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射極電流擁擠效應,1,授課老師:鄒文正 老師 學生:董冠璋 學號:M99L0225,Outline,形成原因 造成之影響 改善方法 參考文獻,2,形成原因,3,由於HBT垂直式結構，使基極電流橫向流入射極，基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差，使得基-射極接面的電場分布不均，而使電流由射極周圍向中心遞減，因此引起射極電流聚集在邊緣，此現象稱為射極群聚現象(Emitter crowding)。,參考文獻,1半導體元件物理與製程技術施敏著 2 VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究 徐慧芬,4,END,5,