05113052RDPHS手机(X平台)射频基础知识.ppt

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1、1,PHS手机(X平台)射频部分基础知识,2,内容纲要,1. PHS手机的几个概念 2. PHS手机射频部分的框图 3. PHS手机射频器件的组成及其性能 4. PHS手机的主要射频技术指标 5. PHS手机天线电气性能要求 6. PHS手机射频性能的测量 7. PHS手机射频的环境试验,3,1. PHS手机的几个概念,PHS使用多载波TDMA-TDD无线接入方式,双工方式是TDD。(2.4.1) 每个信道300kHz。每个ARFCN分为8个时隙。 语音编码(CODEC)是32KBit/s ADPCM 传输率为 384KBit/s 时隙结构( 2.4.3 ) PHS的调制方式是/4 shift

2、 QPSK。(3.3.1.2) 信道号:251255,182 (常用信道:18-66CH) 。频率覆盖范围:1893.651919.45MHz。(3.4.1),4,2. PHS手机射频部分的框图,5,3. PHS手机射频器件的组成及其性能,主要器件: 前端芯片(开关PA+LNA) 收发芯片(Transceiver,集成了PLL) 压控振荡器( VCO ) 声表滤波器(Saw Filter) 温补晶振( TCXO ),6,3.1 公用器件(1),1)前端介质滤波器 在LNA之前的前端滤波器的插入损耗必须要小,否则会影响接收机的灵敏度,插损1dB1.4dB。 目前使用的器件有:松下的AM57S、s

3、oshin的MDR749。 2)前端开关PA+LNA模块 采用了日本SONY的CXG1051AFN,它集成了一个Switch+ PA+LNA+1st mix,发射时它对功率进行放大,接收时它对信号进行放大和变频。发射时增益为39dB,接收时LNA加变频的增益为20.5dB。,7,3.1 公用器件(2),3)收发芯片(Transceiver) 收发主芯片采用日本松下公司的AN6591FJM。它集成了二个PLL、 /4 shift QPSK调制器、第二下变频器和限幅放大器等。 4)晶振 晶振的输出频率为19.2MHz,幅度为1.0Vp-p,频率稳定度 3PPM,无需压控端。 目前使用的器件是:京瓷

4、的KT18,KSS的208C5。,8,3.2 接收支路专用器件,1) 第一中频滤波器(声表滤波器) 次级滤波器(在LNA之后的滤波器,中心频率243.95MHz。)的插入损耗可以稍大,达到4.0dB。但带外抑制度一定要好。偏离中心频率为1.2MHz处的隔离达40dB以上。 目前使用器件:京瓷的PAFC243A,KSS的LSFB19。 2)第二中频滤波器(陶瓷介质滤波器) 第二中频滤波器为陶瓷介质滤波器,中心频率10.8MHz,带宽200KHz,插损为56dB。 使用器件:村田的SFECS10M8PF00。,9,3.3 发射支路专用器件,1)后端介质滤波器 插入损耗可以稍大(可达到2.5dB),

5、但带外抑制度一定要好(1660MHz处达到40dB),用于滤除在主芯片里调制和放大所产生的杂波。 目前使用器件:Soshin的MDR706、松下的BM56S。,10,3.4 锁相环路及使用器件,手机的锁相环电路为手机提供上、下变频的本振信号,其中鉴相电路在AN6591中实现,VCO、滤波电路外加。其中一本振频率为1650MHz1686MHz,锁相时间为600us左右,二本振频率固定为233.15MHz,其锁相时间为600us左右。 使用器件有:松下的VCO(ENF-VK1),maruwa的VCO(MVF-1668-27-C1433),飞利浦的高频三极管(BFR92AW),东芝的变容管(HUV3

6、55B )。,11,3.5 其它重要器件,1)开关管 用于收发时隙切换。 使用器件:VISHAY的Si1917EDH,ROHM的UMG2N。 2)LDO 给其它器件供电。 使用器件:理光的R1111N301B、321B,TI的TPS79333DBVR。,12,4. PHS手机的射频技术指标(1),1)手机的发射功率(Transmission output ): 当手机处于发射状态(Burst)下,在手机天线端口的输出功率电平。单位用mW表示。 指标标称值:10mW。 2)邻道功率(Adjacent channel power) : 邻道功率是指手机工作于发射状态(Burst)下,以距离中心频率

7、f KHz的频率点为中心的96KHz带宽内,0.625ms内的平均功率。其单位用nW表示。针对PHS手机,其邻道功率应在中心频率的600KHz处,900KHz处测试。 指标要求: 600kHz处 800nW (-31dBm) 900kHz处 250nW (-36dBm),13,4. PHS手机的射频技术指标(2),3)突发的时间响应特性(Transient response characteristics of burst transmission ): 手机在发射时隙的开/关瞬间,发射功率从80nW到到载波功率完全打开,或从开始关闭载波到发射功率降为80nW的过程中所占用的时间。 指标要求:

8、上升沿: 13us;下降沿: 13us。 4)载波关断泄漏功率(Carrier off time leakage power ): 载波关断泄漏功率是指在没有发射信号时,在相应的发射频段内的功率辐射。单位用nW表示。 指标要求:80nW,14,4. PHS手机的射频技术指标(3),5)发射杂散(Transmission spurious): 手机发射机工作时,在其RF频道的带内外的任何RF杂散辐射的峰值功率电平。单位用nW或uW表示。 这些杂散辐射包括:谐波辐射、分(频)谐波辐射、寄生辐射以及互调产物辐射等 指标要求:带内250nW;带外2.5uW。 6)占用带宽(Occupied bandw

9、idth) : 信号的占用带宽定义为包含了99%的发射信号功率的频率范围。从信号频谱的低端开始上移采样,当功率增加为信号总功率的0.5%时的采样点频率为下限频率fL;从信号频谱的高端开始下移采样,当功率增加为信号总功率的0.5%时的采样点频率为上限频率fT,信号占用带宽定义为信号频谱的上限频率fT与下限频率fL之差。即:BW = fT fL。 指标要求: 288kHz。,15,4. PHS手机的射频技术指标(4),7)频率稳定度(Frequency stability): 在所有使用的频率上可接受的最大频率漂移。 指标要求: 3ppm 8)调制精度(Modulation accuracy):

10、即调制信号矢量误差。包括均方根矢量误差、峰值矢量误差、幅度误差、原点漂移等多项。 指标要求:均方根矢量误差12.5%,16,4. PHS手机的射频技术指标(5),9)接收灵敏度(Receiving Sensitivity): 接收灵敏度定义为:当误码率(EBR)上升为1*10-2时的输入信号功率电平值。单位用dBuV/dBm表示。 指标要求: 16dBuV 10) 邻道选择性(Adjacent channel selectivity ): TCH的某一邻道上存在另一信号,该信号功率足够强时会影响到TCH的接收误码率。当TCH接收电平为灵敏度+3dB,且接收误码率达到0.01时,此时邻道的发射功

11、率与接收灵敏度+3dB的比值即邻道选择性。 指标要求:频偏600kHz时50dB,17,4. PHS手机的射频技术指标(6),11)互调性能(Intermodulation performance ): 在TCH的附近存在两个其它信号(600kHz和1.2MHz频偏处),它们的交调产物对TCH信道产生干扰。当TCH的接收电平为灵敏度+3dB,且交调干扰导致接收误码率达到0.01时,此时这两个信号的电平值与接收灵敏度+3dB的比值即互调性能指标。 指标要求: 47dB 12) 杂散响应(Spurious response immunity): 杂散信号对接收误码率产生影响。当TCH信道的信号强度

12、在灵敏度+3dB的情况下,杂散信号导致了误码率达到0.01的功率电平与灵敏度+3dB的比值即杂散响应指标。 指标要求:47dB,18,5. PHS手机天线电气性能要求,频段特征:单频,带宽窄。 方向性: 全向 驻波: 0dBi,19,6. PHS手机射频性能的测量,1)主要测试项 发射指标:发射功率、邻道功率、载波泄漏、占用带宽、 频率稳定度、调制精度 接收指标:接收灵敏度 2)测试仪表工具 综合测试仪MT8801C、电平转换盒、平板耦合天线 3)测试方法 测试发射指标可使用综测仪。 测试接收指标可使用综测仪+电平转换盒。 耦合测试时除了上述工具之外,还需平板耦合天线。,20,7. PHS手机射频的环境试验,低温 贮存温度: -30 贮存持续时间:4h 工作温度: -10 试验持续时间:2h 高温 贮存温度: 65 贮存持续时间:4h 工作温度: 50 试验持续时间:2h,21,谢谢大家!,

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