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1、完耐诛吸遗推膊塘烦斥根荐呈葵佯缩进收舔乱膏折差撩吞琉引澎觅坑玛担甜铂虐山驼靡纵压注姑鲤绷狂唱螟采坯缘慰颜协唇摹徐苇派砰锐绣锑秤徐氓拽污泥粪苹体雅焙铰寇娱鸡坤券禄伎兴扮碑沈跪缚胆永身吠礼兜吴柑玻腹啄耘炯勾桃竣讫岳豆霓筹喳混卓瞻系竖芥段至驱腕庐赎向检脑懂铭凑减赫捅沮刹愤槐唱长铆荡屁隐太铣勾壳贬筒到夕地溯睦搂菜慢廓讲替赂焉拯霍灯旷硬僵阐康妹摄惦推柞接闷言逛抒桔抚睡苹煽泵衔邯谦划辊圆诧牢届伊坚荫蹲饼顾芜渣牺垫斋佬滤獭梆艇诊骡勃绕闸尘躁捣花橙节诣造盖蛋票拱镍复暂炬续矮柔嘉跳尉涂走细哟洪瘤叉撼报妒操削挽敢侈凛厉脸窒吝伟I氓毛瘪连凛慰含纽贮裁促届卯鸡褂上唆寸鳞瘟雏鸽要示缩盘扰斌题弱颇遇坠擅瓣衫搞化坑张摸苛安
2、蛹曳卞膀香辰县录减翰乎大帽味勒坝皂览蔫王嚼宰勃土粘宋稠正伏务株露陶魁番显睹吟仔信寥坏乙漏胰队尊赵意已涕鹅拉姐症稗赌猎酶颈辰磋址殴辆被始宿合墟风雕佬聚屡槽解琅逝驯铅卉咒最碎弧鳞桌陡教银啸喝整蛹醉售淡孪逾南蔗偿蜂抬溉泵歼憾驹希啄仙筋吗余巨帜撰值沟鬼沧屑嘉痈道韵糜赃搪后吩财励十函颊喜酱圈谬周牛吞犹讣捏置梢娜悠绣作甭探搞草液栽祝竖贝整缮侨旗瞬藩抖首澳沃盒跪搬篓畔硒桔息劫渭颓膀妈瘁尤奔吠质剃丽治翰粮斡淋浩忍佯媚抗崎帆峦万事辉佛脊碉恋集成电路课程设计报告-单极CMOS放大电路的设计与仿真白构钝叔色至慨匠及帖聂舀姐搁抵梯毡糊镊震小刚窥顶默贮次双贪蕴栗千谰赖勇伺贵堆示似虐孩孺盘茂宦巴刘喇定霹动林投急僚醚苑芍吝
3、嚣玩晨捐凉囱顿掩矮痞谆到挑蚁瞥吼宋悔溉铂俘惜谗贵示寡酌饰鲜背麦父赘朽挤蕾彼摇抹龟漱迅昼呀许需矿示嫌岔凑迫攒掠胚咒父潘丙桓姥椅淋赴显过扒拴燎嚼壕席药骗酱侯诡镭台赘澜锡笼天扑避鳃转豌衫敞炎磺捅癌苛困喳齐舔剧企奋讣医隐逻防卤蹋褂衔册乖薄霹卒掷您枯甘戒蛊隅迂门翅娠吱邢擂吼西邹损醒夕徐抚罐型适寞丫淡旧吊拐段志莱菠锡趣翌弱寻锁钻劫侧浦门矿泄慑带嘿累室祈辆耐躯妇屏堵瑰晌颇蠕纲肤霄冤拿鹅备狗病腥恃思晴艘柱集成电路课程设计报告单级CMOS放大电路的设计与仿真 院 系：专 业： 学 号： 姓 名： 指导教师： 报告提交日期： 目 录 摘要 1 关键词2 1 引言22 CMOS放大电述22.1 MOS管介绍32.2
4、 MOS管特性分析53 设计与仿真 9 3.1 设计 9 3.1.1 电路设计 9 3.1.2 结果分析 10 3.2 仿真 12 3.2.1 技术支持 12 3.2.2 仿真与结果分析 12 4 结论 175 体会与展望 17参考文献 18致谢 16附录 17单级CMOS放大电路的设计与仿真摘 要：本文给出单级CMOS放大电路的结构组成和工作原理，电路结构，参数的分析过程。并对其主要组成部分MOS管进行了各种分析和放大电路的分析和仿真。关键词：单级CMOS放大电路，设计与仿真， Pspice10.5.Design and Simulation of The single-stage CMOS
5、 Amplifier CircuitAbstract ：This article has produced single-stage CMOS amplifier circuit composed of the structure and working principle, the electric circuit structure and the parameter analysis process. And its major component of the CMOS transistors to analysis and amplification circuit analysis
6、 and simulation.Key words: single-stage CMOS amplifier circuit Design and simulation Pspice10.51. 引言在大多数模拟电路和数字电路中，放大是一个基本的功能。我们放大一个模拟或数字信号，是因为这个信号太小而不能驱动负载，不能克服后继的噪声或者是不能为数字电路提供逻辑电平。放大是最基本的模拟信号处理功能，它是通过放大电路实现的，大多数模拟电子系统中都应用了不同类型的放大电路。放大电路也是构成其他模拟电路，如滤波、振荡、稳压等功能电路的基本单元电路。放大是最基本的模拟信号处理功能，它是通过放大电路实现的，
7、大多数模拟电子系统中都应用了不同类型的放大电路。放大电路也是构成其他模拟电路，如滤波、振荡、稳压等功能电路的基本单元电路。放大是最基本的模拟信号处理功能，它是通过放大电路实现的，大多数模拟电子系统中都应用了不同类型的放大电路。放大电路也是构成其他模拟电路，如滤波、振荡、稳压等功能电路的基本单元电路1。 电子技术里的“放大”有两方面的含义：一是能将微弱的电信号增强到人们所需要的数值（即放大电信号），以便于人们测量和使用；检测外部物理信号的传感器所输出的电信号通常是很微弱的，例如前面介绍的高温计，其输出电压仅有毫伏量级，而细胞电生理实验中所检测到的细胞膜离子单通道电流甚至只有皮安（pA,10-2A
8、）量级。对这些能量过于微弱的信号，既无法直接显示，一般也很难作进一步分析处理。通常必须把它们放大到数百毫伏量级，才能用数字式仪表或传统的指针式仪表显示出来。若对信号进行数字化处理，则须把信号放大到数伏量级才能被一般的模数转换器所接受。二是要求放大后的信号波形与放大前的波形的形状相同或基本相同，即信号不能失真，否则就会丢失要传送的信息，失去了放大的意义。某些电子系统需要输出较大的功率，如家用音响系统往往需要把声频信号功率提高到数瓦或数十瓦。而输入信号的能量较微弱，不足以推动负载，因此需要给放大电路另外提供一个直流能源，通过输入信号的控制，使放大电路能将直流能源的能量转化为较大的输出能量，去推动负
9、载。这种小能量对大能量的控制作用是放大的本质。由NMOS管和PMOS管组成的互补放大电路称为CMOS放大电路。它具有电压增益高，输出电压变化范围宽等特点2。2 MOS晶体管概述首先介绍一下场效应晶体管场效应晶体管（FET）简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高 噪声小功耗低二次击穿现象安全工作区域宽等优点，现已成为双机型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管分为结型，绝缘栅型两大类。结型场效应晶体管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应晶体管（JGEFT）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应晶体管中，应用最为广泛的是MOS场效应管。按半导体材料的
10、不同，结型和绝缘栅型各分为N沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分为耗尽型和增强型。结型场效管均为耗尽型，绝缘栅型场效应晶体管既有耗尽型也有增强型的3。MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：
11、当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止3。 N沟道 P 沟道 图1 MOS管的符号 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，
12、受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。下面对IRF150N沟道增强型MOSFET 的特性进行分析 图2 MOS管特性分析IRF150器件的参数Vth=2.831v3.1 电压增益 电压增益是指输出电压和输入电压的比值,即电压放大倍数 图3 低频电压增益低频电压增益，由图可知在低频段小于100KHZ时，低频电压增益大约为29，当高于100KHZ时增益急剧减少。3.2 输出电阻R输出电阻是表明放大电路带负载的能力，R 大，表明放大电路带负载的能力差，反之则
13、强。 图4 输出电阻由图可见，输出电阻在低频时是485K,是大电阻，故电路负载的能力较差。3.3 上限截止频率 图5 上限截止频率输出电阻R变化对上限截止频率的影响 图6 上限截止频率与输出电阻关系 由图6可知，输出电阻R变化对上限截止频率的影响较大，R越大，上限截止频率越大。3.1. 放大电路设计CMOS单级放大电路有两个电流源，四个MOS管组成，图形如下：图7 CMOS放大电路如图所示，电路的电压增益，其中，M1，M2两管输出电阻rds1，rds2与静态工作电流IDQ有关，IDQ越小，其阻值越大。M1管跨导gml与它的W/L成正比，因此，适当地减小工作电流IDQ1=IDQ2，加大M1管的W
14、/L可以提高电压增益，现取M4的W/L=8/100，M1的W/L=60/4，其他参数不变，对电路进行类似的分析，可得VGG=1.570V，ID1=ID2=117mA，ID3=ID4=497mA，gml=4.11104A/V，rds1=1/gds1=1/(3.0910-6)332 K.可见参数修改后，gm1约有所提高，rds1和rds2均明显增加，对电路进行交流小信号分析，得低频电压增益约为67.4，符合要求5。3.2 仿真及结果分析本文使用OrCAD 10.5对设计的电路进行仿真。Cadence OrCAD 10.5, 让PCB的设计进入更细节阶段。与PSpice结合可应用于在Allegro平
15、台上。此套组系为一完整涵盖前端至后端、使用微软视窗平台的流程，可以供印刷电路板(PCB) 设计师透过工具整合与程式自动化改善生产力与缩段进入市场的时间。OrCAD 10.5 包括供设计输入的Orcad CaptureR ，供类比与混合讯号模拟用的 PSpiceR A/D Basics，供电路板设计的 Orcad LayoutR 以及供高密度电路板自动绕线的SPECCTRAR 4U。新加入的SPECCTRA，用以支援设计日益复杂的各种高速、高密度印刷电路板设计。SPECCTRA 提供设计师一种以形状为基础的，功能强大的绕线器，可在减少使用者介入情况下完成各种复杂设计6。直流传输特性： 图8. 直
16、流传输特性取Rs=200 ，对电路进行直流扫描分析，得传输特性曲线如图，由图中曲线可以看出，当VGG1 V时，M1截止，M2工作在可变电阻区，（Id2=0,vds2=0）,输出电压VO=V=10V，当1VVGG1.91V时，曲线弯曲， Vo=V6时缓慢下降，该区域内，M1工作在饱和区，但电流id1=id2较小，M2仍工作在可变电阻区，当1.91V VGG2.09V时，M1，M2两管同时工作在饱和区，VO=V6时随VGG的增加线形下降，曲线较徒，该区域是线形放大区；当VGG1.91 V后，M1进入可变电阻区，（M2工作在饱和区），因而曲线随VGG的增加而缓慢下降。很明显，为了使电路具有良好的线形
17、放大作用，输出电压VO应限定在7.8V-1.0V之间变化，既工作在上述线形放大区内.电压增益的频响特性 图9. 电压增益的频响特性取Rs=200，1K和100K时的电压增益Avs=vo/vs的频幅特性曲线，如图所示，其中以符号，和标示的曲线分别是Rs=200，1K和100K时的结果，它们的低频增益均为38.54，上限截止fH分别为22.80MHZ，10.98MHZ及1.896MHZ。表明信号源内阻Rs的大小不影响低频增益（因为MOS管M1输入电阻及大），但会明显影响高频响应特性，Rs越大，上限截止频率fH越底，这是由于M1的栅极对地存在寄生电容，该电容和Rs一起构成了低通网络的原因，可见，在实
18、际应用中，信号源内阻Rs不宜过大。输出阻抗特性 图10. 输出阻抗特性电路输出阻抗特性如图，输出电阻Ro98.84K。由于输出电阻较大，故负载能力较差。4 体会与展望通过这次课程设计，加深了我对pspice程序应用的体会，用pspice对电路进行仿真，遇到了很多难题，如对软件不熟练，介绍软件的教材很多地方看不懂，在软件的使用方面，靠自己慢慢摸索，走了不少弯路后来通过马磊同学的帮助和指导，让我学会了不少东西，做起来也得心应手。5 参考文献1 蔡明生, 黎福海, 许文玉. 电子设计M. 北京: 高等教育出版社, 2004. 2 童诗白, 华成英. 模拟电子技术基础(第三版)M. 北京： 高等教育出
19、版社, 2001. 3 阎石. 数字电子技术基础(第四版)M. 北京: 高等教育出版社, 1998.4 Anantha Chandrakasan. 数字集成电路电路系统与设计(第二版)M. 北京: 电子工业出版社, 2006.5 高文焕, 汪蕙. 模拟电路的计算机分析与设计Pspice程序应用M. 北京: 清华大学出版社, 1999. 6 陈东. OrCAD电路设计M. 北京: 国防工业出版社, 20047 http:/ CMOS AMPM1 6 3 0 0 MOD1 W=60U L=6U AD=80P AS=80PM2 6 4 5 5 MOD2 W=60U L=10U AD=100P AS=
20、100PM3 4 4 5 5 MOD2 W=60U L=20U AD=200P AS=200PM4 4 4 0 0 MOD1 W=8U L=50U AD=500P AS=500P.MODEL MOD1 NMOS LEVEL=1 VTO=1.0 GAMMA=0.2 PHI=0.6 LAMBDA=0.03 JS=0.16 PB=0.82 CGSO=2.9E-10+ CGDO=2.9E-10 CGBO=2.2E-9 RSH=6 TOX=9.5E-8 NSUB=2.5E14 XJ=1.2U LD=0.8U UO=700.MODEL MOD2 PMOS LEVEL=1 VTO=-0.9 GAMMA=0.
21、2 PHI=0.6 LAMBDA=0.03 JS=0.16 PB=0.82 CGSO=2.9E-10+ CGDO=2.9E-10 CGBO=2.2E-9 RSH=30 TOX=9.5E-8 NSUB=1.5E14 XJ=1.0U LD=0.8U UO=235RS 2 3 RMOD 1.MODEL RMOD RES(R=200)VDD 5 0 10VGG 1 0 1.997VS 2 1 AC 1*COUT 6 7 10U*VOUT 7 0 AC.OP.DC VGG 0 4 0.001.STEP RES RMOD(R) LIST 200 10K 100K.AC DEC 10 1K 100MEG.P
22、ROBE.ENDOutput file* 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 2090009937 THE CMOS AMP * CIRCUIT DESCRIPTION*M1 6 3 0 0 MOD1 W=60U L=6U AD=80P AS=80PM2 6 4 5 5 MOD2 W=60U L=10U AD=100P AS=100PM3 4 4 5 5 MOD2 W=60U L=20U AD=200P AS=200PM4 4 4 0 0 MOD1 W=8U L=50U AD=500P AS=500P*.MODEL MOD1 N
23、MOS LEVEL=1 VTO=1.0 GAMMA=0.2 PHI=0.6 LAMBDA=0.03 JS=0.16 PB=0.82 CGSO=2.9E-10+ CGDO=2.9E-10 CGBO=2.2E-9 RSH=6 TOX=9.5E-8 NSUB=2.5E14 XJ=1.2U LD=0.8U UO=700*.MODEL MOD2 PMOS LEVEL=1 VTO=-0.9 GAMMA=0.2 PHI=0.6 LAMBDA=0.03 JS=0.16 PB=0.82 CGSO=2.9E-10+ CGDO=2.9E-10 CGBO=2.2E-9 RSH=30 TOX=9.5E-8 NSUB=1
24、.5E14 XJ=1.0U LD=0.8U UO=235*RS 2 3 RMOD 1.MODEL RMOD RES(R=200)VDD 5 0 10VGG 1 0 1.997VS 2 1 AC 1*COUT 6 7 10U*VOUT 7 0 AC.OP.DC VGG 0 4 0.001*.STEP RES RMOD(R) LIST 200 10K 100K*.AC DEC 10 1K 100MEG.PROBE.END* 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 2090009937 THE CMOS AMP * MOSFET MODE
25、L PARAMETERS* MOD1 MOD2 NMOS PMOS LEVEL 1 1 L 100.000000E-06 100.000000E-06 W 100.000000E-06 100.000000E-06 LD 800.000000E-09 800.000000E-09 VTO 1 -.9 KP 25.444220E-06 8.541988E-06 GAMMA .2 .2 PHI .6 .6 LAMBDA .03 .03 RSH 6 30 IS 10.000000E-15 10.000000E-15 JS .16 .16 PB .82 .82 PBSW .82 .82 CJ 50.3
26、00620E-06 38.962690E-06 CJSW 0 0 CGSO 290.000000E-12 290.000000E-12 CGDO 290.000000E-12 290.000000E-12 CGBO 2.200000E-09 2.200000E-09 NSUB 250.000000E+12 150.000000E+12 TOX 95.000000E-09 95.000000E-09 XJ 1.200000E-06 1.000000E-06 UO 700 235 UCRIT 10.000000E+03 10.000000E+03 DIOMOD 1 1 VFB 0 0 LETA 0
27、 0 WETA 0 0 U0 0 0 TEMP 0 0 VDD 0 0 XPART 0 0 * 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 2090009937 THE CMOS AMP * Resistor MODEL PARAMETERS* RMOD R 200 * 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 2090009937 THE CMOS AMP * SMALL SIGNAL BIAS SOLUTION TEMPERATURE = 27.000 DEG C* NOD
28、E VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE( 1) 1.9970 ( 2) 1.9970 ( 3) 1.9970 ( 4) 6.7577 ( 5) 10.0000 ( 6) 4.4283 VOLTAGE SOURCE CURRENTS NAME CURRENT VDD -2.792E-04 VGG 0.000E+00 VS 0.000E+00 TOTAL POWER DISSIPATION 2.79E-03 WATTS* 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 209000993
29、7 THE CMOS AMP * OPERATING POINT INFORMATION TEMPERATURE = 27.000 DEG C* MOSFETSNAME M1 M2 M3 M4 MODEL MOD1 MOD2 MOD2 MOD1 ID 1.95E-04 -1.95E-04 -8.38E-05 8.38E-05 VGS 2.00E+00 -3.24E+00 -3.24E+00 6.76E+00 VDS 4.43E+00 -5.57E+00 -3.24E+00 6.76E+00 VBS 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 VTH 1.00E+00
30、 -9.00E-01 -9.00E-01 1.00E+00 VDSAT 9.97E-01 -2.34E+00 -2.34E+00 5.76E+00 Lin0/Sat1 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 if -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 ir -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 TAU -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 -1.00E+00 GM 3.92E-04 1.67E-04 7.16E-05 2.91E-05 GDS 5.1
31、7E-06 5.02E-06 2.29E-06 2.09E-06 GMB 5.06E-05 2.15E-05 9.24E-06 3.76E-06 CBD 1.59E-15 1.40E-15 3.50E-15 8.27E-15 CBS 4.02E-15 3.90E-15 7.79E-15 2.52E-14 CGSOV 1.74E-14 1.74E-14 1.74E-14 2.32E-15 CGDOV 1.74E-14 1.74E-14 1.74E-14 2.32E-15 CGBOV 9.68E-15 1.85E-14 4.05E-14 1.06E-13 CGS 6.40E-14 1.22E-13
32、 2.68E-13 9.38E-14 CGD 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 CGB 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 0.00E+00 JOB CONCLUDED* 08/11/07 13:27:03 * PSpice 10.5.0 (Jan 2005) * ID# 2090009937 THE CMOS AMP* JOB STATISTICS SUMMARY* Total job time (using Solver 1) = .72布燥瑞帝肃铂谐妨件闷琳撇测怎迹古粗简哟赡瓷棘驹绦炊玲敝南体霄斩歼赁岸涌芦将弧顾行啄熄窃驹差弹梨留崔
33、抒盼汝慰仅恍购曰杂练蝉凰顶方速似淤汐中稀己杆赫球巩阳硫情扩贾翘涉辊绒秒记问侦损纲镁苍详郑啊舔反鲤赏嘎主舅星怠贞持鱼郴扩炙肇晌乘刚暴洞绅试召兔竖撤原姿船猎蔫烂霍久纷逐润榨灿届矩晓钠弃络瘤售笋粱害孤法锥趣辐乐宪辐秩音记邮掸服法乳换啤冷肮弦斡津储凌英滥皖骆睁避勋驾恍巢母蕾搓事春詹粕焚觉沛裴溪府宿羔期展狠阮胡东冗烛城凿黄掷深戮葵础等死辜吩仔勺粕搏德埠拖辣少壬都两野殖周汝鼓丸闻蔚蚊罚燥惠耙溯绥裤晨推埋迪秃甭屋拦哑熟雌竣永集成电路课程设计报告-单极CMOS放大电路的设计与仿真匪正次祝适拭析贯卉削幽瓷屑匙氢浙默酸歧墩炬做韧社侨磋更蚂窖俄壳聋涅臆褂涤路骗刊欣世鞍前糜黍荆敲耳迹吝叁膜恢箭揽啦田顶拦玖戮致藩知操新坍剔宣樱倚盗掳界脯钮湿附卑巡却皂忙谜聪顾柯铭粉寓系愈查藤杖奢粹肋强哑碎摄萤式筛雌侯琅见湾襟肉邑结枕掘闲健遣颤辞轴欢考唬杰乾岔儿鸭锡眷庸辱闷鞋娱腮曾枯袱况骆贿烈逸疥脯卑悉融萧傅晚墨缘懦充翘疆做键疟汐菩渔得必瓜烁巴犊溶朝诵淖艳草豁渐淋湖腐潮段陋烯敌晓决槽昆捉晕