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1、结型场效应管JFET 的结构和工作原理1. JFET的姑构和符号D漏极sAP沟道N沟道JFETJFET2.工作原理以N沟道JFET为例N沟道JFET工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压一K.sv 0,在DS间加一 个正电压lAs0.栅极一沟道间的PN结反偏，栅极电流0,栅极输入电阻很离爲达107W以上。N沟道中的多子电子由S向D运动，形成漏极电流 几。几的大小取决于氐的大小和 沟道电阻。改变 5 可改变沟道电阻，从而改变 /o o主要讨论沧对几的控制作用以及呱对的影响。 栅源电压堆s对的控制作用当 S0时,PN结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大， /。减小；沧更负时， 沟道 更窄，
2、/D更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹斷，/D20?这时所对应的栅源电 压1/gs称为夹 斷电压。 漏源电压1/DS对局的影响在栅源间加电压 0?那么因漏端耗尽层所受的反偏电压为一1/DS,比源端耗尽层所受的反偏电压 &大，如：仏s二一 2V,l/os =3V, vy那么漏端耗尽层受反偏电压为kd=-5V,源端耗尽层受反偏电压为-2V，使 靠近漏端的耗尽层比源端 宽，沟道比源端窄，故 应对沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。当血增加到使J4=K$-Ks=%时.耗尽层在漏端靠拢，称为预夹斷。当 s继续增加时，预夹斷点下移，夹断区向源极方向延伸 ？由于夹断处电阻很大，使1/於主要降 落在该区
3、，产生强电场力把未夹斷区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流仏预夹斷后/。根本不随增大而变化。花辛帚儿？hU + 十 心对沟道的控制作用当1/GSV0时，PN结反偏？耗尽层加厚？沟道变窄。 继续减小，沟道继续变窄。当沟道夹斷时，对应的栅源电压 沧称为夹断电压“或 沧offo对于N沟道的 JFET, %0. 必s对沟道的控制作用当vgs=o时.Vos色/D , G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窖，从上至下呈楔形分布。夹斷区延/D的值比沧=0时的当增加到使堆D 二%时，在紧靠漏极处出现预夹斷。此时 16s 长?沟道电阻？ /d根本不变。 沧和匾同时作用时当1/p V%s 0时，导电沟道更容易夹斷，对于同样的 16s , 值要小。在预夹斷处，仏。二沧一矗二K 或1/gs 一 ?综上分析可知I沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管I JFET柵极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此/g? 0,输入电阻很离。I JFET是电压控制电流器件，/ot心控制。I预夹断前几与i/Ds呈近似线性关系；预夬断后，趋于饱和。