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1、1,半导体工艺及器件模拟,半导体工艺及器件模拟（仿真）概述 1.什么是仿真？ 仿真（Simulation)和建模（modeling）是密不可分的。 建模是用数学方式抽象地总结出客观事物发展的一般规律。 仿真是在这个一般规律的基础上，对某事物在特定条件下的 行为进行推演和预测。因此建模是仿真的基础，仿真是随着 建模的发展而发展的。,1,2,2,半导体工艺和器件模拟,2.本课程主要研究内容： 半导体工艺模拟 在计算机辅助下，运用数学模型对具体工艺进行模拟的过程。 半导体器件模拟 通过工艺模拟得出的杂质分布结果,并施加一定的偏压，对 所制造器件的电学性质进行分析和研究。 课程重点：工艺流程描述语句，
2、器件的工艺实现，器件几 何结构及掺杂，电学特性仿真，器件的参数提取， IC电路仿真所用器件模型参数提取。,3,半导体工艺和器件模拟,3.半导体仿真器 仿真实质上是通过仿真器来实现的。一般仿真器实质上等于 输入接口+模型库+算法+输出接口,核心部分是模型库的建 立，其中精度、处理速度需要通过算法来调节。一个半导体 仿真器功能是否强大，就是看模型库是否强大。 半导体工艺、半导体物理、部分集成电路理论不仅是学习这 门功课所需要的前期基础知识，也同样是开发仿真软件中最 需要的理论基础。 所以仿真器是随着对半导体理论的探索和对实验数据的累计 的发展而发展的。,3,4,半导体工艺和器件模拟,4. 仿真在整
3、个学科中所处的位置和作用 位置：是基础理论知识和实际生产的链接点 作用： 一方面充分认识半导体物理、半导体器件物理等理论基础 知识在半导体工业中的实际应用。加强理论教学的效果。 仿真也可以部分取代了耗费成本的投片实验，可降低成本， 缩短开发周期和提高成品率。即仿真可虚拟生产并指导实际 生产。,4,5,半导体工艺和器件模拟,工艺仿真： 可实现离子注入、氧化、刻蚀、光刻等工艺过程的模拟。可 用于设计新工艺，改良旧工艺。 器件仿真： 可以实现电学特性仿真，电学参数提取。 可用于设计新型器件，改良旧结构器件，验证器件的电学特 性。如MOS晶体管，二极管，双极性晶体管等。或建立简约 模型以用于电路仿真。
4、,提取器件参数， 5,6,半导体工艺和器件模拟,4.该课程需要哪些基础知识 半导体物理学 半导体器件物理 MOS、BJT、Diode、功率器件等集成电路工艺技术 简单的电路基础知识,6,7,半导体工艺和器件模拟,5. 学到什么程度？ 掌握模拟仿真软件的使用，对半导体工艺、器件进行模拟和 分析。具体包括 ： 复习现有以硅为主的超大规模集成电路工艺技术。学习工艺仿真软件的使用方法（氧化、扩散、离子注入、淀积、刻蚀、光刻等工艺流程描述语句）,7,8,半导体工艺和器件模拟,2）熟悉并学会使用器件仿真软件: （1）学习如何用仿真语句编写器件的结构特征信息 （2）学习如何使用Dessis器件仿真器进行电学
5、特性仿真 （3）利用工艺器件仿真软件Dios，培养和锻炼工艺流程设 计，新器件的工艺流程设计和新器件开发等方面的技 能。,8,9,半导体工艺和器件模拟,常用工艺和器件模拟软件：TsupremIV+Medici, SilVACO, ISE_TCAD（10.0版本） 其中主要商用软件有两个：Silvaco, Sentaurus_TCAD (ISE_TCAD的升级版，是synopsys收购了ISE后整合的产品) 该课程重点介绍软件使用方法，学习工艺和器件模拟流程， 算法的研究不是重点。,9,10,10,半导体工艺和器件模拟,首先结合半导体器件制造的基本工艺，介绍ISE_TCAD平台工艺仿真指令： 半
6、导体工艺模块称为DIOS, 首先需要编写一个文件，其扩展 名必须为*_dio.cmd. 例如：PN_dio.cmd 下面结合半导体器件制备的主要工艺讲解文件中的指令用法。 几乎所有器件制备工艺都是这些工艺步骤的反复应用。 四个最基本的工艺步骤包括增层、光刻、掺杂、热处理,11,11,半导体工艺和器件模拟,1.衬底的准备： 衬底的基本参数 衬底（类型、掺杂浓度、晶向） Substrate(element=P, Concentration=5e15, orientation=100) Element不用P型N型，而用具体掺杂的杂质。 2. 增层：指在晶圆表面形成薄膜的加工工艺，主要包括： 氧化：在
7、DIOS中所有的高温工艺均用Diffusion来表示 氧化的基本参数 氧化（时间，温度，加入的气体） Diffusion(time=10min,temper=900deg,atmosphere=O2) 其他的高温过程，例如Hcl,H2O,H2O2,N2,Epitaxy, prebake, mixture,均采用Diffusion语句作为字头。,12,12,半导体工艺和器件模拟,淀积： 物理方法： 蒸发（热蒸发，电子束蒸发），溅射。 化学方法：化学气相沉积（CVD) 描述淀积的基本语句： 淀积（材料，厚度（或时间及沉积速率），类型） 类型包括各行同性、各向异性、填充式,缺省指各向同性。 Depo
8、sit（material=oxide, Thick=100nm) Deposit（material=ox,Thick=0.2um,Dtype=Fill, YFill=0.5),13,13,半导体工艺和器件模拟,3. 光刻：通过一系列步骤，将晶园表面薄膜的特定部分去除。光刻后，晶圆表面会留下微结构图形。该步骤是四个工艺步骤中最重要的，它确定器件的关键尺寸。 在DIOS中，光刻分两个步骤实现： 1）涂胶，腐蚀光刻胶的步骤忽略。 基本参数（材料，厚度，范围） Mask(material=resist, thick=1um, x(-4,-2,-1.5,4) ) 除涂胶用Mask命令以外，还可做其他材料
9、的掩膜. 例如： Mask(material=Nitride, Thick=1um） Mask(material=Poly,Thick=1um),14,14,半导体工艺和器件模拟,2) 刻蚀： 主要参数（刻蚀材料，刻蚀厚度（刻蚀速率），各向同性和 各向异性） 根据需要，一般有三种刻蚀模式： （a）等厚度刻蚀法： Etching(material=ox, remove=0.01, over=20) over为过刻蚀率的定义，它主要是在硅片表面不平整时能 保证将指定材料刻蚀完全，避免残留物对后续仿真的影响。 缺省值为10%。,15,15,半导体工艺和器件模拟,(b) 接触终止法刻蚀：去掉某一种材料
10、，直到另外一种指定材料暴露到空气中才停止刻蚀。 Etching(material=ox, stop=Sigas, over=5) （c) 刻蚀速率控制法: 可控制各向同性和各向异性速率。 Etching(material=ox, remove=0.01, Rate(isotropic=, A0=,A1=, A2=, A3=) 可通过调整A1,A2,A3,A0的值刻出任意形状，A0A3可正可 负。在刻蚀侧墙的时候，可以通过调整Isotropic和A1的大 小来调整侧墙保留保留厚度，比值越大，侧墙越薄，如果只 定义isotropic则为各向同性，只定义A1表示垂直刻蚀。,16,16,半导体工艺和器
11、件模拟,如果Etching（）括号中只有一种材料被指定，没有刻蚀速 率，则这种材料所有与空气接触部分都被去掉了。 例如：Etching(Material=Ox),所有暴露到空气中的SiO2都 将去掉。 如果材料和刻蚀速率都不写，而且只有一种材料与空气接触 的话，这种材料会被腐蚀掉，如果只有光刻胶与大气接触， 则光刻胶被去掉了。例如：Etching(),17,17,半导体工艺和器件模拟,4.掺杂 主要包括两种 1）热扩散 在扩散过程中横向扩散约占纵向扩散的7585%，扩散主要包 括杂质预沉积和再分布（推进氧化），推进工艺的温度高于 预沉积的温度。 硅的氧化需从表面开始消耗硅，表层的杂质怎样变化？
12、由杂 质导电类型确定。如果是N型掺杂，则发生所谓的堆积效 应，当氧化硅的界面提升到表面的时候，N型杂质会向硅中 分流，此效应增加了硅的新表层中的杂质数量。如果杂质为 P型的硼，会发生相反的效应。硼原子更容易溶于氧化层。 SiO2吸硼排磷,18,18,半导体工艺和器件模拟,在小尺寸器件的掺杂时，热扩散存在以下问题： 横向扩散：每次遇到高温都会发生横向扩散，则器件设计时必须留出足够的距离。导致增加管芯面积 超浅结 低杂质掺杂控制困难 高效率MOS管要求栅区的掺杂浓度小于1E15/cm3,扩散工艺不容易控制浓度。源漏区的浅结也很难控制。 表面易污染 易产生位错,19,19,半导体工艺模拟-DIOS,
13、离子注入: 离子注入是一个物理过程,克服了热扩散的许多缺点: 无横向扩散 可在室温下进行 对杂质的位置和数量控制准确 离子注入的掩膜不只采用SiO2,也可用光刻胶, Si3N4,金属Al等.,20,20,半导体工艺模拟-DIOS,离子注入缺点: 离子注入产生晶格损伤 需要激活掺入的杂质 修复晶格损伤和电激活可通过加热来实现，称为退火. 退火的温度要低于扩散的温度,防止横向扩散.退火通常在6001000C. 离子注入产生表面沟道效应. 晶圆主要晶轴对准离子束流入射方向时,离子可沿沟道深入,达到预计的10倍. 这可通过晶圆方向扭转来控制,一般将晶圆的取向偏移37,21,21,半导体工艺模拟-DIO
14、S,DIOS软件中没有预沉积命令，因此在DIOS软件中实现掺杂均 采用离子注入命令。 离子注入DIOS语句: Implantation(Element=As, Dose=5e14, Energy=50keV, tilt=0, Rotation=-90) 剂量单位的缺省值为cm-2 能量单位的缺省值是KeV Tilt 表示晶圆的倾角 Rotation表示晶圆的旋转角,22,22,半导体工艺模拟-DIOS,当有tilt倾角时,一般采取多次注入模式: 定义Numsplits参量来设置旋转的次数. 每次旋转角度为 360/Numsplits. 每次注入的剂量为总剂量的1/Numsplits, 每次注入
15、的能量、倾角、离子成分不变。 离子注入的下一步，一般要跟着退火命令。 Diffusion( time=10min, temperature=1000C),23,23,半导体工艺模拟-DIOS,5. 热处理 离子注入后有一步重要的热处理。掺杂原子的注入所造成的晶格损伤会被热处理修复，称为退火。 金属导线在晶圆上制成后，为确保良好的导电性，金属会在450C左右热处理，使其与晶圆表面紧密熔合。 通过热处理，还可使晶圆表面的光刻胶溶剂蒸发掉，得到精确图形。,24,24,半导体工艺模拟-DIOS,一、DIOS软件介绍： DIOS is a multidimensional process simulat
16、or for semiconductor devices. It simulates complete fabrication sequences including etching and deposition, ion implantation, and diffusion and oxidation with identical models in one dimension and two dimensions. Some of its capabilities are available in three dimensions.,25,25,半导体工艺模拟-DIOS,Very eff
17、icient nonlinear and linear solvers allow for the simulation of very complicated structures where10000 to 100，000 grid points can be handled. DIOS has been applied to a wide variety of technologies such as VLSI CMOS, power devices, and advanced SOI processes in leading semiconductor companies. 主流,26
18、,26,半导体工艺模拟-DIOS,A high level of control is achieved through the interactive visualization during the simulation of individual process steps. DIOS can also be used with the multidimensional device simulator DESSIS and with GENESISe in computer experiments designed to run and optimize complete simula
19、tion flows.,27,27,半导体工艺模拟-DIOS,1.1.1 Starting DIOS DIOS can be run in an interactive mode or with a command file as input. 1. DIOS is used interactively. A whole process flow can be simulated by Entering commands line-by-line. For interactive use, DIOS is started by typing the command Dios in a comm
20、and window: Dios,28,28,半导体工艺模拟-DIOS,2. Command file input Rather than entering the DIOS commands line-by-line, the required sequence of commands can be saved to a file. A command file can be written entirely by the user To save time and reduce syntax errors, it is recommended to either copy and edit
21、 an example command file from the Examples Library.,29,29,半导体工艺模拟-DIOS,If a command file has been prepared, DIOS can be run by using the command: Dios The command file name has the extension _dio.cmd,30,30,半导体工艺模拟-DIOS,1.1.2 Protocol file output A protocol file with the extension .log is automatical
22、ly created whenever DIOS is run from a command. When DIOS is run from a command file .cmd, the output file is named .log,31,31,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,Title(pn example) 该命令总是出现在DIOS最开始，对仿真进行初始化，括号中 是将图形窗口命名。 Grid (X(-4,4) Y(-3,0),Nx=8) 该命令紧跟Title命令，用来初始定义器件网格结构（称为 用户定义网格），包括器件的横向和纵向范围。Nx定义网格 x方向是由8个三角形构成。
23、,32,32,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,Substrate(element=P,concentration=5e15,orientation=100) 定义硅衬底的晶向和掺杂类型，杂质浓度 Graphic(triangle=on,plot) 仿真的可视化，显示三角形网格 Replace(Control(Ngra=8) 图形动态更新，每8个时间步长更新一次图形,33,33,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,deposit(material=Ox,thickness=0.3) 淀积方法形成SiO2氧化层，厚度缺省值单位um mask(material=resist,thick=800n
24、m,x(-4,-2,-0.5,4) 涂光刻胶，厚度0.8um, 并刻出窗口 etching(material=Ox,stop=sigas,rate(aniso=100nm/min) 刻蚀SiO2, 速率100nm/min,34,34,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,Implant(Element=B, dose=2.e15,energy=80keV,tilt=0) 形成p区 etching(material=resist,rate(aniso=100) 去光刻胶 Diffusion (time=20min,temperature=1000 atmosphere=N2) 退火,35,35,D
25、IOS命令文件- 二极管工艺流程,comment(Fabrication of electrode) 每一步工艺之前，加注释，图形会以此为标题 deposit(material=Al,thickness=0.2) 形成电极 mask(material=resist,thickness=800nm,x(-2,-0.5) 刻蚀电极图形前，需要涂光刻胶 etching(remove=0.2,material=Al,rate(aniso=100) 刻铝 etching(material=resist,rate(aniso=100) 去光刻胶,36,36,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,1D(fil
26、e=pside,Xsection(-1.0), species (Ptotal, Btotal, netactive), fac=-1,append=on) 保存一维横截面的杂质浓度数据文件，将杂质浓度保存为深度的函数，species列出选择的变量，fac坐标尺度变换因子，append on 数据填加到存在的文件中。 1D(file=nside,Xsection(2.0),species(Ptotal),fac=- 1,append=on) 另一个横截面数据,37,37,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,save(file=diode) 将文件保存成diode_dio.grd.gz文件格式
27、save(file=diode,type=MDRAW, synonyms(Al=metal) 将文件保存成MDRAW识别的形式，synonyms，将Al看成是金属。该命令用来保存器件的最终结构，在save命令执行后，文件可以用DESSIS载入进行电学特性仿真。,38,38,DIOS命令文件- 二极管工艺流程,contacts(contact1(name=anode,-2,-0.5) contact2(name=cathode,location=bottom) 定义电极及其位置 MinElementWidth=0.02,MaxElementWidth=0.1 MinElementHeight=0
28、.02,MaxElementHeight=0.1) 用于接下来进行MDRAW处理 定义网格的综合优化标准(缺省值） End DIOS文档必须以此为结尾。,39,39,DIOS命令文件,强调 沉积金属电极的步骤简化 将deposit(material=Al,thickness=0.2) mask(material=resist,thickness=800nm,x(-2,-0.5) etching(remove=0.2,material=Al,rate(aniso=100) etching(material=resist,rate(aniso=100) 可用一个步骤代替： mask(materia
29、l=Al, thickness=0.2, x(-2,-0.5),40,40,DIOS命令文件,2. save(file=diode,type=MDRAW,synonyms(Al=metal) 生成两个文件 diode_mdr.bnd diode_mdr.cmd 前一个文件：有关区域边界描述 后一个文件：包含MDRAW可识别命令参数 作为MDRAW的输入文件。 Synonyms(Al=metal), synonyms同义词，将Al看成是金 属，计算时，在这个区域不加网格，该区域不再有材料属 性，成为边界。,41,41,DIOS命令文件,4. 查看DIOS输出文件 .log 文件名指DIOS文件的
30、主文件名 模拟过程均在此文件中，可以查看。,42,42,DIOS命令文件,5. Linux系统下拷贝文件操作 插入优盘或移动硬盘 进入root 根目录,用户名：root , 密码：mylove 查看磁盘分区：fdisk l 会显示硬盘和移动盘的分区情况 建usb目录：mkdir P /mnt/usb 挂载：mount -t vfat /dev/sda(sdb) /mnt/usb 二、 Ligament操作流程,43,43,DIOS-Ligament操作命令,GENESISe 点OK 点Project 点new 选择 New project 保存 save as, 起个名字：例如/home/is
31、e/1, 点OK 右键点击No tool图标，点Add 从Tool中选择 dios 双击，弹出对话框，一定要选中use Ligament, 点ok, 再点ok 右键点击Dios图标，选择Edit input Ligament Flow 选择最上面第二列“Edit”, 点 Add Process Header. 其作用就是首先 生成一个模拟文件的框架。你会发现左面窗口多了3项：,44,44,DIOS-Ligament操作命令,45,45,DIOS-Ligament操作命令,第1项：environment: 对模拟系统进行环境描述。 鼠标点environment, 弹出以下界面：,46,46,DI
32、OS-Ligament操作命令,必须要修改的是其中的3项 Title: 起个名字。 simulator：要用的工艺模拟工具名称，ligment就是个界面 化的输入文件编辑器，针对不同的工具要选择不同的模式， 现在选择dios，点击ok. region：是模拟的一个范围，在2D模拟中就是一个线段， 该线段就是对你要模拟的部分的切口。比如选择0 0 8 0,47,47,DIOS-Ligament操作命令,第2项: 衬底特性设置,48,48,DIOS-Ligament操作命令,从图中特性输入框中可看出，衬底的特性包括：衬底的晶 向，掺杂类型，掺杂浓度和电阻率，可根据实际情况填写， 例如，dopant
33、从菜单中选择硼，浓度5e14，晶向100。 第3项: comment，该部分就是对所模拟项目的一个说明。 把这三项填写完之后就开始具体工艺流程，方法是从 Ligment右下角的process栏中拽取相应的图标到左面的流 程表中。,49,49,DIOS-Ligament操作命令,以PN结二极管工艺流程为例： 1. Deposit SiO2,从ligment右下角的process栏中拽取deposit 到流程中. 2. Pattern2d, 不用MASK 3. Etch SiO2 4. Implant 5. Etch resist 6. Anneal, 不用diffusion 7. Deposit
34、 Al 8. Pattern2d 光刻胶掩膜版,50,50,9. Etch Al 10. Etch resist 11. Insert: 1D(file=nnode_implant,spec(netactive, Btotal), Xsection=4, append=on) 12. Insert: 1D(file=nnode_implant,spec(netactive, Ptotal), Xsection=7, append=on) 13. Insert: Save(file=nnode, type=mdraw,synoyms(Al=metal) Contact(contact1(name
35、=anode, 3,5) contact2(name=cathode,location=bottom),DIOS-Ligament操作命令,51,51,DIOS-Ligament操作命令,最终工艺流程,52,52,DIOS-Ligament操作命令,Environment,53,53,DIOS-Ligament操作命令,Substrate,54,54,DIOS-Ligament操作命令,Comment,55,55,DIOS-Ligament操作命令,Deposit,56,56,DIOS-Ligament操作命令,Pattern2d,Segments 单位不要忘了，输入单位，用鼠标右键,57,5
36、7,DIOS-Ligament操作命令,Etch SiO2,58,58,DIOS-Ligament操作命令,Implant,59,59,DIOS-Ligament操作命令,Etch resist,60,60,DIOS-Ligament操作命令,Anneal,61,61,DIOS-Ligament操作命令,Deposit Al,62,62,DIOS-Ligament操作命令,Pattern2d,63,63,DIOS-Ligament操作命令,Etch Al,64,64,DIOS-Ligament操作命令,Etch resist,65,65,DIOS-Ligament操作命令,Insert: 在d
37、ios名下输入： 1D (file=nnode_implant1,spec(netactive, Btotal), Xsection=4, append=on) Insert: 1D(file=nnode_implant2,spec(netactive, Ptotal), Xsection=7, append=on),66,66,DIOS-Ligament操作命令,Insert: Save( file=nnode, type=mdraw, synonyms(Al=metal) Contact (contact1(name=anode, 3, 5) Contact2(name=cathode,l
38、ocation=bottom) ） ),67,67,DIOS-Ligament 操作命令,编辑完Ligament Flow后，保存，关闭。 运行,68,68,半导体器件结构编辑-MDRAW,启动MDRAW：在$提示符下输入 mdraw,Message box,首选项区,69,69,半导体器件结构编辑-MDRAW,Tool Zone,首选项区,环境区,点击dopping后,70,70,半导体器件结构编辑-MDRAW,绘制器件的流程举例：突变结二极管 总体看来（对任何器件），分四步： 绘制器件几何结构 填加电极 掺入杂质 加网格,71,71,半导体器件结构编辑-MDRAW,1. 绘制器件结构,点击
39、首选区的“ Exact cordination”, 再点工具区的”Add Rectangle”, 用鼠标在会图区画一个框，将弹出精确坐标对话框,72,72,半导体器件结构编辑-MDRAW,73,73,半导体器件结构编辑-MDRAW,填入数据 x(-5,5),y(-3,3),74,74,半导体器件结构编辑-MDRAW,菜单栏中的“material” 点击开后，不同材料以不同的颜色显示，还可人为添加”菜单中没有的“新材料”,75,75,半导体器件结构编辑-MDRAW,2. 加电极,点击”contact区“的”Add Contact”以及”Tool Zone”的”Set/unset Contact”
40、 给电极起名字，例如分别叫“anode”和”cathode” 用鼠标分别点击左右边界，颜色变红即选上。,76,76,半导体器件结构编辑-MDRAW,3. 掺入杂质,77,77,半导体器件结构编辑-MDRAW,P,N,掺入杂质后，形成 P 区和 N 区,78,78,半导体器件结构编辑-MDRAW,4. 添加细化网格,79,79,半导体器件结构编辑-MDRAW,Meshbuild Mesh后，显示如下图形,80,80,半导体器件结构编辑-MDRAW,保存 File: Save all，将文件取名为PN_mdr.bnd,81,81,半导体器件结构编辑-MDRAW,保存后自动生成两个文件： PN_md
41、r.grd, PN_mdr.dat 器件结构绘制结束后，点击菜单栏的View下的“ List of profiles” “List of Refinements”等可以看到绘制时的数据 信息。,82,82,半导体器件结构编辑-MDRAW,练习： 导入已存在器件结构 File Open. The Open dialog box is displayed. 找到相应的文件（以_mdr.bnd为扩展名的文件） 练习：将前面生成的工艺文件用MDRAW打开。,83,83,半导体器件结构编辑-MDRAW,器件编辑练习： 加“点” To add points to the device: 1. From t
42、he Tools area, click Add Point. 2. Click the place where the point is to be added. The new point is inserted on the closest edge.,84,84,半导体器件结构编辑-MDRAW,加点,85,85,半导体器件结构编辑-MDRAW,移动点 To move a single point: 1. From the Tools area, click Move Point. 2. Drag the pointer until it reaches its final locati
43、on.(A shortcut is to press and hold the middle mouse button, and move the point.),86,86,半导体器件结构编辑-MDRAW,移动点,87,87,半导体器件结构编辑-MDRAW,删除器件的一部分 The Delete tool in the Tools area allows users to delete regions, interfaces, points, or groups of points depending on the selected entity on the screen. To dele
44、te regions: 1. From the Tools area, click Delete. 2. Click the region to be deleted. To delete interfaces: 1. From the Tools area, click Delete. 2. Click the interface to be deleted.,88,88,半导体器件结构编辑-MDRAW,NOTE The interface is deleted only if it is interfacing two regions of the same material. To de
45、lete a single point: 1. From the Tools area, click Delete. 2. Click the point to be deleted. To delete a group of points: 1. From the Tools area, click Delete. 2. Drag the pointer so that a frame encloses the points to be deleted.,89,89,半导体器件结构编辑-MDRAW,90,90,半导体器件结构编辑-MDRAW,91,91,半导体器件结构编辑-MDRAW,改变
46、电极名 或者 区域名 To change the name of a contact or region: 1. From the Tools area, click Information. 2. Click the contact or region to be renamed. A dialog box is displayed. 3. Enter the new name. 4. Click OK.,92,92,半导体器件结构编辑-MDRAW,93,93,半导体器件结构编辑-MDRAW,To add a new contact: 1. Under Contacts, click Add
47、 Contact. 2. Enter the name of the new contact. 3. Click OK. To delete a contact: 1. Under Contacts, click Delete Contact. 2. Select a contact name from the list. 3. Click OK.,94,94,半导体器件结构编辑-MDRAW,定义新层 There are three ways to add new layers: 1）add a layer around the device 2）cut a layer by splittin
48、g it into two new layers 3）define a hole or a rectangular layer in an existing layer.,95,95,半导体器件结构编辑-MDRAW,加一个新层 To add a complex layer around the device: 1. From the Materials menu, select a material. 2. From the Tools area, click Multiline. 3. Click the point where the new layer is to begin or cl
49、ick any place outside the device. 4. Continue clicking outside the device to define the remainder of the points. 5. Right-click to complete the multiline.,96,96,半导体器件结构编辑-MDRAW,97,97,半导体器件结构编辑-MDRAW,To add a simple (rectangular) layer around the device: 1. From the Materials menu, select a material. 2. From the Tools area, click Add Rectangle. 3. Drag the pointer until one corner (or more) of the rectangle touches a point in the device.,98,98,半导体器件结构编辑-MDR