介质薄膜2011-4-13.ppt

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1、介质薄膜材料,2011.4.13,要求： 1、初步认识介质薄膜材料； 2、了解介质薄膜的分类； 3、熟悉典型介质薄膜的制备、性质及 应 用；,第一节 概述 一、介质薄膜简介 介质薄膜以其优良的绝缘性能和介电性能 在半导体集成电路、薄膜混合集成电路以及一 些薄膜化元器件中得到广泛应用。 长期以来，人们对介质薄膜进行了较深入 研究。随着科学技术的发展，人们对某些介质 材料中的新效应，如压电效应、电致伸缩效 应、热释电效应、光电效应等的研究和应用更 为关注。,现在所谓的介质薄膜，其含义已远超出单 纯的电容器介电膜的范围， 而是把它作为一类 重要的功能薄膜材料或复合材料。 二、相关概念 1、介电功能材

2、料：是以电极化为基本电学特 征的功能材料。所谓电极化就是指在电场 （包括光频电场）作用下，正、负电荷中心 相对移动从而出现电矩的现象。电极化随材 料的组分和结构、电场的频率和强度以及温 度、压强等外界条件的改变而发生变化，所以,介电功能材料表现出多种多样的、有实用意 义的性质，成为电子和光电子技术中的重要 材料。 2、分类 （1）按化学分类：无机材料、有机材料、无 机和有机的复合材料； （2）按形态分类：三维（块体）材料、二维 （薄膜）材料和一维（纤维）材料； （3）按结晶状态：单晶、多晶和非晶材料； （4）按物理效应：见表1。,表1 介电功能材料按物理效应分类及其主要应用,三、本章主要内容

3、1. 下面介绍的介质薄膜材料指介电功能薄膜 材料。 2. 介质薄膜按物理效应也可分成很多类， 如电介质薄膜、铁电薄膜、压电薄膜和热释 电薄膜等。 3. 主要介绍电介质薄膜、铁电薄膜以及压电薄膜的制备、性质和应用。,第二节 电介质薄膜及应用,此处电介质薄膜是指集成电路和薄膜元 器件制造中所用的介电薄膜和绝缘体薄膜。 电介质薄膜按照主要用途来分类：介电性 应用类和绝缘性应用类。前者主要用于各种 微型薄膜电容器和各种敏感电容元件，常用 的有sio、sio2、Al2O3等；后者主要用于各种 集成电路和各种金属-氧化物-半导体器件， 如sio2等。,一、氧化物电介质薄膜的制备及应用 1、制备 氧化物介质

4、薄膜在集成电路和其他薄膜器件中 有着广泛应用。 制备方法： （1） SiO2 ：除电子束蒸发、溅射等方法外，还 经常用硅单晶表层氧化的方法生长这种薄膜。（是一种反应扩散过程） SiO2薄膜的氧化生长是平面工艺的基础，氧化法 主要有3种：阳极氧化（室温）、等离子体阳极氧 化（200-800）和热氧化（700-1250 ）。,（2）Si3N4薄膜：在集成电路中起钝化作用。 最成熟的制备方法是CVD方法，例如用硅烷和氨热 分解形成Si3N4薄膜。 （3）其他用作电容器材料的氧化物介质薄膜： SiO、Ta2O5、 Al2O3薄膜等。 1）SiO的蒸气压很高，可以用通常的热蒸发方法 制备； 2） Ta2

5、O5、 Al2O3主要用溅射等方法制备，也用低成本的阳极氧化方法制备。,2、应用： （1）用作电容器介质 在薄膜混合集成电路中，用作薄膜电容器介质的主 要有SiO、 SiO2 、Ta2O5以及Ta2O5- SiO（ SiO2 ） 复合薄膜等。这些薄膜用作薄膜电容器介质对其电 性能和稳定性均有较严格的要求。 按照应用场合，介质薄膜分为低损耗低介电常 数薄膜和高介电常数薄膜。在生产上采用的前一类 薄膜主要是SiO和SiO2 ，高介电常数薄膜是钽基质 薄膜。,表 2 常用介质薄膜性质 一般情况下，若薄膜电容器的电容在10-1000pF范围，多选用SiO薄膜和Ta2O5- SiO复合介质薄膜；10-5

6、00pF多选用SiO2 介质；500-5000pF多选用Ta2O5介质。,（2）用作隔离和掩膜层 在半导体集成电路中，利用杂质在氧化物（主 要是SiO2）中的扩散系数远小于在Si中的扩散系 数这一特性， SiO2等氧化物常用作对B、P、 As、Sb等杂质进行选择性扩散的掩膜层。 此外，在进行离子注入掺杂时， SiO2等介质薄膜 还被用作注入离子的阻挡层。,（3）表面钝化膜 常用的钝化膜主要有：在含氯气中生长的SiO2 膜、磷硅玻璃（PSG）膜、氮化硅（ Si3N4）膜、 聚酰亚胺、半绝缘多晶硅（SIPOS）以及氮 化铝膜和三氧化二铝（ Al2O3）膜等。 作为钝化层，还常使用双层结构（如 Si

7、O2- PSG、 SiO2- Si3N4、 SiO2- Al2O3和 SiO2- SIPOS等）和多层钝化结构。,（4）多层布线绝缘膜 实现多层布线技术的关键是要求每两层导线之 间有一层性能优良的绝缘层，而两层导线之间通过 在绝缘层上开的互联孔连接。 应用多层布线工艺的典型结构有：Al- SiO2- Al； Al- Al2O3- Al；Al-聚酰亚胺- Al；PtSi/TiW/(Al+Cu)- SiO2- Al及MoSi2 - SiO2- Al等。 二、简介低介电常数含氟氧化硅薄膜 为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损 失而导致功耗的增加，采用低介电常数材料是必要 的。,传统的二氧化硅薄膜

8、的相对介电常数在4.0左右， 远不能满足亚微米器件所需的介电常数值。随着 器件复杂性的增加，对介电常数的要求也愈苛刻。 表3 金属间介质层介电常数的发展趋势,目前有可能在集成电路中应用的低介电常数介 质主要有含氟氧化硅（ SiOF）膜，含氟碳膜、聚酰 亚胺、多孔二氧化硅等。其中含氟氧化硅能与已有 的SiO2工艺很好地兼容，在热稳定性、对无机物的 粘结性等方面明显优于有机介质，是SiO2理想的替 代物。,第三节 铁电薄膜及应用,铁电体是具有自发极化，而且自发极化矢量的 取向能随外电场的改变而改变的材料。 图1 电滞回线图,具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的 膜材料叫铁电薄膜，它具有良好的铁

9、电性、压电 性、热释电性、电光及非线性光学等特性，可广泛 用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械 系统等领域，成为国际上新型功能材料研究的一个 热点。,一、铁电薄膜的结构制备和特性 1、 铁电薄膜的晶体结构 铁电材料的典型结构称为钙钛结构，它是由 ABO3的立方结构构成，其中离子A处在立方体的角 上，离子B处在立方体的体心，氧离子处于立方体 各个面的面心。 图2 铁电材料晶胞示意图,典型的钙钛矿结构有：BaTiO3（钛酸钡）、PZT、PlZT（铅、镧、锆、钛）等。 2、制备方法 主要有：Sol-Gel凝胶法、MOCVD法、PLD法 和溅射法。 （1） Sol-Gel凝胶法 将金属的醇盐或

10、其他有机盐溶解于同一种溶剂 中，经过水解、聚合反应形成溶胶。通过甩胶在基 片上形成薄膜，经过干燥和退火处理，形成铁电薄 膜。,优点： 能够精确控制膜的化学计量比和掺杂，易于制 备大面积的薄膜，适用于大批量生产，设备简单， 成本低，可与微电子工艺技术相兼容。 不足： 膜的致密性较差，干燥处理过程中薄膜易出现 龟裂现象，薄膜结构和生长速率对基片和电极材料 很敏感。 利用该方法已制备出PT、PZT、PLZT、BT、 ST、BST等多种铁电薄膜。,（2）MOCVD法 将反应气体和气化的金属有机物前体溶液通过反 应室，经过热分解沉积在加热的衬底上形成薄膜。 优点： 薄膜生长速率快，可制备大面积薄膜，能精

11、确 控制薄膜的化学组分和厚度。 不足： 受制于金属有机源的合成技术，难以找到合适 的金属有机源，仅能用于少数几种膜的制备。 利用此方法已制备出PT、PZT、PLZT、BT及 LN等铁电薄膜。,（3）PLD法 利用高功率的准分子脉冲激光照射到一定组分 比的靶材上，使靶表面的数十纳米厚的物质转变为 羽辉状等离子体，沉积到衬底上形成靶膜。 优点： 能源无污染；薄膜成分与靶材完全一致，因而 可严格控制；衬底温度较低，可获得外延单晶膜； 成膜速率快。 不足： 难以制备大面积均匀性好的薄膜。 已制备PT、PZT、BTO及KTN等铁电薄膜。,（4）溅射法 包括直流溅射、射频磁控溅射和粒子束溅射。 优点： 工

12、艺比较成熟，沉积温度较低，可获得外延膜。 不足： 沉积膜速率较慢，组分和结构的均匀性比较难 于控制。,3、铁电薄膜的物理性能及其表征 （1）物化结构性能表征 主要包括三个方面： 1）薄膜的组分，组分沿薄膜表面和纵向的分布以及 薄膜中各组元的化学价态； 2）薄膜的结晶学性能，包括晶体结构与取向，晶 格常数及其随温度的变化； 3）薄膜的形貌与显微结构，包括晶界、畴界和电畴 取向等。 组分及价态分析 分析薄膜的组分及组分的分布，大多采用能谱技术。,通常采用的能谱技术是基于电子的能谱，如电 子探针微区分析（EPMA）、X射线光电子能谱 （XPS）、俄歇电子能谱（AES）以及基于质子的 能谱，如二次离子

13、质谱（SIMS）、卢瑟福背散射谱 （RBS）等。 通过这些能谱技术，不仅可以对薄膜的成分进 行定性或定量的分析，还可对薄膜的成分（包括杂 质）进行微区分析、表面均匀分析和断面（纵向） 均匀性分析。,b. 结晶学性能分析 包括相分析：如是单相还是复相，是钙钛矿相还是 焦绿石相，是非晶、多晶还是单晶，晶格常数及其 随温度的变化等； 取向分析：即分析多晶铁电薄膜是随机取向，还是 沿某些特定晶轴方向有选择地取向。 结晶学性能分析采用的主要技术是衍射技术， 包括X射线衍射（XRD）和电子衍射，特别是反射 式高能电子衍射（RHEED）。,形貌与微结构分析 包括：表面与断面的形貌、晶粒尺寸、晶粒边界、 多晶

14、薄膜晶粒内或单晶薄膜中的电畴及其取向；薄 膜的缺陷，如点缺陷、位错、孪晶、嵌镶、微裂 纹；界面状况分析，如晶格失配、界面原子的互扩 散等。 研究形貌与微结构的基本技术是电子显微镜技 术，如采用扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显 微镜（TEM）或高分辨率透射电子显微镜（HRTEM） 等进行观察。也可利用其他显微技术（如采用原子 力显微镜AFM）来分析铁电薄膜的形貌。,（2）电学性能及其表征 电学性能主要指其介电性、压电性、热释电性和 铁电性，主要的电学参数有电阻率（或电导率）、 介电常数、介电损耗、介电常数随温度的变化（介 电温谱）、介电常数随频率的变化（介电频谱）、 电滞回线及其矩形度、自发

15、极化强度、剩余极化强 度、矫顽电场强度、机电耦合系数、压电系数、热 释电系数、相关材料应用时的品质因数等。 1）介电性能（包括介电常数、介电损耗、介电温谱和介电 频谱）大多采用阻抗分析仪进行测试和表征； 2）压电性能：利用在铁电薄膜表面上制作叉指电极对以激,励和检测铁电薄膜的机电耦合系数来了解。（工艺条件较 高且复杂）； 3）热释电性能：通过测试薄膜在调制入射光束或改变辐照 温度时的热释电电流，计算出薄膜的热释电系数。 4）铁电性能：利用铁电电滞回线商品型测试仪测量。（如 美国Radient Technology的RT66A）。 （3）光学性能及其表征 主要包括光学常数、电光系数和二次谐波发生

16、（SHG） 系数。 a. 光学系数的测定 通常采用光谱仪来测试铁电薄膜的光 学透射谱，然后根据透射谱来计算薄膜的光学常数。 b. 电光系数的测定 铁电薄膜都具有电光效应。通常采用,测量入射光在通过施加电场的材料后引起的位相延 迟的改变来计算材料的电光系数。 c. 二次谐波发生系数的测定 所谓二次谐波发生，是指入射到介质中的光波 与介质发生相互作用后，产生倍频光，从而使入射 光的频率增加一倍的现象。 测试铁电薄膜的二次谐波发生可以直接通过测 试倍频光的强度来进行。根据淀积铁电薄膜的衬底 是否透明，可以分别选用透射式（适用于透明衬底） 或反射式（适用于非透明衬底）的方法。,二、铁电薄膜的应用 在微

17、电子领域研究最多也最为成熟的当属铁电 存储器； 在光电子学应用方面，（Pb,La)(Zr,Ti)O3(PLZT) 铁电薄膜是最受关注的材料。由于它具有良好的光 学和电学性能，调整其化学组成可以满足电光、弹 光及非线性光学等多方面的要求。此外，PLZT还可 用于集成光学，是一类很有希望的光波导材料。 1、铁电薄膜应用分类 按物理效应进行分类，见表4。,表4 铁电薄膜按物理效应的应用分类,2、铁电存储器 铁电随机读取存储器（FeRAM）是利用铁电薄 膜的双稳态极化特性（电滞回线）制备的非易失性 存储器，具有高速度、抗辐照性、非挥发性和高密 度存储等优点，并且与IC工艺相兼容，是一种理想 的存储器。

18、在计算机、航空航天和军工等领域具有 广阔的应用前景。 3、热释电红外探测器 具有响应光谱宽，可在室温下操作等优点，能 满足常温下对物体热成像的需要。热释电薄膜相对,于热释电体材料，又具有小型轻量、分辨率高、反 应快及能与微电子技术相集成的优点，因此铁电薄 膜成为制作高性能薄膜型热释电红外探测器的首选 材料。 随着集成铁电学的发展，利用微电子机械技术 制作的具有高分辨率的二维列阵薄膜型热释电红外 探测器（结构如图3所示）不断涌现出来，它可在室 温下实现红外凝视成像及跟踪，从根本上改变目前 红外光电子学的面貌。,图3 大面积集成二维列阵薄膜型热释电红外探测器结构示意图,第四节 压电薄膜及应用,基础

19、知识： 压电效应的机理如图4所示： 图4 压电效应机理示意图,近年来，压电材料研究进展很快，已远远超出了原有单 晶的范围，在电、磁、声、光、热、湿、气、力等功能转换 器件中发挥重要作用，“压电学”已形成材料科学与物理学中 的一个很有前景的分支。 压电材料可以分成很多类：按成分，这类材料可分为无 机材料和有机材料；按结构，分为单晶材料和多晶材料，前 者如压电石英，后者如压电陶瓷；按使用形态，分为块状 （体状）材料和膜状材料。 单晶的优点：表面光滑，无孔洞，一致性和重复性好， 随着时间的性能稳定，声波传输损耗小。缺点：价格高，需 要高精度加工技术，并且难以兼备大的机电耦合系数和小的 声速温度系数。

20、,压电陶瓷优点：价格低，制造加工容易，可以 通过变化成分实现调整其机电耦合系数和声速温度 系数；缺点：均匀性差，气孔和晶界较大，表面很 不平滑，因而传输损耗大，在其上难以制造精细的 叉指电极，一致性和重复性差，可靠性差。 共同缺点：难以制得很薄的膜，因而不适用于 超高频压电器件。 压电薄膜兼有单晶和陶瓷的优点，即表面光滑 致密，易于制造，价格低廉，并且便于调变性能， 可靠稳定。更重要的是，使用薄膜可以使压电器件,达到平面化和集成化，可以使压电材料与半导体密 切结合，实现压电与载流子、声波与光波的相互作 用，制成各种新型压电和声光的单片集成器件。 压电薄膜的发展： （1）20世纪60年代初，研究

21、CdS和ZnS薄膜，接着是ZnO 薄膜； （2）20世纪60年代末期，研究AlN薄膜和LiNbO3薄膜； （3）20世纪70年代初期，研究PbTiO3、PLZT等钛酸盐系 压电薄膜； （4）20世纪80年代中期，研究Ta2O5薄膜和ZnO/ AlN复合 压电薄膜。,在这些压电薄膜中，便于制造、性能最好、研究得比较深入 的是ZnO和AlN薄膜。 一、压电薄膜的压电性能 表征压电材料的特性参数有介电常数、损耗角正切、压 电常数、机电耦合系数、机械品质因数、频率系数等。 压电薄膜的最大应用场合是表面波器件和体波器件。 1、体波性能 主要有机电耦合系数、声速，以及温度系数和声阻抗 等。而这些性能与薄膜

22、内晶体的弹性、介电、压电和热性能 密切相关，因此，为使薄膜的体波性能优异，首先应该选用 合适的材料制造薄膜。,表 5 ZnO和AlN压电晶体的主要性能参数 表 6 ZnO和AlN压电晶体和薄膜的体波性能,从两表可知，AlN的弹性常数特别大，密度较小，因 而其声速最高，特别适用于超高频器件。 压电薄膜的体波性能除了与激励模式有关以外，还与薄 膜晶粒的取向和温度等密切相关。因为温度变化以后，晶粒 的各种物理常数和密度都要发生改变，因而薄膜的体波性能 有所变化。为了提高体声波器件的温度稳定性，必须选用温 度系数较小的材料。 2、表声波性能 薄膜表面波的性能与薄膜原材料、基片、薄膜、波模 式、传播方向

23、、叉指电极形式和厚度波数积有关。,表声波性能是一个多种因素的函数，而且与薄膜质量密 切相关。如果在薄膜中有晶粒错向、晶粒极性反向、残留应 变，以及各种缺陷和杂质等，都会影响到薄膜的表声波特 性。因此给出参考性数据如表7所示。 表7 ZnO和AlN压电薄膜的表声波特性,二、压电薄膜的应用 按其应用形态，有体波器件、表声波器件和复 合谐振器件。在表声波器件中，按器件的工作原 理，分无源器件、有源器件和声光器件。 1、体声波器件 微波延迟线、复合谐振器、音叉振荡器、微音 器，以及多种敏感器件。各器件的核心部分是压电 体波换能器。 2、表声波器件 分为无源器件和有源器件。,表声波无源器件：滤波器、延迟线、谐振器、 振荡器、均衡器、鉴别器、分波器、耦合器、环流 器，以及多种敏感器件等。 表声波有源器件：放大器、卷积器、图像扫描 器和存储器等。 3、 声光器件 光偏转器、光调制器、光模变换器、光频移 器、光开关等。,