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1、0,VDMOS产品介绍,1,目录,2,第一部分：MOSFET介绍,MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 即金属氧化物半导体场效应晶体管,3,第一部分：MOSFET介绍,MOSFET的分类：,VDMOS,P沟道增强型,P沟道耗尽型,N沟道增强型,N沟道耗尽型,4,第一部分：MOSFET介绍,MOSFET主要工作原理（以N沟道增强型为例）： 衬底材料为P型硅，源区和漏区均为N+区。在栅极电压为零时，由于氧化层中正电荷的作用使半导体表面耗尽但未形成导电沟道。当在栅极加上正电压是，表面有耗尽层变为反型层，当Vgs=Vt（阈值电
2、压）表面发生强反型，即形成n型沟道，则此时加在栅极上的电压Vt即为MOS管的开启电压。在此时，如果在漏源之间加正电压，电子就能够从源极流向漏极，形成漏极向源极的电流。,5,第一部分：MOSFET介绍,MOSFET的特点：,双边对称：电学性质上，源漏极可以互换（VDMOS不可以） 单极性：参与导电的只有一种载流子，双极器件是两种载流子导电。 高输入阻抗：由于存在栅氧化层，在栅和其它端点之间不存在直流通路，输入阻抗非常高。电压控制：MOS场效应管是电压控制器件，双极功率器件是电流控制器件。驱动简单。自隔离：MOS管具有很高的封装密度，因为MOS晶体管之间能够自动隔离。能广泛用于并联。其它：温度稳定
3、性好,6,第一部分：MOSFET介绍,功率器件的特征：,7,第一部分：MOSFET介绍,功率器件的特征：,8,第一部分：MOSFET介绍,功率MOSFET的主要类型：,VDMOS（垂直双扩散MOS） VVMOS（垂直V型槽MOS） UMOS（U型槽MOS） 其它如cool MOS等,9,第一部分：MOSFET介绍,功率MOSFET的主要类型：,VDMOS是大量重要特征结合的产物，包括垂直几何结构、双扩散工艺、多晶硅栅结构和单胞结构等。,10,目录,11,第二部分：MOSFET主要参数,VDMOS主要参数：,12,第二部分：MOSFET主要参数,VDMOS主要参数：,13,VDMOS主要参数：,
4、第二部分：MOSFET主要参数,14,VDMOS主要参数：,第二部分：MOSFET主要参数,15,VDMOS主要参数：,第二部分：MOSFET主要参数,16,VDMOS主要参数（静态参数）：,BVdss: 漏源击穿电压 (与三极管的cb电压相似),Id: 连续漏极电流,Rds（on）：通态电阻，器件导通时，给定电流时的漏源电阻,gfs：跨导，漏极电流随栅源电压变化的比值（单位：S西门子）,Vgs(th)：阈值电压，多晶下面的沟道出现强反型层并且在源极和 漏极之间形成导电沟道时的栅源电压,第二部分：MOSFET主要参数,17,VDMOS主要参数（开关参数）：,开关参数,Td(on)：开启延迟时间
5、,Tr：上升时间,Tf：下降时间,Td(off)：关闭延迟时间,Qg：栅极电荷,Ton：开通时间,Toff：关断时间,第二部分：MOSFET主要参数,18,VDMOS主要参数（原理图）：,VDMOS的开关过程a) 测试电路 b) 开关过程波形up脉冲信号源， Rs信号源内阻，RG栅极电阻，RL负载电阻，RF检测漏极电流,第二部分：MOSFET主要参数,19,Ciss: 输入电容（Cgs+Cgd）,Coss:输出电容（Cgd+Cds）,Crss：反向传输电容（Cgd）,第二部分：MOSFET主要参数,VDMOS主要参数（动态参数）：,20,第二部分：MOSFET主要参数,VDMOS主要动态参数（
6、原理图）：,21,目录,22,第三部分：VDMOS产品工艺流程,23,第三部分：VDMOS产品工艺流程,24,第三部分：VDMOS产品工艺流程,25,场氧化,J-FET注入,环光刻,分压环制备,第三部分：VDMOS产品工艺流程,26,多晶淀积,多晶激活,栅氧制造和P-注入：,栅氧,P-注入,去胶,多晶光刻,第三部分：VDMOS产品工艺流程,27,P+注入,去胶,P+注入和阱推结：,P+光刻,P阱推结,本图及以后不再考虑终端,第三部分：VDMOS产品工艺流程,28,P阱推结后照片,第三部分：VDMOS产品工艺流程,29,N+注入,去胶,N+注入：,N+光刻,第三部分：VDMOS产品工艺流程,30
7、,PSG回流,接触孔制备：,PSG淀积,接触孔光刻,第三部分：VDMOS产品工艺流程,31,金属光刻,正面电极制备：,金属淀积,合金,第三部分：VDMOS产品工艺流程,32,钝化层光刻,表面钝化：,Si3N4淀积,第三部分：VDMOS产品工艺流程,33,背面蒸发,背面金属制备：,背面减薄,第三部分：VDMOS产品工艺流程,34,划片,中测和划片：,中测,第三部分：VDMOS产品工艺流程,35,管芯制造后照片,第三部分：VDMOS产品工艺流程,36,管芯制造后照片,第三部分：VDMOS产品工艺流程,37,第三部分：VDMOS产品工艺流程,38,目录,39,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司
8、主要产品,40,产品应用领域,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,41,节能灯应用,- 国内主要是TR (13000-series)主要竞争产品为 500V/1A、 500V/2A（ TO-92L 和 SOP-8封装） - 20W- 40W 等主要是 500V/4.5A, 500V/4.5A ( I-PAK 和TO-220）,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,42,适配器和充电器应用,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,43,DC-DC 转换器 (笔记本、电脑、 HHP),第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,44,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,45,VDMOS主要封装形式：,第四部分： VDMOS产品应用领域和公司主要产品,46,目录,47,静电防护： 栅氧化层：1000埃，击穿电压约为6065V 栅氧化层：580埃，击穿电压约为45-55V,第四部分： VDMOS产品注意事项,48,一致性控制：,第四部分： VDMOS产品注意事项,49,第十一部分：结束语,谢谢大家,部分资料从网络收集整理而来，供大家参考，感谢您的关注！,