硅酸盐总结.doc

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1、第三章 晶体结构缺陷 P771、【名】点缺陷 :又称为零维缺陷,在三维方向上缺陷的尺寸处在原子大小的数量级上,包括空位,间隙原子和杂质原子等。 线缺陷 :又称为一维缺陷,在一维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷,如位错(dislocation)。 面缺陷 :又称为二维缺陷,在二维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷,如晶界(dislocation)。 体缺陷 :又称为三维缺陷,在局部的三维方向上偏离理想晶体中的周期性、规律性排列所产生的缺陷,如空位团。2、弗仑克尔缺陷:能量足够大的质点离开正常格位后挤入晶格间隙为位置,形成间隙质点,原来位置形成空位。空位和间隙

2、成对产生;晶体体积不变。 肖特基缺陷:正常格点上的质点获得能量后离开平衡位置迁移到表面位置,同时在晶体内部正常格点上留下空位。对于离子晶体,为保持电中性,正离子空位和负离子空位成对产生,晶体体积增大。3、【名】固溶体:含有外来杂质原子的晶体称为固体溶液,其中外来组元为溶质,基质晶体为溶剂固溶体中由于杂质原子占据正常格点的位置,破坏了基质晶体中质点排列的有序性,引起晶体内周期性势场的畸变,这也是一种点缺陷范围的晶体结构缺陷。4、【答】固溶体机械混合物化合物的区别5、【答】热缺陷反应方程式P82 固溶化学式P92 (好好理解)6、 影响固溶体溶解度的因素?:具体结合P9193 (1) 原子或离子尺

3、寸(2) 晶体的结构类型 (3) 离子类型和键性(4) 电价因素(5) 电负性7、 【算】 P98 上课讲了P113 11、25题(详见硅酸盐物理化学答案)8、 【名】非化学计量化合物:把原子或离子的比例不成简单整数比或固定的比例关系的化 合合物称为非化学计量化合物。9、 【选】P98 非化学计量四个类型氧分压与空位浓度关系:(1)阴离子缺位型(2)间隙正离子型 完全不完全(3)正离子空位型 hPO21/6 (4)间隙负离子型 OiPO21/6 第四章 非晶态结构与性质P1151、 P124 O/Si比:硅酸盐熔体的粘度首先取决于硅氧四面体网络的聚合程度,即随O/Si比的上升而下降,见表44。

4、 2、P124 (先从P120开始了解黏度)通常碱金属氧化物(Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2O)能降低熔体粘度(图5) 。这些正离子由于电荷少、半径大、和O2的作用力较小,提供了系统中的“自由氧”而使O/Si比值增加,导致原来硅氧负离子团解聚成较简单的结构单位,因而使活化能减低、粘度变小。【答】 1) 当2O含量较低时(O/Si较低),熔体中硅氧负离子团较大,对粘度起主要作用的是四面体SiO4间的键力。这时,加入的正离子的半径越小,降低粘度的作用越大,其次序是LiNaRbCs。这是由于R除了能提供“游离”氧,打断硅氧网络以外,在网络中还对SiOSi键有反极化作用,减弱了上述键力。

5、Li离子半径最小,电场强度最强,反极化作用最大,故它降低粘度的作用最大。 2) 当熔体中2O含量较高(O/Si比较高)时,则熔体中硅氧负离子团接近最简单的SiO4形式,同时熔体中有大量2-存在,SiO4四面体之间主要依靠RO键力连接,这时作用力矩最大的Li+就具有较大的粘度。在这种情况下,2O对粘度影响的次序是Li+Na+A13+Ba2+Sr2+Ca2+Mg2+NH4+K+Na+Li+(恶心点可以结合P211 14题)6、 P197泥浆各种性质(和离子影响关系 不知道干嘛的看着办)(1) 稳定性(与聚沉):(2) 流动性:(3) 滤水性:(4) 触变性:(5) 可塑性:第七章 固体中的扩散 P

6、3001、 菲克第一第二定律、影响扩散的因素神马的了解下2、 【名】(详细的看书P304)稳定扩散:扩散物质的浓度分布不随时间变化的扩散; 非稳定扩散:扩散物质的浓度分布随时间变化的扩散 本征扩散:通过本征热缺陷肖特基缺陷这种空位的扩散 非本征扩散:由掺杂质离子引起 的空位的扩散3、【算】P316(第三问PPT没有) P327 (P306题、P328 第9题看一下)第八章 固相反应 P3291、【名】固相反应:固体直接参与反应并起化学变化,同时至少在固体内部或外部的一个过程中起控制左右的反应。2、P330 泰曼观点(1)固态物质间的反应是直接进行的,气相或液相没有或不起重要作用。(2)固相反应

7、开始温度常远低于反应物的熔点或系统低共熔点温度。这一温度与反应物内部开始呈现明显扩散作用的温度相一致,称为泰曼温度或烧结开始温度。 金 属 0.30.4Tm 泰曼温度 盐 类 0.57Tm 硅 酸 盐 类 0.80.9Tm(3)当反应物之一有晶型转变时,则转变温度通常是反应开始明显的温度 海德华定律 (金斯特林格等人观点)(1)固态反应一般包括相界面上的反应和物质迁移两个过程。(2)固态反应通常需在高温下进行。而且由于反应发生在非均相系统,因而传热和传质过程都对反应速度有重要影响。 范特荷夫规则:一切实际可以进行的纯固相反应,其反应几乎总是放热的。3、 【算】P339杨德尔方程: 局限性:假定

8、的扩散截面不变 x/R0很小,因而仅适用于反应初期,如果继续反应会出现大偏差。G 0.3金斯特林格方程: P351 3、5.题(详见硅酸盐物理化学答案)4、 P351 【答/选】 9题第十章 烧结过程 P3741、【名】 烧成:在一定温度范围内烧制成致密体的全部过程 烧结:仅仅指粉料经加热而致密化的简单物理过程 2、 烧结推动力:表面能晶界能3、 结合后面模型4、【选】P382蒸发凝聚 坯体不发生收缩,密度不变5、 四种传质(P379)过程收缩率x/r与t的系数P383(1)蒸发凝聚(2)扩散传质 、 (3)流动传质(4)溶解沉淀6、【名】(初次再结晶:已发生塑性变形的基质中出现新生的无应变晶

9、粒的成核和长大过程。 推动力:基质塑性变形所增加的能量。) 晶粒长大:在烧结中、后期,细小晶粒逐渐长大,伴随着一部分晶粒的缩小或消失过程,其结果是平均晶粒尺寸增加。推动力:晶界过剩的自由能 二次再结晶:当正常晶粒生长由于气孔等阻碍而停止时,在均匀基相中少数大晶粒在界面能作用下向邻近小晶粒曲率中心推进,使大晶粒成为二次再结晶的核心,晶粒迅速长大。推动力:还是晶界过剩的界面能7、【答】P390晶界受第二相阻碍出现的三种情况(PPT和书不一样,以书为准,自己写。)8、 P396影响烧结的因素:(1)物料活性的影响;(2)添加物的影响;(3)气氛的影响化学作用P399【选】:故正离子扩散起控制作用的烧结过程,氧气氛和氧分压较高是有利的。例如反之,还原气氛有利于形成氧缺位型的非化学计量化合物,会因O2-离子空位增多而加速烧结;(4)鸭梨的影响。9、 【算】理论上原型P401 12、14题(详见硅酸盐物理化学答案) 同志们可以把计算题总结到背面,总之一切以书为准,请按页码理解。

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