第2部分门电路.ppt

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1、第2章 门电路,2.1 概述 2.2 半导体二极管和 三极管的开关特性 2.3 最简单的与、或、非门电路 2.4 TTL门电路 2.5 CMOS门电路,2.1 概述,门电路是用以实现逻辑关系的电子电路。,正逻辑:用高电平表示逻辑1,用低电平表示逻辑0 负逻辑:用低电平表示逻辑1,用高电平表示逻辑0 在数字系统的逻辑设计中,若采用NPN晶体管和NMOS管,电源电压是正值,一般采用正逻辑。若采用的是PNP管和PMOS管,电源电压为负值,则采用负逻辑比较方便。 今后除非特别说明,一律采用正逻辑。,一、正逻辑与负逻辑,VI控制开关S的断、通情况。 S断开,VO为高电平;S接通,VO为低电平。,二、逻辑

2、电平,5V,0V,0.8V,2V,实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件,逻辑电平,高电平UH: 输入高电平UIH 输出高电平UOH 低电平UL: 输入低电平UIL 输出低电平UOL 逻辑“0”和逻辑“1”对应的电压范围宽,因此在数字电路中,对电子元件、器件参数精度的要求及其电源的稳定度的要求比模拟电路要低。,2.2 二极管和三极管的开关特性,数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。 导通状态:相当于开关闭合 截止状态:相当于开关断开。,半导体二极管、三极管和MOS管,则是构成这种电子开关的基本开关元件。,1、 静态特性: 断开时,开关两端的电压不管多大,等效电阻R

3、OFF = 无穷,电流IOFF = 0。,闭合时,流过其中的电流不管多大,等效电阻RON = 0,电压UAK = 0。,2、 动态特性:开通时间 ton = 0 关断时间 toff = 0,理想开关的开关特性:,客观世界中,没有理想开关。 乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。 半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时,其静态特性不如机械开关,但动态特性很好。,2.2.1 二极管的开关特性,一、静态特性及开关等效电路,正向导通时UD(ON)0.7V(硅) 0.3V(锗) RD几 几十 相当于开关闭合,反向

4、截止时 反向饱和电流极小 反向电阻很大(约几百k) 相当于开关断开,二极管的开关等效电路 (a) 导通时 (b) 截止时,二、动态特性:,若输入信号频率过高,二极管会双向导通,失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。,二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。,反向恢复时间tre :二极管从导通到截止所需的时间。 一般为纳秒数量级(通常tre 5ns )。,2.2.2 三极管的开关特性,一、静态特性及开关等效电路,在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。,三极管的三种工作状态 (a)电路 (b)

5、输出特性曲线,开关等效电路,1、截止状态,条件:发射结反偏 特点:电流约为0,2、饱和状态,条件:发射结正偏,集电结正偏 特点:UBES=0.7V,UCES=0.3V/硅,三极管开关等效电路 (a) 截止时 (b) 饱和时,二、三极管的开关时间(动态特性),三极管的开关时间,1、 开启时间ton 三极管从截止到饱和所需的时间。 ton = td +tr td :延迟时间 tr :上升时间,2、关闭时间toff 三极管从饱和到截止所需的时间。 toff = ts +tf ts :存储时间(几个参数中最长的;饱和越深越长) tf :下降时间,toff ton 。 开关时间一般在纳秒数量级。高频应用

6、时需考虑。,门电路的概念: 实现基本和常用逻辑运算的电子电路,叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等。,分立元件门电路和集成门电路: 分立元件门电路:用分立的元件和导线连接起 来构成的门电路。简单、经济、功耗低,负载差。 集成门电路:把构成门电路的元器件和连线都 制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门电路。,2.3 最简单的与、或、非门电路,2.3.1二极管与门,Y=AB,2.3.2二极管或门,Y=A+B,2.3.4 关于高低电平的概念及状态赋值,电位指绝对电压的大小;电平指一定的电压

7、范围。 高电平和低电平:在数字电路中分别表示两段电压范围。 例:上面二极管与门电路中规定高电平为3V,低电平0.7V。 又如,TTL电路中,通常规定高电平的额定值为3V,但从2V到5V都算高电平;低电平的额定值为0.3V,但从0V到0.8V都算作低电平。,1. 关于高低电平的概念,2. 逻辑状态赋值,在数字电路中,用逻辑0和逻辑1分别表示输入、输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。 经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表,便于进行逻辑分析。,复习,什么是高电平?什么是低电平? 什么是状态赋值? 什么是正逻辑?什么是负逻辑? 二极管与门、或门有何优点和缺点?,2.4 TTL门电路,TTL集成逻

8、辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管,所以称晶体管晶体管逻辑门电路,简称TTL电路。,TTL电路的基本环节是反相器。因此首先简单了解TTL反相器的电路及工作原理,并重点掌握其特性曲线和主要参数(应用所需知识)。,2.4.1 TTL反相器 一、TTL反相器的工作原理,1. 电路组成,TTL反相器的基本电路,(1) 输入级,当输入低电平时, uI=0.3V,发射结正向导通, uB1=1.0V 当输入高电平时, uI=3.6V,发射结受后级电路的影响将反向截止。 uB1由后级电路决定。,(2) 中间级,反相器VT2 实现非逻辑,(3) 输出级(推拉式输出),VT3为射极跟随器,2. 工作原理,

9、(1)当输入高电平时, uI=3.6V, VT1处于倒置工作状态, 集电结正偏,发射结反偏, uB1=0.7V3=2.1V, VT2和VT4饱和, 输出为低电平uO=0.3V。,2.1V,0.3V,3.6V,(2) 当输入低电平时, uI=0.3V, VT1发射结导通,uB1=0.3V+0.7V=1V, VT2和VT4均截止, VT3和VD导通。 输出高电平 uO =VCC -UBE3-UD 5V-0.7V-0.7V=3.6V,1V,3.6V,0.3V,(3) 采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力,VT3组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能提高负载能力。 当输入高电平时,VT4饱

10、和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。 当输入低电平时,VT4截止,VT3导通(为射极输出器),其输出电阻很小,带负载能力很强。 可见,无论输入如何,VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。这种推拉式工作方式,带负载能力很强,而且可减小静态损耗。,二、TTL反相器的电压传输特性,电压传输特性:输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。,TTL反相器电路的电压传输特性,1.曲线分析,VT4截止,称关门,VT4饱和,称开门,2. 结合电压传输特性介绍几个参数,(3) 开门电平UON 一般要求UON1.8V (4) 关门电平UOFF 一般

11、要求UOFF0.8V,在保证输出为额定低电平的条件下,允许的最小输入高电平的数值,称为开门电平UON。,在保证输出为额定高电平的条件下,允许的最大输入低电平的数值,称为关门电平UOFF。,(5) 阈值电压UTH 电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH(又称门槛电平)。通常UTH1.4V。,(6) 噪声容限( UNL和UNH ) 噪声容限也称抗干扰能力,它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。 UNL和UNH越大,电路的抗干扰能力越强。, 低电平噪声容限(低电平正向干扰范围) UNL=UOFF-UIL UIL为电路输入低电平的典型值(0.3V) 若UOFF=0.8V,则有

12、 UNL=0.8-0.3=0.5 (V), 高电平噪声容限(高电平负向干扰范围) UNH = UIH - UON UIH为电路输入高电平的典型值(3V) 若UON=1.8V,则有 UNH = 3-1.8 =1.2 (V),2.4.2 TTL反相器的输入特性和输出特性,一. 输入伏安特性,输入电压和输入电流之间的关系曲线。,TTL反相器的输入伏安特性 (a)测试电路 (b)输入伏安特性曲线,两个重要参数:,(1) 输入短路电流IIS 当uI = 0V时,iI从输入端流出。 iI =(VCCUBE1)/R1 =(50.7)/4 1.1mA,(2) 高电平输入电流IIH 当输入为高电平时,VT1的发

13、射结反偏,集电结正偏,处于倒置工作状态,倒置工作的三极管电流放大系数反很小(约在0.01以下),所以 iI = IIH =反 iB2 IIH很小,约为几十微安左右。,输入负载特性曲线 (a)测试电路 (b)输入负载特性曲线,TTL反相器的输入端对地接上电阻RI 时,uI随RI 的变化而变化的关系曲线。,二、输入负载特性,在一定范围内,uI随RI的增大而升高。但当输入电压uI达到1.4V以后,uB1 = 2.1V,RI增大,由于uB1不变,故uI = 1.4V也不变。这时VT2和VT4饱和导通,输出为低电平。,RI 不大不小时,工作在线性区或转折区。,RI 较小时,关门,输出高电平;,RI 较大

14、时,开门,输出低电平;,ROFF,RON,RI 悬空时?,(1) 关门电阻ROFF 在保证门电路输出为额定高电平的条件下,所允许RI 的最大值称为关门电阻。典型的TTL门电路ROFF 0.7k。,(2) 开门电阻RON 在保证门电路输出为额定低电平的条件下,所允许RI 的最小值称为开门电阻。典型的TTL门电路RON 2k。 数字电路中要求输入负载电阻RI RON或RI ROFF ,否则输入信号将不在高低电平范围内。 振荡电路则令 ROFF RI RON使电路处于转折区。,三、输出特性,指输出电压与输出电流之间的关系曲线。,1、 输出高电平时的输出特性,负载电流iL不可过大,否则输出高电平会降低

15、。 拉电流负载。 iL5mA时,输出uO变化很大;实际上由于功耗的限制, iL远小于5mA。74系列门电路的运用条件规定 iL不超过0.4mA。,2.4.3 TTL反相器的动态特性,1. 平均传输延迟时间tpd (在此只介绍传输延迟时间),平均传输延迟时间tpd表征了门电路的开关速度。,tpd = (tpLH +tpHL)/2,复习,TTL反相器的电压传输特性有哪几个区? TTL反相器主要有哪些特性? TTL反相器的主要参数有哪些?,2.4.4 其他类型的TTL门电路,它与反相器的区别就在于:输入端改成了多发射极三极管:每一个发射极能各自独立形成正向偏置的发射结,并可使三极管进入放大或饱和区。

16、,一、TTL与非门电路,三输入TTL与非门电路 (a)电路 (b) 逻辑符号,2.1V,特性: (1)与非门输出电路的结构和电路参数与反相器相同,所以反相器的输出特性也适用于与非门。 (2)计算输入电流时,应根据输入端的不同工作状态区别对待。 a把两个输入端并联使用时,低电平输入电流与反相器相同;高电平输入时,总的输入电流为单个输入端的高电平输入电流的两倍。,二、集电极开路门(OC门),返回,推拉式输出电路结构存在局限性。 首先,输出端不能并联使用。若两个门的输出一高一低,当两个门的输出端并联以后,必然有很大的电流同时流过这两个门的输出级,而且电流的数值远远超过正常的工作电流,可能使门电路损坏

17、。而且,输出端也呈现不高不低的电平,不能实现应有的逻辑功能。,其次,在采用推拉式输出级的门电路中,电源一经确定(通常规定为5V),输出的高电平也就固定了(不可能高于电源电压5V),因而无法满足对不同输出高电平的需要。,集电极开路门(简称OC门)就是为克服以上局限性而设计的一种TTL门电路。,(1)电路结构:输出级是集电极开路的。,1集电极开路门的电路结构,(2)逻辑符号:用“”表示集电极开路。,集电极开路的TTL与非门 (a)电路 (b)逻辑符号,集电极开路,(3)工作原理:,当VT3饱和,输出低电平UOL0.3V;(输入全为高电平) 当VT3截止,由外接电源E通过外接上拉电阻提供高电平UOH

18、E。(输入至少有一个低电平) 因此, OC门电路必须外接电源和负载电阻,才能提供高电平输出信号。,(1) OC门的输出端并联,实现线与功能。 RL为外接负载电阻。,图2-20 OC门的输出端并联实现线与功能,2. OC门的应用举例,用OC门实现电平转换的电路 ,根据要求选择外接电源的大小,就可以得到所需的UOH.此外,有些OC门的输出管设计得尺寸较大,足以承受较大电流和较高电压,可以直接驱动小型继电器。,(2)用OC门实现电平转换,三、 三态输出门电路(TS门),返回,三态门电路的输出有三种可能出现的状态:高电平、低电平、高阻。,悬空、悬浮状态,又称为禁止状态。 测电阻为,故称为高阻状态。 测

19、电压为0V,但不是接地。 因为悬空,所以测其电流为0A。,1、电路结构:增加了控制输入端(Enable)。,1三态门的电路结构,2、工作原理:,1,0,导通,1.0V,1.0V,截止,截止,悬空,控制端高电平有效的三态门,(2)逻辑符号,控制端低电平有效的三态门,用“”表示输出为三态。,2三态门的主要应用实现总线传输,要求各门的控制端EN轮流为高电平,且在任何时刻只有一个门的控制端为高电平。,用三态门实现总线传输,如有8个门,则8个EN端的波形应依次为高电平,如下页所示。,为了提高工作速度,降低功耗,提高抗干扰能力,各生产厂家对门电路作了多次改进。 74系列与54系列的电路具有完全相同的电路结

20、构和电气性能参数。其不同之处见下表所示。,2.4.5 TTL门电路的改进系列,当输出高电平时,输出端不能碰地,不然会烧坏器件;输出低电平时,输出端不能碰电源。,2.5.1 CMOS反相器的工作原理,MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中,且二者在工作中互补,称为CMOS管(意为互补)。 MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中,多采用增强型。,返回,NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 (b)转移特性,D接正电源,(1)NMOS管的开关特性,1MOS管的开关特性,图2-25 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 (b)转移特

21、性,D接负电源,(2)PMOS管的开关特性,CMOS反相器,PMOS管,负载管,NMOS管,驱动管,开启电压|UTP|=UTN,且小于VDD。,2CMOS反相器的工作原理 (1)基本电路结构,(2)工作原理,CMOS反相器,UIL=0V,截止,导通,UOHVDD,当uI= UIL=0V时,VTN截止,VTP导通, uO = UOHVDD,CMOS反相器,UIH= VDD,截止,UOL 0V,当uI = UIH = VDD ,VTN导通,VTP截止, uO =UOL0V,导通,(3)逻辑功能 实现反相器功能(非逻辑)。,(4)工作特点 VTP和VTN总是一管导通而另一管截止,流过VTP和VTN的

22、静态电流极小(纳安数量级),因而CMOS反相器的静态功耗极小。这是CMOS电路最突出的优点之一。,CMOS反相器的电压传输特性和电流传输特性,3 电压传输特性和电流传输特性,AB段:截止区 iD为0,BC段:转折区 阈值电压UTHVDD/2 转折区中点:电流最大,CMOS反相器 在使用时应尽 量避免长期工 作在BC段。,CD段:导通区,4. CMOS电路的优点,(1)微功耗。 CMOS电路静态电流很小,约为纳安数量级。 (2)抗干扰能力很强。 输入噪声容限可达到VDD/2。 (3)电源电压范围宽。 多数CMOS电路可在318V的电源电压范围 内正常工作。 (4)输入阻抗高。 (5)负载能力强。

23、 CMOS电路可以带50个同类门以上。 (6)逻辑摆幅大。(低电平0V,高电平VDD ),CMOS传输门,2.5.2 其它类型的CMOS门电路,(2) 工作原理(了解),(3) 应用举例,CMOS模拟开关, CMOS模拟开关:实现单刀双掷开关的功能。,C = 0时,TG1导通、TG2截止,uO = uI1; C = 1时,TG1截止、TG2导通,uO = uI2。,CMOS三态门 (a)电路 (b) 逻辑符号, CMOS三态门,一、CMOS门电路的使用知识,1输入电路的静电保护 CMOS电路的输入端设置了保护电路,给使用者带来很大方便。但是,这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高,极

24、易产生感应较高的静电电压,从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层,造成器件的永久损坏。为避免静电损坏,应注意以下几点:,CMOS门电路和TTL门电路的 使用知识及相互连接,(1)所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。 (2)存储和运输CMOS电路,最好采用金属屏蔽层做包装材料。,2多余的输入端不能悬空。 输入端悬空极易产生感应较高的静电电压,造成器件的永久损坏。对多余的输入端,可以按功能要求接电源或接地,或者与其它输入端并联使用。,二、TTL门电路的使用知识,1多余或暂时不用的输入端不能悬空,可按以 下方法处理:,(1)与其它输入端并联使用。 (2)将不用的输入端按照电路功能要求接电

25、源或接地。比如将与门、与非门的多余输入端接电源,将或门、或非门的多余输入端接地。,(1) 在每一块插板的电源线上,并接几十F的低频去耦电容和0.010.047F的高频去耦电容,以防止TTL电路的动态尖峰电流产生的干扰。 (2) 整机装置应有良好的接地系统。,2 电路的安装应尽量避免干扰信号的侵入,保证电路稳定工作。,三、 TTL门电路和CMOS 门电路的相互连接,TTL和CMOS电路的电压和电流参数各不相同,需要采用接口电路。 一般要考虑两个问题: 一是要求电平匹配,即驱动门要为负载门提供符合标准的输出高电平和低电平; 二是要求电流匹配,即驱动门要为负载门提供足够大的驱动电流。,1. TTL门

26、驱动CMOS门,(1)电平不匹配 TTL门作为驱动门,它的UOH2.4V,UOL0.5V; CMOS门作为负载门,它的UIH3.5V,UIL1V。 可见,TTL门的UOH不符合要求。 (2)电流匹配 CMOS电路输入电流几乎为零,所以不存在问题。,(3)解决电平匹配问题,图2-33 TTL门驱动CMOS门, 外接上拉电阻RP 在TTL门电路的输出端外接一个上拉电阻RP,使TTL门电路的UOH5V。(当电源电压相同时), 选用电平转换电路(如CC40109) 若电源电压不一致时可选用电平转换电路。 CMOS电路的电源电压可选318V; 而TTL电路的电源电压只能为5V。, 采用TTL的OC门实现

27、电平转换。 若电源电压不一致时也可选用OC门实现电平转换。,2. CMOS门驱动TTL门,(1)电平匹配 CMOS门电路作为驱动门,UOH5V,UOL0V; TTL门电路作为负载门,UIH2.0V,UIL0.8V。 电平匹配是符合要求的。,(2)电流不匹配 CMOS门电路4000系列最大允许灌电流为0.4mA, TTL门电路的IIS1.4 mA, CMOS4000系列驱动电流不足。,(3)解决电流匹配问题,CMOS电路常用的是4000系列和54HC/74HC系列产品,后几位的序号不同,逻辑功能也不同。, 选用CMOS缓冲器 比如,CC4009的驱动电流可达4 mA。 选用高速CMOS系列产品 选用CMOS的54HC/74HC系列产品可以直接驱动TTL电路。,第2章 小结,利用半导体器件的开关特性,可以构成与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等各种逻辑门电路,也可以构成在电路结构和特性两方面都别具特色的三态门、OC门、OD门和传输门。 随着集成电路技术的飞速发展,分立元件的数字电路已被集成电路所取代。 TTL电路的优点是开关速度较高,抗干扰能力较强,带负载的能力也比较强,缺点是功耗较大。 CMOS电路具有制造工艺简单、功耗小、输入阻抗高、集成度高、电源电压范围宽等优点,其主要缺点是工作速度稍低,但随着集成工艺的不断改进,CMOS电路的工作速度已有了大幅度的提高。,

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