《功率驱动典型芯片.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《功率驱动典型芯片.docx（8页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、1. CD4052CD4052是双四选一的多路模拟选择开关。通过改变A/B管脚的高低电平而确信不同的输出信号管脚。INHIBIT为低电平使能端。封装为16-S0IC,其真值表如下INHIBITBA000Ox. Oy0011x. 1y0102x.2y0113x,3y1XXNone其管脚功能散布图如下:VDD2 1 X CHANNELS! J IN/OUTCOMMON ” OUT/1N0 1 X CHANNELS3 J IN/OUTABI?。31HE F4093B2. HEF4093BT由四组与非门-施密特触发器组成:每组与非门通太高低电平信号为开 关。以电压的滞后比较性质作为区分高低电平，输出为
2、低电平有效。封装为14SOIC, 其其管脚功能散布图如下：L 。1。2 L 1 & izrunirEnininEr3. 74HCT14为反相触发器相对应的高低电平输入对应相反的电平输出。封装为14-S0IC 其管脚分派与真值表如下（H/L代表高低电平）：cc A r A V A Y V d 6ss44 回回回一回回回FlCTUTOUTPUTnAnYLHHL4. 芯片是美信公司专门为电脑的标准串口设计的单电源电平转换芯片，利用+5v单电 源供电，MAX232 引脚 C1 与 Cl-、C2 与 C2-、C2-与 V+、V+与 VCC. V-与 GND 之间的四个电容不可缺少而且选用陶瓷介质电容。如
3、下图，数据从TUN、T2IN输 入转换成RS-232数据从T1OUT、T20UT送到电脑DB9插头：DB9插头的RS-232 数据从RUN、R2IN输入转换成TTL/CMOS数据后从R1OUT、R20UT输出。封装 为16-SOICc其管脚分派图如下图：m=R2INLL区叵叵rrAMXIA4MAXZ02EMAKZ32ET r T flDouINouININOL vcGbNR1RlwT2同 向I2E13回EE可5. LMV324为通用,低电压,Rail-to-Rail输出放大器，其封装为14-S0IC,5. LM358有两个独立的、高增益、内部频率补偿的，适合于电源电压范围很宽的单电源利 用，也
4、适用于双电源工作模式，在推荐的工作条件下，电源电流与电源电压无关。它的 利用范围包括传感放大器、直流增益模块和其他所有可用单电源供电的利用运算放大器 的场合。其封装为8-OSIC。OUT1 18 VCCI7 OUT2Y.一 6 IN2 (-Y* - 5 ； IN2 (+)引出脚功能引出结 序号管脚功能引出讲 序号管脚功能I输出L5正向输入22反向输入I6反向输入23正向输入I7输出24地8电源6. 26LS32AC是一款RS422接口电路。具有驱动性能强、5V单电源供电、三态输出等 特点，适合于多机通信。它由四个互补的线驱动器组成，其输出电流较大，能对称驱动 双绞线或并行传输线。通过一个公共的
5、使能端操纵四个驱动器的输出（高/低/高阻）。其 封装为SMD16。其逻辑功能图、管脚分派图见以下图：FUNCTION TABLE(each receiver)DIFEERE5nAL A - BENABLESOUTTTT YGGmd vrr-HXXLHvnwmEamHXXL?7MD VTT-HXXLLLXLH2HXXLHHH = high lavH： L = l(w lavel. ? = ifid式壬mi四3X = bTwlevant： Z = higt iixpxJax* gIB1A1Y G2Y2A2B GXD7. AMS1117是一款低压的线性稳压器，当输出1A电流时，输入输出的电压差典型值
6、为。 在最大输出电流时，AMS1117的压差保证最大不超过，并随负载电流的减小而慢 慢降低。ASU17提供完善的过流爱惜和过酷爱惜功能，确保芯片和电源系统的稳 固性。其封装为TO-252。AMS111 33Vin Vout 一GND8. IR2104s芯片是高压高速CMOS器件，单片驱动半个H桥，IR2104s的供电电压范 围是10-20V。其封装为8-OSIC。管脚分派及连接图如下图：1GBT开关进程中的过电压关断IGBT时,它的集电极电流的下降率较高.尤其是在短路故障的情况下.如不采取软关断措施它的临界电流下降率将 达到数kA，）is.极高的电流下降率将会在主电路的分布电感上感应出较高的过
7、电压,导致IGBT关断时将会使其电潦电压的 运行轨迹超出它的安全工作区而损坏,所以从美断的角度考虑希里主电路的电感和电流下降率越小越好,但对于IGBT的 开通来说.集电极电路的电感有利于抑制续流二极管的反向恢复电流和电容器充放电造成的峰值电流.能减小开通损耗.承 受较高的开通电流上升率,一般情况下1GBT开关电路的集电极不需要串联电感.其开通损耗可以通过改善施极驱动条件 来加以控制.IGBT的关断缓冲吸收电路为使IGBT关断过电压能得到有效的抑制并减小美断损耗,通常都需要给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路.IGBT 的关惭缓冲吸收电路分为充放电型和放电阻止型.充放电型有RC吸收和RCD吸收2种.如图6所示.RC型(b)RCD 型RC吸收电路因电容C的充电电流在电阻R上产生压降.还会造成过冲电压.RCD电路因用二极管旁路广电阻上的充电电流.从而克服了过冲电压.