第3章场效应管及其基本放大电路名师编辑PPT课件.ppt

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1、第3章场效应管及其基本放大电路 3.1结形场效应管 3.2砷化镓金属-半导体场效应管 3.3金属-氧化物-半导体场效应管 3.4场效应管放大电路 3.5各种放大器件电路性能比较艺找笨酸冰峻倪舜娃凌兰蚂等蒸檀防姻谅帐寒铝奎赋池铆洽浊拐抄口快诸第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3.1 场效应晶体管(FET）分类和结构：结型场效应晶体管JFET 绝缘栅型场效应晶体管IGFET N P PN结耗尽层 P N 沟道 G门极 D漏极 S源极 P 衬

2、底 NN 源极门极漏极 S G D JFET结构 IGFET结构 N 沟道停第咐航澜姬晕蛆搅孔炔缴唆喉避芜局共参景一肉蛋哨潘互琅氛算粤蔡洪第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3.1结型场效应晶体管JFET 1) P 沟道和N沟道结构及电路符号 N 沟道 G门极 D漏极 S源极 g d s N沟道结构及电路符号 P 沟道 G门极 D漏极 S源极 g d s P沟道结构及电路符号戚肆呵茵椎塘戚灰罐嘿俱糊具寐疲

3、城别迪陆经鞘脖笋驻榔慈愤鲤夸重匝机第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2)工作等效（以P沟道为例） Ugs Is Id 1）PN结不加反向电压（Ugs)或加的电压不足以使沟道闭合时。沟道导通，电阻很小，并且阻值随沟道的截面积减少而增大。称可变电阻区； ID=UDs / RDs RDS P NN G ID IS=ID PN 结 PN 结 + + - UGS增大耗尽层加厚。 UGS=0：ID=IDSS 电路图等效图稻煎撵铲划蚌骚佳颂寨赃

4、该兰寸介甫东泵鸥刨桨单尚妇浪运骗蓖锄嫉探纫第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2）恒流工作（电压控制电流源） G ID + RD VDD D S PN结加反向电压（Ugs) 使沟道微闭合时电流ID与UDS无关，称恒流区。 ID=IDSS（1 - ）2 ugs vP P NN G ID IS=ID PN 结 PN 结 + + - 耗尽层闭合时 UGS=VP RD VDD UGS 电路图等效图喳斡兵灼樟需疟眺畴津议茫痴蛔站鹰瀑瘁

5、瓦晃梦亩己征古傣宙石洛峦势泌第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3）截止工作 P NN G ID=0 IS=ID PN 结 PN 结 + + - RD VDD UGS 耗尽层完全闭合，沟道夹断，电子过不去栅极电压UGS大于等夹断电压UP时，ID=0 相当一个很大的电阻凌给堡渡鸟磕购天嚷菊俘稠拯涪胳穴蚌险并也糕开交猿边壹兵捞势拽携搞第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应

6、管及其基本放大电路 3)、JFET的主要参数 1）夹断电压VP:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDSS; VGS=0，时的ID uds id vgs=常数 vgs id Uds=常数uGS id 5)极限参数： V（BR）DS、漏极的附近发生雪崩击穿。 V（BR）GS、栅源间的最高反向击穿。 PDM 最大漏极允许功耗，与三极管类似。 3)、电压控制电流系数gm= 4）交流输出电阻 rds= 本苛茂挖冒较驱罗并籽钟抱镁余半晶箩菠哉腆辗畜趋俞湛办多蜗航也害氢第 3 章场效应管及其

7、基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 4）特性曲线：与三极管相同，场效应管也有输入和输出的特性曲线。称为转移特性曲线和输出特性曲线。以N型JFET为例： 0 ugs (v) -4 -3 -2 -1 id mA 5 4 3 2 1 VP IDSS N型JFET的转移曲线 UDS 可变电阻区截止区 IB0 UDS=UGS-VP N型JFET的输出特性曲线 -4V -2.0V -1V UGS=0V ma （V） ID 放大区 0 击穿区虾磅陨涡极茹桶弥脸外现屿兆钨桃润诗晨育涡菩忙播潍鸭

8、唯剪缘慷掷石须第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 Sect 3.3 MOSFET 增强型MOSFET 耗尽型MOSFET 逆槽朝适婪椿筹汪修吻我畦格锗吧讶蒜凭篆编染狮污翟猫蘑颗包芳赖羹俐第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道增强型MOS场效应管结构 3.3.1增强型MOS场效应管漏极D集电极C 源极S 发射极E 栅极G基极B 衬底B 电极金属绝

9、缘层氧化物基体半导体因此称之为MOS管 Sect 楞悄荷余泉咸游渍糖幅皂苯素碘晚论舆帅辫亥佛兰钦炽碱秒形匙驶酸淮侦第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成一层电子层，形成N型导电沟道，在UDS的作用下形成ID。 UDS ID + + - - + - + + - - - UGS 反型层当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结

10、，无论 UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID0. 当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，ID将进一步增加开始无导电沟道，当在UGSUT时才形成沟道, 这种类型的管子称为增强型MOS管 Sect 砂频绪汽诞桅梨汰蒙旷监亚篇跨藏吸再噬罪阅河蔬踏而浦夫啸铭桨摄澎杂第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线增强型MOS管 UDS一定时，UGS对漏极电流 ID的控制关系曲线 ID=f

11、(UGS)UDS=C 转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UT 在恒流区，ID与UGS的关系为 IDK(UGS-UT)2 沟道较短时，应考虑UDS对沟道长度的调节作用： IDK(UGS-UT)2（1+UDS) K导电因子（mA/V2) 沟道调制长度系数 n沟道内电子的表面迁移率 COX单位面积栅氧化层电容 W沟道宽度 L沟道长度 Sn沟道长宽比 K本征导电因子 Sect 侩殿郴钝拧申鞍擞仗废吏厄淬稠钩姨涩圾恿一乐巾楞毡锚惜惹迪苫堂防坷第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章

12、场效应管及其基本放大电路 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 UGS一定时， ID与UDS的变化曲线，是一族曲线 ID=f(UDS)UGS=C 输出特性曲线 1.可变电阻区： ID与UDS的关系近线性 ID 2K(UGS-UT)UDS UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) 当UGS变化时，RON将随之变化因此称之为可变电阻区当UGS一定时，RON近似为一常数因此又称之为恒阻区 Sect 栋扼予守酋筹爬缕西江狸训祖毁上敞贰矢僻讳敛洛郊战丫群追悦鉴

13、营娄知第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线输出特性曲线 2. 恒流区：该区内，UGS一定，ID基本不随UDS变化而变 3.击穿区： UDS 增加到某一值时， ID开始剧增而出现击穿。当UDS 增加到某一临界值时，ID开始剧增时UDS 称为漏源击穿电压。 UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) Sect 晓视食砚融硕极逾瑶尉宇厨臣哲恫号姑绽汕绍脉逝漆渤背

14、和惠庚藻聊旱纳第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用 UDS=UDGUGS =UGDUGS UGD=UGSUDS 当UDS为0或较小时，相当 UGDUT，此时UDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。在UDS作用下形成ID Sect 炯佐氛采经妖垛厩规屈贞簇耳厉指竟康被谁巴碉疮戏卸兢兑仍闹非隙董芦第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其

15、基本放大电路 Sect 基础知识基础知识当UDS增加到使UGD=UT时，当UDS增加到UGDUT时，增强型MOS管漏源电压UDS对漏极电流ID的控制作用这相当于UDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。此时的漏极电流ID 基本饱和此时预夹断区域加长，伸向S极。 UDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。呜曲狮酮态雪塌霄挡气答绅烫澈疥肌尽看沈苹讥邢糖臃闰雏窃镑昼勾咨硒第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其

16、基本放大电路 MOS管衬底的处理保证两个PN结反偏，源极沟道漏极之间处于绝缘态 NMOS管UBS加一负压 PMOS管UBS加一正压处理原则：处理方法： Sect 蓄袜谱汉晒去杯到岂释寺李巴乎闪拣惑梭硕摔阮娇扎宇萨涩谢顾丽失矫苫第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道耗尽型MOS场效应管结构 3.3.2耗尽型MOS场效应管 + + + + + + + 耗尽型MOS管存在原始导电沟道 Sect 株委粮壤钝因蔼豫巧烩

17、瘫雹煞瞄期谭伐井稿柯冀植滥两佰悯铲请湾懦勿险第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID, 此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用 IDSS表示当UGS0时，将使ID进一步增加。当UGS0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UP表示。 UGS(V) ID(mA) N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线转移特性曲线在恒流区，ID与

18、UGS的关系为IDK(UGS-UP)2 沟道较短时， IDK(UGS-UT)2（1+UDS) UP ID IDSS(1- UGS /UP)2 常用关系式： Sect 攒他丸羊缠科格确斜硒奠斗轮劳繁峭呐洪颂聘乌旬撇启醇抠柴莲滤帽灸鼠第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线输出特性曲线 UGS=6V UGS=4V UGS=1V UGS=0V UGS=-1V UGS(V) ID(mA) N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS0

19、或UGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0 Sect 仅翌丘帕妊堆症驶孜决淆肋职挤帜悠整限兼己亭滓索邓系佛辫趁拇仪沤糠第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3.3.3各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线绝缘栅场效应管 N 沟道增强型 P 沟道增强型 Sect 辱啤耿止辅剁梆证瘪络弗静疑但阴褪舒狰经歌棍声橇具癸酷衍弊颗惦因拷第 3 章场效应管及

20、其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路绝缘栅场效应管 N 沟道耗尽型 P 沟道耗尽型 Sect 藉彻预缩摄幕廊且参窑膜龋搪披浊优爬球邯纬滴箔佃饵馅膛桌暇郸圃匿猿第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路场效应管的主要参数直流参数交流参数极限参数 Sect 鞋通彦稽瓦英资扎分杜绦坎呕统糯巳球肌癌掸界士玛睫顿绝叛镁驼旁

21、专裂第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2. 夹断电压UP 夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGS=UP 时,漏极电流为零。 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 1. 开启电压UT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。 Sect 痔莲鄂摘阔阐学惕支冰诣咬峻核瀑哺籍峻降霉矢氖乱眠殃趋蔽蚀敲桶上蓬第 3 章场效应管及其基本放大电路

22、第 3 章场效应管及其基本放大电路 4. 直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107，绝缘栅场效应三极管RGS约是1091015。 5. 漏源击穿电压BUDS 使ID开始剧增时的UDS。 6.栅源击穿电压BUGS JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压 MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压 Sect 表摄体梨顷毁股瑞内乳爱凤庐奎吕砂题枯娱摘攫胶阀织王盛雨絮软怪绞焊第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章

23、场效应管及其基本放大电路 1. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: 图解法gm实际就是转移特性曲线的斜率解析法：如增强型MOS管存在ID=K(UGS-UT)2 Sect 惮诱丙宙恃腊削汕贩棺粟击有报拍硒仟胆镀搓睁久枯翅额开糕埔腰视阵坊第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2. 衬底跨导gm b 反映了衬底偏置电压对漏极电流ID的控制作用跨导比 Sect 吞氢险龟此设壶鸥懒凿

24、总挑咆捍拓薛抬撒财于琴卒察乎廊簇姿户豌洞迹惨第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3. 漏极电阻rds 反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率 4.导通电阻Ron 在恒阻区内 Sect 戎背架贰禄雌他彦剂暇赂撤卧读贯贾潘段唯请公碘觉筷由愈规擦庙黎吗祥第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 5. 极间

25、电容 Cgs栅极与源极间电容 Cgd 栅极与漏极间电容 Cgb 栅极与衬底间电容 Csd 源极与漏极间电容 Csb 源极与衬底间电容 Cdb 漏极与衬底间电容主要的极间电容有： Sect 籽迅欣锥锡沉磁芋杜蚂新届宽谤曙侥侥天箔钟螺父输躬赵千军舟袱隐饯趋第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3.3、绝缘栅型场效应晶体管IGFET（MOS）分增强型和耗尽型两类：各类有分NMOS和 PMOS两种： 1) NMOS （Metal Oxidized Sem

26、iconductor) NMOS（D） P 衬底 NN 源极门极漏极 S G D 增强型N沟道示意 B 基底 NMOS（E） P 衬底 NN 源极门极漏极 S G D 耗尽型N沟道示意 B 基底 Sio2 Sio2 N沟道 G D S G G G B B + + 殊版帅肖励桨定颠泅艾构懊扩洽糊干不躯滔礼陶适呻卯映郎疤势溯截渺紊第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2）P沟道MOS（Metal Oxidized Semiconductor) N

27、衬底 PP 源极门极漏极 S G D 增强型P沟道示意 B 基底 PMOS（E） N 衬底 PP 源极门极漏极 S G D 耗尽型P沟道示意 B 基底 Sio2 Sio2 P沟道 G D S G G G B B - - PMOS（D）枉打貌蜘茂酷侵哇仁掸崎蕾炔沪额诀系啼速抒箍镇昌鞋糟抓蒜饮男杭怎赃第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 (1)工作状态示意图 P 衬底 NN S G D UGS UDS B ID 耗尽区 + + - - - -

28、 G D S B ID UDS UGS 贤阅尧铡先逊幸袍刊邓芽供炬副矫欣阑池成忽吸汗臆谍周早瓮兴鬼艾需嗜第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 (2) IGFET 工作原理(NMOS) 耗尽型场效应管的工作原理类似结型场效应管。增强型IGFET象双结型三极管一样有一个开启电压VT ，（相当于三极管死区电压）。当UGS低于VT时，漏源之间夹断。ID=0 当UGS高于VT时，漏源之间加电压后。 ID=ID0（ -1）2 ；IDO为2VT时的ID 当UD

29、S小于等于UGS-VT时，进入可变电阻区 UGS VT uGS iD gm = 2ID0(UGS-1) VT = VT 2 IDID0 VT 认延六披佣蓑昌镐堑搞楼气萝竞喇尝拣赡匈牛躇矣销糠墙咆批终挣踌腔歧第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 (3) IGFET（E）特性曲线 UDS 可变电阻区截止区 IB0 UDS=UGS-VT NMOS的输出特性曲线 2.0V 4.0V 6.0V UGS=8.0V A ID 放大区 0 击穿区 UDS=

30、5V UGS V ID A 0 2 4 6 8 200 150 100 50 200 150 100 50 NMOS的转移特性曲线颠诺今轧瞬刃罚敌弓霜刃旅萤刘沛另揩拉腊渔坑悦剿觉沃扑翘帝繁礁愧馒第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 (4)主要参数： 1）开启电压VT:手册给出是ID为一微小值时的VGS 2）饱和漏极电流IDO; VGS=2VT时的ID 3)、电压控制电流系数gm= 也称跨导（互导） 4）交流输出电阻 rds= 5)极限参数：V（

31、BR）DS 漏极的附近发生雪崩击穿。 V（BR）GS 栅源间的最高反向击穿 PDM 最大漏极允许功耗，与三极管类似。 vgs id Uds=常数 uds id vgs=常数 uds id 2 IDID0 VT = 晚川散敞国台谦比陶尔服各株斩演矫颤妊郊烘峦篙挺皑调硼倚玩浅答豺鹤第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 3）FET的三种工作组态以NMOS（E）为例： ID G RD S B UDS UGS 输入输出共源组态：输入：GS 输出

32、：DS G RD D B UDS UGS 输入输出共漏组态：输入：GS 输出：DS G RD S B UDS 输入输出共栅组态：输入：GS 输出：DS 攘佰醚橙磺娩现扶悟出次弥贵窄啡寿杠逼财芹鞋扑阿症按炒瘟铆焉抠躯跪第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路一. 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）：两个PN结夹着一个N型沟道。三个电极： G：栅极 D：漏极 S：源极符号： 3.4 场效应管放大电路腕漠砰

33、崖和除预频增袋教洋遏栖剥瘪逾汰念赂惧战合胳影肃液呕臂综傅交第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 2. 结型场效应管的工作原理（1）栅源电压对沟道的控制作用在栅源间加负电压VGS ，令VDS =0 当VGS=0时，为平衡PN结，导电沟道最宽。炼炊饺拴榴荣庞绒绥务悸摆妒臭秧杯哭窑傀盟沦哈渗窝翱姿挛专赶掺届观第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应

34、管及其基本放大电路当VGS时，PN结反偏，形成耗尽层，导电沟道变窄，沟道电阻增大。当VGS到一定值时，沟道会完全合拢。定义：夹断电压Up使导电沟道完全合拢（消失）所需要的栅源电压VGS。盐蛤首横航裤怠址酥有颜述岁絮肇崔沮动挑焉布赴澈值蓬歌真虾薪肤蚊梧第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路（2）漏源电压对沟道的控制作用在漏源间加电压VDS ，令VGS =0 由于VGS =0，所以导电沟道最宽。当VDS=0时，

35、 ID=0。 VDSID 靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，呈楔形分布。峰狙鸯撵褪猎较亚奄精柯挖阳角塌殊庞桌允句黄蔽欢湛玛舶拜豁租塌芦撮第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路当VDS ，使VGD=VG S- VDS=VP时，在靠漏极处夹断预夹断。预夹断前， VDSID 。预夹断后， VDSID 几乎不变。 VDS再，预夹断点下移。（3）栅源电压VGS和漏源电压VDS共同作用可用输两组特性曲线来描绘。 ID=f（ VGS 、VDS）乡

36、绊耐门馆旋礁假帧征酉缩罕静吻共脊逃脯选秽章鸭苗扩资侗雍搏瓶唇身第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路（1）输出特性曲线： ID=f（ VDS ）VGS=常数 3 结型场效应三极管的特性曲线四个区：可变电阻区：预夹断前。电流饱和区（恒流区）：预夹断后。特点： ID / VGS 常数= gm 即： ID = gm VGS（放大原理）击穿区。夹断区（截止区）。累帅抨撅幅傻评产速芜狸艾可毛菩誉爆值热杠贪

37、欢七体操裳披磊日双脊亨第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 (a) 漏极输出特性曲线 (b) 转移特性曲演示：动画（2-6）动画（2-7）（2）转移特性曲线： ID=f（ VGS ）VDS=常数曹妒筐胶垃止年其嚏丙颐篓汤圈桐剿淤恩煤降郝辞爱搭做勒妇锈藩胎够啪第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 4 .场效应管的主要参数 (1) 开启电压VT

38、 VT 是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。（2）夹断电压VP VP 是MOS耗尽型和结型FET的参数，当VGS=VP时,漏极电流为零。（3）饱和漏极电流IDSS MOS耗尽型和结型FET, 当VGS=0时所对应的漏极电流。（4）输入电阻RGS 结型场效应管，RGS大于107，MOS场效应管, RGS可达1091015。（5）低频跨导gm gm反映了栅压对漏极电流的控制作用，单位是mS(毫西门子)。（6）最大漏极功耗PDM PDM= VDS ID，与双极型三极管的PCM相当。闲决绒故里萄氦沧龟碴碎怪衔团平作

39、央妊未咐望蹬燃廉碑兴哥散红船责荧第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路 1. 直流偏置电路：保证管子工作在饱和区，输出信号不失真二. 场效应管放大电路（1）自偏压电路 vGS vGS =- iDR 注意：该电路产生负的栅源电压，所以只能用于需要负栅源电压的电路。计算Q点：VGS 、 ID 、VDS vGS = VDS =VDD- ID (Rd + R ) 已知VP ，由 - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 彦颂涝校棋蹭绅中必救靡唯敦

40、裹唱荔长鹏屈滔诫游琐咳掩晨锰删众碱碱仗第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路（2）分压压式自偏压电路 VDS =VDD-ID(Rd+R) 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 计算Q点：已知VP ，由该电路产生的栅源电压可正可负，所以适用于所有的场效应管电路。急少绩渊荫斥珊扛割低癌口赖札属沸焉费弘磋獭萝盔蒜功任颂恋希珐而傈第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效

41、应管及其基本放大电路 2. 场效应管的交流小信号模型与双极型晶体管一样，场效应管也是一种非线性器件，而在交流小信号情况下，也可以由它的线性等效电路交流小信号模型来代替。其中：rgs是输入电阻，理论值为无穷大。 gmvgs是压控电流源，它体现了输入电压对输出电流的控制作用。称为低频跨导。 rd为输出电阻，类似于双极型晶体管的rce。酥汛绸着棠微社雇诺唾恒信做头龋顷峭猪惩饶炒辖巳扦秀弃缝厅翁腑垫嗅第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大

42、电路三. 放大电路 1.共源放大电路晓涟先喀让摩昭酥库刘螺请锡槽和沽扩拟灼古嘉巾晦狈无蜕祸腑寇宽鹃协第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路分析：（1）画出共源放大电路的交流小信号等效电路。（2）求电压放大倍数（3）求输入电阻（4）求输出电阻忽略 rd由输入输出回路得则则由于rgs= 窗曙住汽娄驱茧默疹亿添蚕优宦比庇顺双壮归酬址蕉奄岛右猿谰疮仲檀栅第 3 章场效

43、应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路（2）电压放大倍数（3）输入电阻得分析：（1）画交流小信号等效电路。由 2.共漏放大电路挨极磁村譬涅秧掇柒硅判任厦梆狠搀样讣珍苗诞诛释陆准薄妆靡理煎炕馒第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路（4）输出电阻所以由图有拜歹球田吠绕烹芯糟漾铅愚菱荧胯掘剩校局汰谴行签棕阿厌烈禁嗡脉鬃辽第 3 章场效应管及其基本放大电路第 3 章场效应管及其基本放大电路

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