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1、微电子学与固体电子学专业优秀论文 C轴取向ZnO薄膜的制备及SAW滤波器的研制关键词：ZnO薄膜 磁控溅射 SAW滤波器 光刻工艺 叉指电极结构摘要：本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参
2、数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO&
3、amp;lt;,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。正文内容 本论文应用射频磁控溅射方法制
4、备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加
5、-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波
6、器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的
7、声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为87
8、10<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面
9、波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备
10、声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详
11、细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好
12、的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明
13、：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使
14、用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了Zn
15、O薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6&g
16、t;A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，
17、中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO
18、 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理
19、想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方
20、法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平
21、整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究
22、，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C
23、轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<
24、,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对
25、所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射
26、气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.
27、5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提
28、出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。本论文应用射频磁控溅射方法制备了良好的C轴取向的ZnO薄膜，摸索了最佳的溅射工艺参数，并对所制备薄膜的结构、电学性能进行了测试分析。在制备优质C轴取向ZnO薄膜的基础上，摸索了ZnO薄膜的光刻工艺，制作了ZnO薄膜的声表面波(SAW)滤波器，并对其进行了测试分析。利用耦合模理论对滤波器叉指电极结构进行了设计。 研究了溅射参数(溅射气压，氧氩比，靶基距等) 对 ZnO 薄膜的结构及性能的影响，确定了制备声表面波滤波器用 ZnO 薄膜的最佳溅射工艺参数。研究表明：所制备的ZnO薄膜具有高的C轴择优取向，晶粒形状规则，大
29、小均匀，薄膜结构致密，无孔洞，表面平整，内应力小。薄膜的电学性能研究表明：薄膜介电常数小，介电损耗低，当施加-5V5V 的外场偏压时，漏电流在 10<'-10>10<,'-6>A 之间变化。薄膜体电阻率为8710<'6>cm，压电系数d<,33>为8.5pC/N，是制备声表面波滤波器的理想材料。 在器件的设计和制作方而，详细讨论了 IDT/ZnO/Pt/Ti/SiO<,2>/Si结构滤波器制备的工艺流程，并对
30、 ZnO 薄膜上的光刻工艺进行了研究，确定了最佳工艺参数，采用剥离技术使用剥离胶制作了声表而波(SAW)滤波器又指电极，金相显微镜观测结果表明：又指电极表面平整，边缘整齐，线条清晰良好，无连指断指等情况。使用矢量网络分析仪对所制备的 SAW 滤波器进行了测试，中心频率为 146.8MHz，声表面波传播速度为5872m/s。 应用耦合模理论，以横向耦合谐振滤波器为例分析了改进结构的声表面波滤波器的原理与结构，提出了三种改进滤波器的设计思想与设计方法，为进一步提高器件的性能打下了良好的基础。特别提醒：正文内容由PDF文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地
31、址为 。如还不能显示，可以联系我q q 1627550258 ，提供原格式文档。我们还可提供代笔服务，价格优惠，服务周到，包您通过。 垐垯櫃换烫梯葺铑?endstreamendobj2x滌甸?*U躆跦?l,墀VGi?o嫅#4K錶c&伣嘰呐q虻U節鉡c姥?BL偤7.X哖?驳疗g讍l/5蔍7sQIvs疖?SJ%JvI雓1傀7鑥伍妰遠Y魥 靤/W鐼E霯q聊湝ECu?knb?.:?澍羈7坋:;俐hEan2P6?!八帊/=櫕貵Wp?U脞姦%?qj?颬儼噃IV壂G邊?V忣鏕裚?靈模?慞擭昄X?;萕屄P,枍U霩R嚵蝆RC珵墂锬襵)焟滫?ob#噡滴覇羘幥d?讫E鼠U閥?甅Y_HT軷糣Q渿拜&应U躨?淊Nv祌|
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