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1、半 导 体 激 光 器1P-I 特性及阈值电流 P-I特性揭示了LD输出光功率与注入电流之间的变化规律，因此是LD最重要的特性之一。典型的激光器P-I曲线 由P-I曲线可知，LD是阈值型器件，随注入电流的不同而经历了几个典型阶段。 当注入电流较小时，有源区里不能实现粒子数反转，自发辐射占主导地位，LD发射普通的荧光，光谱很宽，其工作状态类似于一般的发光二极管。 随着注入电流的加大，有源区里实现了粒子数反转，受激辐射开始占主导地位，但当注入电流仍小于阈值电流时，谐振腔里的增益还不足以克服损耗，不能在腔内建立起一定模式的振荡，LD发射的仅仅是较强的荧光，称为“超辐射”状态。 只有当注入电流达到阈值
2、以后，才能发射谱线尖锐、模式明确的激光，光谱突然变窄并出现单峰（或多峰）。 2激光器线宽 半导体的激光器的线宽是多少？有的用nm表示，有的用Hz表示，计算公式是什么？经常会提到激光器的线宽1nm)，波长的温度漂移也较大(0.5nm/)， 因此不适用于高速和/或远程应用。 DFB激光的光线则相对较窄(0.04nm)，波长对温度的漂移也较小(0.1nm/)，因此就比较适合高性能的通信应用。但DFB激光也有缺陷。首先，它工作在1500nm波段时很容易产生啁啾，因此通常需要外加调制器(在1300nm波段此局限并不重要)；其次，它没有FP或VCSEL激光那样容易产生，而且所需的阈值电流也比VCSEL激光
3、大。 VCSEL激光的优点是线宽较窄(0.35nm)且波长对温度漂移较小(0.06nm/)。另外，VCSEL激光的阈值电流也较小 (1mA)，在相同的输出功率下，它比DFB激光和FP激光的效率更高，而且不象DFB激光那样容易产生啁啾。因而，即使速度为10Gbps的数据也可以直接采用VCSEL激光调制。最后，比起其它激光，制造和调整准直VCSEL都比较容易，这样就能够生产低成本基于VCSEL的收发器。这些特性看起来足以使VCSEL成为高性能通信应用的理想解决方案。其中850nm的VCSEL已经获得大规模的应用，但是由于长波长（1310nm、1550nm）的VCSEL具有输出功率不足以及制造工艺复杂等缺点，一直未能获得大规模应用。 （注：可编辑下载，若有不当之处，请指正，谢谢!）