5.3场效应管的高频等效模型5.4单管放大电路的频率响应.ppt

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1、5.3 场效应管的高频等效模型,场效应管各极之间存在极间电容,其高频等效模型如下:,一般情况下, rgs和 rds比外接电阻大得多,可认为是开路。,Cgd可进行等效变化,使电路单向化。,Cgd等效变化:,g-s之间的等效电容为,d-s之间的等效电容为,图5.3.1 场效应管的高频等效模型(b)简化模型,5.4 单管放大电路的频率响应,5.4.1 单管共射放大电路的频率响应,中频段:各种电抗影响忽略,Au 与 f 无关;,低频段:耦合电容(或旁路电容)压降增大,Au降低。与电路中的电阻构成RC 高通电路;,高频段:三极管的极间电容并联在电路中,Au降低。而且,构成 RC 低通电路。,一、中频电压

2、放大倍数,耦合电容 可认为交流短路;极间电容可视为交流开路。,1. 中频段等效电路,由图可得:,2. 中频电压放大倍数,已知 ,则,结论:中频电压放大倍数的表达式,与利用简化h参数等效电路的分析结果一致。,二、低频电压放大倍数,考虑耦合电容(或旁路电容)的作用,其等效电路:,C1与输入电阻构成一个 RC 高通电路。,输出电压:,低频电压放大倍数:,低频时间常数为:,下限(3 dB)频率为:,则,对数幅频特性:,对数相频特性:,因电抗元件引起的相移为附加相移。低频段最大附加相移为+90,三、高频电压放大倍数,考虑极间电容的影响,其等效电路:,用戴维南定理简化高频等效电路:,高频时间常数:,上限(

3、-3 dB)频率为:,的对数幅频特性和相频特性:,高频段最大附加相移为-90,四、波特图,绘制波特图步骤:,1. 根据电路参数计算 、fL 和 fH ;,2. 由三段直线构成对数幅频特性;,中频段:对数幅值 = 20lg,低频段: f = fL开始减小,作斜率为 20 dB/十倍频直线;,高频段:f = fH 开始增加,作斜率为 20 dB/十倍频直线。,3. 由五段直线构成对数相频特性。,对数幅频特性:,对数相频特性:,5.4.2 单管共源放大电路的频率响应,图5.4.7 单管共源放大电路及其等效电路,在中频段 开路,C短路,中频电压放大倍数为,在高频段,C短路,考虑 的影响,上限频率为:,

4、在低频段, 开路,考虑C的影响,下限频率为:,电压放大倍数:,5.4.3 放大电路频率响应的改善和增益带宽积,为了改善放大电路低频特性,需加大耦合电容及其回路电阻,以增大回路时间常数,从而降低下限频率。在信号频率很低的场合,应考虑采用直接耦合方式。,2. 为了改善单管放大电路的高频特性,应增大上限频率。,问题: fH的提高与Ausm的增大是相互矛盾的。,3.增益带宽积,中频电压放大倍数与通频带的乘积。,Ri = Rb / rbe,假设 Rb Rs,Rb rbe; (1 + gmRc)C C,说明:,式不很严格,但从中可以看出一个大概的趋势,即选定放大三极管后,rbb 和 C的值即被确定,增益带

5、宽积就基本上确定,此时,若将放大倍数提高若干倍,则通频带也将几乎变窄同样的倍数。,如欲得到一个通频带既宽,电压放大倍数又高的放大电路,首要的问题是选用 rbb 和 C均小的高频三极管。,复习:,1.晶体管的混合 模型,2.单管共射放大电路的频率响应,表达式:,波特图的绘制: 三段直线构成幅频特性 五段直线构成相频特性,5.5 多级放大电路的频率响应,5.5.1 多级放大电路频率特性的定性分析,多级放大电路的电压放大倍数:,对数幅频特性为:,在多级放大电路中含有多个放大管,因而在高频等效电路中有多个低通电路。在阻容耦合放大电路中,如有多个耦合电容或旁路电容,则在低频等效电路中就含有多个高通电路。

6、,多级放大电路的总相位移为:,两级放大电路的波特图,幅频特性,一 级,二 级,相频特性,一 级,二 级,多级放大电路的通频带,总是比组成它的每一级的通频带窄。,5.5.2 多级放大电路的上限频率和下限频率的估算,在实际的多级放大电路中,当各放大级的时间常数相差悬殊时,可取其主要作用的那一级作为估算的依据。 即:若某级的下限频率远高于其它各级的下限频率,则可认为整个电路的下限频率就是该级的下限频率。同理若某级的上限频率远低于其它各级的上限频率,则可认为整个电路的上限频率就是该级的上限频率。,例5.5.1 已知某电路的各级均为共射放大电路,其对数幅频特性如图所示。求下限频率、上限频率和电压放大倍数。,(2)高频段只有一个拐点,斜率为-60dB/十倍频程,电路中应有三个电容,为三级放大电路。,解:(1)低频段只有一个拐点,说明影响低频特性的只有一个电容,故电路的下限频率为10Hz。,fH0.52fH1=(0.522105)Hz=104kHz,(3)电压放大倍数,

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