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1、电子线路基础,主讲：郭建才 华南师范大学教育信息技术学院,第一章 半导体器件,教学目标,本章应重点掌握以下内容： 半导体二极管的单向导电特性、伏安特性以及主要电参数。 硅稳压二极管的伏安特性、稳压原理及主要电参数。 晶体管的放大作用、输入特性曲线和输出特性曲线、主要参数、温度对参数的影响。,教学内容,1 . 1 半导体基础知识 1 . 2 PN结 1 . 3 半导体三极管,1 . 1 半导体基础知识,1 . 1 . 1 本征半导体 1 . 1 . 2 杂质半导体,1 . 1 . 1 本征半导体,根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化
2、镓GaAs等。,1 . 1 . 1 本征半导体,半导体硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。原子序号分别为14（2、8、4）和32（2、8、18、4）。,1 . 1 . 1 本征半导体,通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。 完全纯净的、结构完整的半导体晶体，称为本征半导体。,1 . 1 . 1 本征半导体,在硅和锗晶体中，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。,共价键共 用电子对,+4表示除去价电子后的原子,1 . 1 . 1 本征半导体,形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。,共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。,1 . 1 . 1
3、本征半导体,在绝对温度0K(-273)时，本征半导体中的电子受原子核的束缚，故该半导体不存在能导电的粒子，从而呈现绝缘体的性能。 绝对温度= 273 + 摄氏温度,1 . 1 . 1 本征半导体,共价键中的价电子受激发获得能量并摆脱共价键的束缚成为“自由电子”，并在原共价键的位置上形成一个“空穴”，这一过程称为本征激发。,1 . 1 . 1 本征半导体,电子和空穴均是能够自由移动的带电粒子，称为载流子。电子带负电荷，空穴带正电荷。,1 . 1 . 1 本征半导体,载流子在电场作用下的定向运动称为漂移 .本征半导体中自由电子数ni等于空穴数pi，即nipi.,1 . 1 . 1 本征半导体,产生
4、自由电子和空穴对的同时，部分电子也失去能量返回到共价键处，使自由电子和空穴对消失，此过程称为载流子的复合。,1 . 1 . 1 本征半导体,空穴在电场作用下定向移动形成电流，实际上是共价键中的价电子在作填补空穴的移动，方向与空穴移动的方向相反。,1 . 1 . 1 本征半导体,本征半导体的载流子浓度，除与半导体材料本身的性质有关以外，还与温度密切相关，而且随着温度的升高，基本上按指数规律增加。因此，本征载流子的浓度对温度十分敏感。,本征半导体特点,本征激发产生成对电子和空穴。 温度越高，电子空穴对的浓度越大。外部条件一定时，不断有本征激发产生新的电子和空穴，也不断有电子与空穴复合而消失，达到动
5、态平衡。室温下，电子、空穴对浓度较低，故电阻率大，导电性能差。,1.1.2 杂质半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。,T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.41010/cm3,某种掺杂半导体中的自由电子浓度: n= 51016/cm3,1.1.2 杂质半导体,掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。,为了尽量保持半导体的原有晶体结构，掺入的杂质主要是微量的价电子数较为接近的三价或五价元素。,1.1.2 杂质半导体,N型半导体掺入五价杂质元素（如磷）的半导体。,P型半导体掺入三价杂质元素（如硼）的半导体。,N型半导体,因五价杂质
6、原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。,N型半导体,在N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。,提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。,P型半导体,因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。,P型半导体,在P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由掺杂形成；自由电子是少数载流子， 由热激发形成。,空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。,本节中的有关概念,本征半
7、导体、杂质半导体 自由电子、空穴 N型半导体、P型半导体 多数载流子、少数载流子,1.2 PN结,1.2.1 异型半导体接触现象 1.2.2 PN结的单向导电特性 1.2.3 PN结的击穿特性 1.2.4 PN结的电容效应 1.2.5 半导体二极管 1.2.6 稳压二极管 1.2.7 二极管的应用 1.2.8 其它二极管,1.2.1 异型半导体接触现象,P型和N型半导体相接触，其交界面两侧由于载流子的浓度差，产生扩散运动，形成扩散电流,1.2.1 异型半导体接触现象,扩散时将分别留下带正、负电荷的杂质离子，形成空间电荷和自建场在该电场作用下，载流子作漂移运动，其方向与扩散方向相反，阻止扩散，平
8、衡时扩散运动与漂移运动相等。,1.2.2 PN结的单向导电特性,当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。 加正向电压时，PN结处于导通状态，其正向电流随正向电压增大而增大。,PN结正向偏置,内电场减弱，使扩散加强，扩散飘移，正向电流大,P,N,+,_,PN结反向偏置,N,P,+,_,内电场加强，使扩散停止， 有少量飘移，反向电流很小,反向饱和电流 很小，A级,1.2.2 PN结的单向导电特性,其中,IS 反向饱和电流,UT 温度的电压当量,且在常温下（T=300K）,1.2.3 PN结的击穿特性,当PN结的反向电压增加到一定数值时，
9、反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。,热击穿不可逆,1.2.4 PN结的电容效应,PN结电压变化，阻挡层厚度也发生变化，从而引起阻挡层内电荷变化。此种电容称为势垒电容CT。,1.势垒电容CT,势垒电容示意图,1.2.4 PN结的电容效应,PN结正向运用时，多数载流子在扩散过程中引起电荷积累，正向电压变化，其积累的电荷也变化，此种电容称为扩散电容CD。,2.扩散电容CD,扩散电容示意图,1.2.4 PN结的电容效应,一般情况下，PN结加正向电压时，扩散电容CD 起主要作用。 加反向电压时，势垒电容CT起主要作用。 PN结电容均随外加电压变化而变化。,1.2.5 半导体二极管,1.
10、基本结构,PN结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。,1.2.5 半导体二极管,2. 分类,二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。,(1) 点接触型二极管,点接触型,PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,1.2.5 半导体二极管,(3) 平面型二极管,往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,(2) 面接触型二极管,PN结面积大，用于低频大电流整流电路。,面接触型,半导体二极管图片,半导体二极管图片,二极管伏安特性,I,导通压降: 硅管0.7V,锗管0.2V。,反向击穿电压U(BR),反向漏电流 （很小，A级）,死区电压 硅管0.60
11、.8V,锗管0.10.3V。,二极管伏安特性,锗二极管2AP15的V-I 特性,正向特性,反向特性,反向击穿特性,二极管的主要参数,二极管的主要参数有： 最大整流电流IF 最大反向工作电压UR 反向电流IR 直流电阻RD 交流电阻rd 最高工作频率fM,1.2.6 稳压二极管,1. 稳压特性,(a)符号,(b) 伏安特性,IZ很大，VZ很小。,1.2.6 稳压二极管,(1) 稳定电压VZ,(2) 动态电阻rZ,在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。,rZ =VZ /IZ,(3) 最大耗散功率 PZM VZIZ,(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmi
12、n,(5) 稳定电压温度系数VZ,2. 稳压二极管主要参数,1.2.7 二极管的应用,ui,uo,t,t,二极管半波整流,1.2.7 二极管的应用,1.2.8 其它二极管,1.2.8 其它二极管,1.3 半导体三极管,1.3.1 三极管的结构及类型 1.3.2 三极管的三种连接方式 1.3.3 三极管的放大作用 1.3.4 三极管的特性曲线 1.3.5 三极管的主要参数 1.3.6 温度对三极管参数的影响,1.3.1 三极管的结构及类型,三极管是组成各种电子线路的核心器件,两个PN结：发射结和集电结 三个区域：发射区、基区、集电区 三个极：发射极、基极、集电极,图129 三极管的结构示意图和符
13、号,1.3.2 三极管的三种连接方式,1.3.3 三极管的放大作用,为实现放大，三极管应满足下列条件 (1) 发射区重掺杂， (2) 基区很薄； (3) 集电结面积大， (4) 发射结正向偏置，集电结反向偏置,三极管的结构特点,基区：较薄，掺杂浓度低,集电区：面积较大,发射区：掺 杂浓度较高,三极管的电流放大原理,1,进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB ,多数扩散到集电结。,发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。,EB,RB,Ec,从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集，形成IC。,2,三极管的电流放大原理,三极管的电流放大原理,实现这一传输过程的两个条件
14、是： （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。,综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的 发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现 的。,静态电流放大倍数,静态电流放大倍数，动态电流放大倍数,动态电流放大倍数,IB ： IB + IB,电流分配关系： IE=IB+ IC IC=IB,ICBO为c结少数载流子形成的反向饱和电流； ICEO为IBo时，c、e橙之间的穿透电流； 为共基极电流放大系数； 为共发射极电流放大系数。,1.3.4 三极管的特性曲线,输入特性曲线的三个部分, 死区, 非线性区, 线性区,1. 输
15、入特性曲线,2、输出特性,IC(mA ),放大区：当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关IC=IB , 且 IC = IB 。发射结正向偏置，集电结反向偏置 。,截止区: IB=0 , IC=ICEO , UBE 死区电压。两个结均反向偏置 。,饱和区：UCEUBE,集电结正偏，IBIC，UCE0.3V。两个结均处于正向偏置。,1.3.5 三极管的主要参数,(1) 电流放大系数或，主要表征管于的放大能力。一般二者关系为： =/（1+） =/（1-）,1.3.5 三极管的主要参数,(2) 极间反向电流： ICBO 集电极一基极反向饱和电流。 ICEO 穿透电流，与ICBO的关系为 ICEO =（1+）ICBO 它们是由少数载流子形成的，与温度有关。,1.3.5 三极管的主要参数,(3) 极限参数： ICM 集电极最大允许电流。 PCM 集电极最大允许功率损耗。 BUCBO 、BUCEO 、BUEBO 三极管的击穿电压。 ICM 、PCM 、BUCEO共同确定三极管的安全工作区。,1.3.6 温度对三极管参数的影响,T(温度) 、 ICBO、 ICEO、 |UBE| IC,