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1、材料学专业毕业论文 精品论文 Sol-gel法掺杂导电ZnO薄膜及其低温氮气热处理关键词：气氛处理 温度稳定性 ZnO薄膜 低温氮气热处理 掺杂导电摘要：ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率
2、的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度
3、，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度
4、为550、氮气热处理温度为300。正文内容 ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为
5、溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大；
6、热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池
7、、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用X
8、RD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀
9、，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异
10、的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、
11、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、
12、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制
13、备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导
14、率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制
15、备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电
16、率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加
17、薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛
18、热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为
19、溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大；
20、热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池
21、、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用X
22、RD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀
23、，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异
24、的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、
25、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、
26、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制
27、备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导
28、率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制
29、备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300。ZnO薄膜是一种直接宽带隙半导体材料，具有多种用途，可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。其特性可通过适当的掺杂来调剂。通过适量掺杂的ZnO透明导电薄膜具有优异的光电性能，能在太阳能电池、液晶显示器等多种电器设备中被用作透明导电电极。 本课题研究的主要目的是探索Sol-Gel法制备掺Al的ZnO透明导电薄膜在氮气中的稳定性和Sol-Gel法制备掺Li的ZnO透明导电薄膜的掺杂比和涂膜层数对薄膜导电
30、率和透光率的影响。 本文通过溶胶-凝胶法在载玻片上成功地制备出Al3+、Li+掺杂型ZnO薄膜。所用的溶胶以乙二醇甲醚为溶剂，醋酸锌为前驱体，单乙醇胺为稳定剂经加热搅拌制得；薄膜经烘干、预处理、氮气热处理后形成均匀透明的ZnO薄膜。 利用XRD、SEM、XPS、UV-VIS和四探针测试仪对薄膜的结构和光电特性进行了研究。结果表明，掺杂物、掺杂量、热处理温度、涂膜层数和热处理气氛对ZnO薄膜光电性能均有不同程度的影响。 适当增加掺杂量能提高薄膜的电导率，过多的掺杂反而会降低电导率：不同的掺杂物对氮气中处理后的薄膜稳定性有较大影响，掺Al的薄膜稳定性很好，而Li的簿膜则较差； 增加涂膜层数均能增加
31、薄膜的厚度，并导致薄膜电导率的提高，同时也降低了薄膜的透射率； 掺杂量和热处理气氛对薄膜在可见光范围内透射率影响不大； 热处理气氛的不同直接影响了薄膜的导电性，在氮气中300可得到电导率高的薄膜。 本实验制备的薄膜表面致密结构，晶粒大小均匀，方阻最低为270/，可见光透射率最大为83。 溶胶-凝胶方法制备AZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Al量1at、镀膜层数15层、预处理温度450、空气气氛热处理温度为550、氮气热处理温度为300；溶胶-凝胶方法制备LZO薄膜的最佳工艺条件为：溶胶浓度0.6mol/L、掺杂Li量2.3at、镀膜层数10层、预处理温度450、空气气氛
32、热处理温度为550、氮气热处理温度为300。特别提醒：正文内容由PDF文件转码生成，如您电脑未有相应转换码，则无法显示正文内容，请您下载相应软件，下载地址为 。如还不能显示，可以联系我q q 1627550258 ，提供原格式文档。 垐垯櫃换烫梯葺铑?endstreamendobj2x滌?U閩AZ箾FTP鈦X飼?狛P?燚?琯嫼b?袍*甒?颙嫯?4)=r宵?i?j彺帖B3锝檡骹笪yLrQ#?0鯖l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛枒l壛渓?擗#?#綫G刿#K芿$?7.耟?Wa癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb皗E|?pDb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$Fb癳$F?責鯻0橔C,f薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵秾腵薍秾腵%?秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍秾腵薍G?螪t俐猻覎?烰:X=勢)趯飥?媂s劂/x?矓w豒庘q?唙?鄰爖媧A|Q趗擓蒚?緱鳝嗷P?笄nf(鱂匧叺9就菹$