条件下，进展的工作试验称为寿命试验，又称耐久性试验。随着LED消费技术程度的进步，产品的寿命和可靠性大为改观，LED的理论寿命为10万小时，假设仍采用常规的正常额定应力下的寿命试验，很难对产品的寿命和可靠性做出较为客观的评价，而我们
3、试验的主要目的是，通过寿命试验掌握LED芯片光输出衰减状况，进而推断其寿命。我们根据LED器件的特点，经过比照试验和统计分析，最终规定了0.30.3mm2以下芯片的寿命试验条件： 样品随机抽取，数量为810粒芯片，制成5单灯； 工作电流为30mA； 环境条件为室温255； 试验周期为96小时、1000小时和5000小时三种；工作电流为30mA是额定值的1.5倍，是加大电应力的寿命试验，其结果虽然不能代表真实的寿命情况，但是有很大的参考价值；寿命试验以外延片消费批为母样，随机抽取其中一片外延片中的810粒芯片，封装成5单灯器件，进展为96小时寿命试验，其结果代表本消费批的所有外延片。一般认为，试
4、验周期为1000小时或以上的称为长期寿命试验。消费工艺稳定时，1000小时的寿命试验频次较低，5000小时的寿命试验频次可更低。3、过程与本卷须知对于LED芯片寿命试验样本，可以采用芯片，一般称为裸晶，也可以采用经过封装后的器件。采用裸晶形式，外界应力较小，容易散热，因此光衰小、寿命长，与实际应用情况差距较大，虽然可通过加大电流来调整，但不如直接采用单灯器件形式直观。采用单灯器件形式进展寿命试验，造成器件的光衰老化的因素复杂，可能有芯片的因素，也有封装的因素。在试验过程中，采取多种措施，降低封装的因素的影响，对可能影响寿命试验结果准确性的细节，逐一进展改善，保证了寿命试验结果的客观性和准确性。
5、3.1样品抽取方式寿命试验只能采用抽样试验的评估方法，具有一定的风险性。首先，产品质量具备一定程度的均匀性和稳定性是抽样评估的前提，只有认为产品质量是均匀的，抽样才具有代表性；其次，由于实际产品质量上存在一定的离散性，我们采取分区随机抽样的方法，以进步寿命试验结果准确性。我们通过查找相关资料和进展大量的比照试验，提出了较为科学的样品抽取方式：将芯片按其在外延片的位置分为四区，分区情况参见图一所示，每区23粒芯片，共810粒芯片，对于不同器件寿命试验结果相差悬殊，甚至矛盾的情况，我们规定了加严寿命试验的方法，即每区46粒芯片，共1620粒芯片，按正常条件进展寿命试验，只是数量加严，而不是试验条件加严；第三，一般地说，抽样数量越多，风险性越小，寿命试验结果的结果越准确，但是，抽样数量越多抽样数量过多，必然造成人力、物力和时间的浪费，试验本钱上升。如何处理风险和本钱的关系，一直是我们研究的内容，我们的目的是通过采取科学的抽样方法，在同一试验本钱下，使风险性下降到最低。3.2光电参数测试方法与器件配光曲线在LED寿命试验中，先对试验样品进展光电参数测试挑选，淘汰光电参数超规或异常的器件，合格者进展逐一编号并投入寿命试验，完成连续试验后进展复测，以获得寿命试验结果。为了使寿命试验结果本文档【LED芯片寿命试验(1)论文】更多文档欢迎访问wendang.chazidian