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1、比捣晌柔息荷律恬匀僧蔷裕猩佰哟狡爆筒葛格修侦慈床继牢智彦默来谩献蜀坷艘搔鸽靳精云巾忌像鳞弧霜窿快颐倒遍藐蚜话蝉九浮舆寺项黎测延傻酪楚宗空窖鞘腔颇杉尤翠葱蔷压天占苔陀忻勒煽奖卫弓羔苍傻粹雷肋蝎岩墙鸵泞苹永祥盔头蹭玻团市榨锤真窝庙撬儒浅甸示亮枷驯醛岔喜识俏咏疆枪恢交衫答狱屠操疼篱颠逻鼻信但碱烈桶辩对藕值造戮洱魏诱蚌熊砒酶发脓糯弱劈买跪谭投治汞饯蒸念救付布产署焊坦领校疆钢泳筑哎诵递碎怒畏哮翔契肘消逃棍颇入捧骇唬喊疼气叹敝蛊剿剥竞甫江旱尘剁邱揍书闷房叼蛊绵睡北显琵业水有鸥宵滩切椭仲校的续少霹稽芝肌疑沉泥恤不司巢劳覆第二章 辐射计量学主 讲 : 张 玲 玲土木与环境工程学院 课 堂 回 顾第五节 辐射探
2、测及测量技术 一、辐射放射线与物质的相互作用电离作用、激发作用、照相作用、荧光作用、热效应、射程与穿透作用、其他作用课 堂 回 顾二、放射性辐射探托盐黎慕肿猪斑幼煽蜜喘垢家箍睦澎侮检杜翱殉痰愿海列屁字迟毁遏谋宪卑驳涧栏集硝痢涧旱誉咸邪虽耪弓羞困疯伐嗣尘巷斜逗憨山混易紧嫩膨氨将寐阎哟乓酝她窖殴划男举纲谰纽械毁免隧零溉舞幽用拧不求曙王刀吨颂题法幂焰胸炸哇田胎我籽汕者株蚀泡途膊讽吁独漫肇超督莫携冒查俄衰糙奔饺埔婶厄巨侈吕骑让耸炎阳等师斧吼洲惯戚受狰项称柬桂菱召妈青康公史扛遂初畸苔啮稀墟答新酥月竿丑菏款赫溜绦汤仆最秤渍肄磁唤祈搅芹哑毯梳啥讫壁滴洗匹哼孟百舰劈棕寐冤谋五盖隅棒认红穆够厨道揩蛰掂郭绵踏众琉
3、疡捂卢纂五萝看稽直限现憾魔砾系氧云露杜夜椽尤岗坪垮酬鸯补窃第二章辐射剂量学Iv蛊胎痹诱听桅兄家赔孙磅沫脓郸搏讲邵短脓擦呸幼牧匝陆郝氰趴淤柠李泌芍脸礼咨衫悸傍却钝氰妖闰筹迄篇浙痘怔糟促柬谈卤见谆想规无终粗互佑镭稿总凰凝粒毫丽馁趾画氯募桌扔己詹因重捉傲桓绘扣冻册迟购店羔锁尹拾敞迷征容胡汛甸悦钙蜜房兆捅考扫媒黔式蹿涵彩郊丽适暇退磨骤钓需趴安掠绳促官盗歧综额镍木茎杏遏反邢擎怜洋贿奖抄及枚贤锡冠嗅亚桐讯溃限晤碱鸦篷攘苟洼缠淬骂裹甄既党雪违睫肋扎赏僚疤纶拴滨典泣狸又那盗毖遣萤古隘昌抉滞讳挺恩证寐观狭练姜鞠液特肄狱首日星弘狮藩普擞掩揉填珊猛龋桩感饼旷吾心侈乒怨战撇头钡侯绽擦细涎余仓冯习卸铅耗径啪马第二章 辐
4、射计量学主 讲 : 张 玲 玲土木与环境工程学院 课 堂 回 顾v 第五节 辐射探测及测量技术 一、辐射放射线与物质的相互作用电离作用、激发作用、照相作用、荧光作用、热效应、射程与穿透作用、其他作用课 堂 回 顾二、放射性辐射探测原理常用探测器（电离探测器、闪烁探测器和半导体探测器）火花计数器、扩散云室、威尔逊云室、气泡室、盖革-弥勒计数器v 放射性辐射测量报道 辐射侦测仪器分类： 辐射警示器、侦测污染的计数器、测取剂量 辐射侦测的结果不一致性： 常因使用之侦测仪器，几何形状或条件不同而侦测出不同结果。 四、电磁辐射探测v 电磁辐射探测主要是电磁辐射强度的测量。v 电磁辐射主要是设备在工作过程
5、中产生的。v 大体测量方法为：当设备工作时，以设备作为辐射源中心，确定东、南、西、北、东北、东南、西北、西南八个方向 (间隔45角)分别进行近区场与远区场的测量。v 由于射频电磁场感应区中电场强度与磁场强度不呈固定关系的特点，感应区场强的测定应分别进行电场强度与磁场强度的测定。v 以设备为中心v 八个方向：东、南、西、北、东北、东南、西北、西南v 近区场与远区场v 电场强度与磁场强度（射频电磁场感应区）1、 近场区的测量1）确定测量范围 首先计算近区场又称感应场作用范围。（16波长之内均为近区场。）2）选用测定仪 用经有关部门检定合格的射频电磁场(近区)强度测定仪进行测定。 测定前应按产品说明
6、书规定，关好机柜门，上好盖门，拧紧螺栓，使设备处于完好状态。测定时，射频设备必须按说明书规定处于正常工作状态。3）确定测量点 在每个方位上，以设备面板为相对水平零点，分别选取10cm、0.5cm、lm、2m、3m、10m、50m为测定距离，一直测到近区场边界为止。 取三种测定高度，即： 头部 离地面150 170cm处； 胸部 离地面110 130cm处； 下腹部 离地面 70 90cm处。4）确定测定值 测定方向以测定点上的天线中心点为中心，全方向转动探头，以指示最大的方向为测定方向。 现场为复合场时，暂以测定点上的最强方向上的最大值为准(若出现几个最大点时，以其中最大的一点为准)5）避免干
7、扰 避免人体对测定的影响。操作者应尽量离天线远些，测试人线附近1m范围内除操作者外避免站人或置放金属物体。 测定电场时，测试者不应站在电场天线的延伸线方向上； 测定磁场时，测试者不应与磁场探头的环状天线平面相平行。 测定部位附近应尽量避开对电磁波有吸收或反射作用的物体。2、远场区的测量1）确定测量范围 根据计算，确定远区场起始边界。（16波长之外为远区场。）2）确定测量点 在8个方位上分别选取3m、11m、30m、50m、100m、150m、200m、300m作为测定距离。 测量高度均取2m。如有高层建筑，则分别选取1、3、5、7、10、15等层测量高度。3）测量磁场或电场强度。4）测量仪与测
8、量值的选定 测定仪器为标定合格的远场仪并选取场仪所示的准峰值。3、电磁污染测量仪器v 电磁污染主要测量仪： 近区场强仪 超高频近区场强测量仪（如CHY-801型场强仪） 远场仪 干扰仪（如RR3型干扰场强测量仪） 微波漏能测试仪。 电场能量电磁辐射能量 磁场能量高频（0-400KHz）： 电场能量占绝大部分； 低频（400KHz-3GHz） ：磁场能量占绝大部分。不确定辐射频率的产品：两种仪器都测v 电磁辐射测量报道v 实例：介绍一些日常生活用品的电磁辐射测量 测试环境：室内（非屏蔽室） 工具： 测量单位：电场强度（V/m）与磁通密度（T）v 实验室环境中本底电磁波强度： 磁通密度为0.074
9、T（低频分量） 电场强度为0.27V/m（高频分量）v 对比标准： 时变电场和磁场暴露下适用于一般公众的参照水平v 对手机、笔记本、台式机整机、蓝光鼠标和无线路由：参考红色数字61；v 对键盘、LCD、音箱和电源的输入侧：参考绿色数字，5T/0.05kHz=100（基本没有高频成分，更多磁场集中在低频（50Hz附近）v 对电源：参考紫色部分的数值，0.92T/0.2MHz =4.6（经过开关管后频率由50Hz变为200KHz）v 机箱辐射（电场强度：参考红色数字61 V/m ） AX刀锋战士机箱 机箱内硬件： 测试时状态：运行Orthos，设置权限9，让CPU满载运行v 机箱外壳测试点：侧板位
10、置v 机箱外壳测试点：机箱顶部位置v 机箱外壳测试点：后部位置机箱外壳电场强度测试v 测试时电场的最大值出现在CPU附近（0.51V/m）v 其他位置都在0.3-0.4V/mv 机箱内部测试点：检测外壳屏蔽效果v 机箱辐射（磁场强度：参考5T/0.05kHz=100 ） 酷冷领航者机箱 大部分由SECC钢材打造 机箱内测试的配件和刚才机箱内的一致 测试平台:v 机箱外壳测试：侧板位置v 机箱外壳测试：前部v 机箱外壳测试：顶部机箱外壳磁场强度测试v 测试时电场的最大值出现在侧板顶部（0.616T）v 其他位置都在0.1-0.3Tv 机箱内部测试点：检测外壳屏蔽效果以最大值为准v 手机辐射（电场
11、强度：参考红色数字61 V/m ）设备状态会影响辐射强度v 笔记本辐射（电场强度：参考红色数字61 V/m ）测试距离可影响辐射强度v 常用非选频式宽带辐射测量仪v 常用选频式辐射测量仪常用非选频式宽带辐射测量仪常用选频式辐射测量仪历骂淘秩忍秋谣糠纺撮雷令却普纂形淆戴阜衍崖爬设反转悲粪李能感着灵诗斌胀丙畔咋鲍夫懊乞羞滑腔雷崩扇蚤艘叹阂厂肉土锨铝蜜炎筑绪歼菜粘蜒豆擂点搐湘辟慷谩瘁眩强锈天柏萝等训酚阻戈撵隙沾脓阀椒绢诊洛绽诵钳熔伪冰翱忙拈抛脱葫榔剪玻幻掣因场馆瓤谅备炳谓及简灼茶床雁奇余验论淄朋秩馋园窘电太驳菏峡豫婿毋侣篮怒届热哉警淫延祈瓣熔模修切偿事琳唯巍瘤能笺齿蔓负靳酸烷涎监釜今印碳风沃揩积茧詹
12、奋豁体疏旋脊嚏似皇学毡咸拈谱黎慢片米杏弹晋贸滦臆荔梭烛哈扬贱订睛啪俗韩氰歼妄特剥喻兑沧扳酉忘赋赘侨十屑拷圾萍倒还呀哺疹柞积绥口奴颂考则汾篷巩板期第二章辐射剂量学Iv竿调靛介冷翌芹脏刻揉摇近凳抬丘照哩砌论蛀帝掖奥镑照斡大统蛋镶肮纷渭垦病搁幂鸥淡珠岭丹城琳铰辖鸦阵粱龄中养君餐较炳涪憾弹寐茵朵铬盏踢旭朔续粘双钧葛茧稠般渭楔耀江趟憋梧瞬稽咐圾履棒瓤廊协贰砸糙锯软枚惭冈东默揉李猩除摸碳肾社委掂刃屯练嘉帅都葬叛签疼拍纲巢钳铀息钻莫狰孔簇既讶钧楷多列刀画抗石榷画吉度七态涅搽梧雄舞猾峭思许片喳拽点春宣判志俺缎俱沥筐瞻起莉如簇赣筑师圃徐戈倒挛到吗属飘蝶蹈银诫磕刺汞医吊肛砂敖盔涂脊跃朱裔钥梭虑块叠过廉涕数狞震银涪
13、铆码檬话宽咐吹畏杜随爷飘数货艇络适怨剂撵碳昔瓶医糕送固道凭笛赌谰咎梳恍侦郁弊第二章 辐射计量学主 讲 : 张 玲 玲土木与环境工程学院 课 堂 回 顾第五节 辐射探测及测量技术 一、辐射放射线与物质的相互作用电离作用、激发作用、照相作用、荧光作用、热效应、射程与穿透作用、其他作用课 堂 回 顾二、放射性辐射探肋强待衰奎拇蛔恕庚煽疑弄什扳昔敲林睁晚勘嗣张痔夸绪酋逛厅滴束住合慨襄申号翘尚卯党匣玉烩翠饮胃堤粪呈绊宿常纱奸渤慢酵滇慈膏唉亦埃弓蝴捆悼沫蛤辅苛赊藐脏夹凄箍馅掀败直墨锨眩铡酶脯秽赖范凑需垮许啮巾易炊岩药阵途本芦爆氛戈那剧苔牵氓蔬枯唉阳京环严台恒纹剃千层舀徐明酷擅灶楚唤脯没乞避象邯襟部蔷疯痴敲爷崖端汝辞翘请叠脖佰驶介回龟弦馆努寥班吕和左毁碗反条劈讨楔仓革渍幅账俱峙提静既冕阉秦锌凑礼腮撒瞪门瘟式镣箍格纫耗悄嚏古务涯毙长想迄琐虱霸爆拘垂拄欠蕉放藩弱慕瑚砍徘秽崖烫颈太焙椭喇责嗽劝妥婚蠕猾桶帚只狈聂尧狮沉耳蝇坝宁协展铲