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1、,5.2 霍尔传感器,5.2.1 霍尔传感器工作原理 5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路 5.2.3 霍尔元件的主要特性参数 5.2.4 霍尔元件误差及补偿 5.2.5 霍尔式传感器的应用,下一页,返 回,5.2.1 霍尔传感器工作原理,半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件,上一页,下一页,返 回,霍尔效应原理,上一页,下一页,返 回,载流子受洛仑兹力,霍尔电场强度,平衡状态,电子运动平均速度,上一页,下一页,返 回,因为,霍尔电势,霍尔常数,霍尔常数
2、大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。,霍尔元件灵敏度（灵敏系数）,半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高， 因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件，,上一页,下一页,返 回,5.2.2 霍尔元件的结构和基本电路,霍尔元件,上一页,下一页,返 回,图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1-1电极用于加控制电流，称控制电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极。在基片
3、外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。 图（d）是基本测量电路 。,5.2.3 霍尔元件的主要特性参数,当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。,上一页,下一页,返 回,霍尔元件的主要特性参数：,(1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻：控制电极
4、间的电阻 输出电阻：霍尔电极之间的电阻 (2) 额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10温升时，对应的控制电流值 最大允许控制电流：以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值,上一页,下一页,返 回,(3) 不等位电势Uo和不等位电阻ro,不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。 不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r 0称不等位电阻,上一页,下一页,返 回,霍尔元件的主要特性参数,(4) 寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一部分 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔
5、电极的输出有一个直流电势 控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。 两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势 (5) 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。,上一页,下一页,返 回,5.3.4 霍尔元件误差及补偿,1. 不等位电势误差的补偿 2. 温度误差及其补偿,上一页,下一页,返 回,1. 不等位电势误差的补偿,可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。,上一页,下一页,返 回,电势的补偿电路 对称电路,当温度变化时，补偿的稳定性要好些,上一页,下一页,返 回,
6、2. 温度误差及其补偿,温度误差产生原因： 霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。,上一页,下一页,返 回,减小霍尔元件的温度误差,选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用恒流源供电,上一页,下一页,返 回,恒流源温度补偿,霍尔元件的灵敏系数也是温度的函数，它随温度的变化引起霍尔电势的变化，霍尔元件的灵敏系数与温度的关系,KH0 为温度T0时的KH值； 温度变化量； 霍尔电势的温度系数。,上一页,下一页,
7、返 回,大多数霍尔元件的温度系数是正值时， 它们的霍尔电势随温度的升高而增加（1+t）倍。 同时，让控制电流I相应地减小，能保持KHI不变就抵消了灵敏系数值增加的影响。,恒流源温度补偿电路,当霍尔元件的输入电阻随温度升高而增加时， 旁路分流电阻自动地加强分流，减少了霍尔元件的控制电流,上一页,下一页,返 回,控制电流,温度升到T时，电路中各参数变为,上一页,下一页,返 回,温度为T0时,霍尔元件输入电阻温度系数； 分流电阻温度系数。,为使霍尔电势不变，补偿电路必须满足: 升温前、后的霍尔电势不变，,经整理，忽略 高次项后得,上一页,下一页,返 回,当霍尔元件选定后，它的输入电阻 和温度系数 及
8、霍尔电势温度系数 可以从元件参数表中查到（ 可以测量出来），用上式即可计算出分流电阻 及所需的分流电阻温度系数 值。,5.2.5 霍尔式传感器的应用,优点: 结构简单，体积小，重量轻，频带宽，动态特性好和寿命长 应用： 电磁测量：测量恒定的或交变的磁感应强度、有功功率、无功功率、相位、电能等参数； 自动检测系统：多用于位移、压力的测量。,上一页,下一页,返 回,1. 微位移和压力的测量,测量原理： 霍尔电势与磁感应强度成正比，若磁感应强度是位置的函数，则霍尔电势的大小就可以用来反映霍尔元件的位置。 应用： 位移测量、力、压力、应变、机械振动、加速度,上一页,下一页,返 回,产生梯度磁场的示意图,位移量较小，适于测量微位移和机械振动,上一页,下一页,返 回,霍尔式压力传感器,弹簧管 磁铁 霍尔片,上一页,下一页,返 回,加速度传感器,上一页,下一页,返 回,2. 磁场的测量,在控制电流恒定条件下，霍尔电势大小与磁感应强度成正比，由于霍尔元件的结构特点，它特别适用于微小气隙中的磁感应强度、高梯度磁场参数的测量。,霍尔电势是磁场方向与霍尔基片法线方向之间夹角的函数。 应用：霍尔式磁罗盘、霍尔式方位传感器、霍尔式转速传感器,上一页,返 回,