《非隔离有源LED恒流驱动芯片茂捷M8915兼容华晶CS9210.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《非隔离有源LED恒流驱动芯片茂捷M8915兼容华晶CS9210.doc（7页珍藏版）》请在三一文库上搜索。
1、概述： M8915是一款带有源功率因数校正的高精度非隔离降压型LED恒流控制芯片。 M8915集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临界连续模式，功率MOS管处于零电流开通状态，开关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。M8915内部集成500V功率MOSFET,只需要 很少的外围器件，即可实现优异的恒流特性。M8915采用专利的浮地 构架，对电感电流进行全周期采 样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优异的线电压调整率和负载调整率。M8915具有 过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电流，以提高系统的可靠性。特点：内置有源功率因数校正电感电流临
2、界连续模式高性能的线电压调整率和负载调整率3%输出电流精度内置500V功率MOSFET启动电流高达95%的系统效率多重保护功能 LED开路/短路保护 电流采样电阻开路保护 逐周期原边电流限流 芯片供电过压/欠压保护 自动重启功能 过热调节功能采用SOP-8封装应用：GU10/E27 LED球泡灯、射灯LED PAR灯LED日光灯典型应用：图1 M8915典型应用图管脚排列图:图2 M8915管脚排列图管脚描述：管脚名称管脚号管脚描述COMP1环路补偿点GND2芯片信号和功率地VDD3芯片供电INV4反馈信号采样端DRAIN5,6内部高压MOSFET的漏极SEN7,8电流采样端，接采样电阻到地极
3、限参数：符号名称参数范围单位VDS内部高压MOSFET漏极到源极的峰值电压-0.3500VIDD_MAXVDD引脚最大钳位电流10mACOMP环路补偿点-0.36VINV辅助绕组的反馈端-0.36VSEN电流采样端-0.36VPDMAX功耗(注2)0.45WJAPN结到环境的热阻145/WTJ工作结温范围-40 to 150TSTG储存温度范围-55 to 150ESD (注3)2KV电气参数：Tc=25符号参数描述条件最小值典型值最大值单位电源电压VDD_ONVDD启动电压VDD上升18.5VVDD_UVLOVDD欠压保护阈值VDD下降7VVDD_CLAMPVDD钳位电压24.5VIDD_U
4、VLOVDD关断电流VDD上升VDD=VDD_ON-1V320uAIDDVDD工作电流750uAINV反馈VINV_OVPINV过压保护阈值1.6VTON_MAX最大导通时间20uSTOFF_MIN最小关断时间3uSTOFF_MAX最大关断时间100uS电流采样VSEN_LIMITSEN峰值电压限制1.0VTLEB_SEN电路采样前沿消隐时间350nsTDELAY芯片关断延迟200ns环路补偿VREF内部基准电压0.1940.2000.206VVcomp_LOCOMP下钳位电压1.5VVCOMPCOMP线性工作范围1.53.5VVCOMP_OVPCOMP保护电压3.8V功率MOSFETRDS_
5、ON功率MOSFET导通电阻VGS=10V/IDS=0.5A5.5BVDSS功率MOSFET击穿电压VGS=0V/IDS=250uA500VIDSS功率MOSFET漏电流VGS=0V/VDS=500V1uA过热调节TREG过热调节温度150注4：典型参数值为25C下测得的参数标准。注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。芯片内部结构框图：图3 M8915 内部框图应用信息M8915是一款非隔离式、有源功率因数校正LED恒流控制芯片，工作在电感电流临界连续模式，芯片可以实现很高的功率因数和高效率。 启动系统上电后，经过整流后的电压通过启动电阻给VDD引脚的电
6、容充电，当VDD电压上升到启动阈值电压后，芯片内部控制电路开始工作，COMP电压被上拉到1.7V，M8915开始输出脉冲信号， COMP电压从1.7V开始逐渐上升，原边峰值电流随之上升，从而实现输出LED电流的软启动，有效防止输出电流过冲。当输出电压建立之后，VDD通过二极管供电，从而降低系统功耗。反馈网络M8915通过INV来检测输出电流过零的状态。INV引脚也可以用来探测输出过压保护（OVP），阈值为1.6V。INV的上下分压电阻比例可以设置为：其中，RINVL：反馈网络的下分压电阻RINVH：反馈网络的上分压电阻VOVP_INV：输出电压过压保护设定点推荐INV下分压电阻可以设置在5K-
7、10 K左右。恒流控制，输出电流设置M8915输出电流计算方法：VREF：内部基准电压RSEN：电流采样电阻的值保护功能M8915内置多重保护功能，保障了系统可靠性。 LED开路时，输出电压逐渐上升，INV引脚在功率管关断时检测到输出电压，当INV电压升高到OVP阈值时，触发保护逻辑并停止开关工作。当LED短路时，系统工作在10kHz低频。由于输出电压很低，无法通过二极管给VDD供电，所以VDD电压逐渐下降直到欠压保护阈值。系统进入保护状态后，VDD电压开始下降，当VDD到达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不断的检测系统状态，当故障解除，系统会重新开始工作。当输出短路或者电感饱和时，SEN
8、峰值电压将会比较高。当SEN电压上升到内部限制值（1V）时，该开关周期马上停止。此逐周期限流功能可以保护功率MOS管、功率电感器和输出续流二极管。过温调节功能M8915具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为150。PCB设计注意事项旁路电容VDD的旁路电容需要紧靠芯片VDD和GND引脚。地线电流采样电阻的功率地线尽可能粗，且要离芯片的地(Pin2)尽量近，以保证电流采样的准确性，否则可能会影响输出电流的调整率。另外，信号地需要单独连接到芯片的地引脚。功率环路的面积减小大电流环路的面积，如功率电感、功率管及输入电容的环路面积，以及功率电感、续流二极管、输出电容的环路面积，以减小EMI辐射。INV 引脚接到INV的分压电阻必须靠近INV引脚，且节点要远离功率电感的动点（DRAIN引脚走线），否则系统噪声容易误触发INV OVP保护功能。DRAIN引脚 适当增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。 SOP8封装外形尺寸图丝印描述 型号封装描述M8915DRSOP82500PCS/盘，盘装