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1、1.1 非揮發性記憶體,1、唯讀記憶體（簡稱ROM） Read Only Memory 在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合 .它的读取速度比RAM慢很多。,1.1 非揮發性記憶體,2、可程式化唯讀記憶體（簡稱PROM） Programmable Read Onl
2、y Memory 由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。,1.1 非揮發性記憶體,3、可消除性可程式化唯讀記憶體（簡稱EPROM） Erasable Programmable ROM 芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，
3、在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=1224V，随不同的芯片型号而定）。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。,1.1 非揮發性記憶體,4、電子式可消除性可程式化唯讀記憶體（簡稱EEPROM） Electrically Erasable Programmable ROM 用户可更改的只读存储器（ROM），其可通
4、过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。 EEPROM,一般用于即插即用（Plug & Play）。常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据，也常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁“上面。,1.1 非揮發性記憶體,5、快閃式唯讀記憶體（Flash ROM） 这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉
5、，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。,1.1 非揮發性記憶體,6、遮罩式唯讀記憶體（Mask ROM） 制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。,1.2 揮發性記憶體,1、 動態隨機存取記憶體（簡稱為DRAM） Dynamic Random Access Memory 这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的
6、充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为24ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。,1.2 揮發性記憶體,2、同步動態隨機存取記憶體（Synchronous DRAM） 这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3.3V。 所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。,1.2 揮發性記憶體,3、快速頁面模式動態隨機存取記憶體（簡稱FPM DRAM） Fast Page M
7、ode DRAM 改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，F
8、PM DRAM被大量使用。,1.2 揮發性記憶體,4、延伸資料輸出動態隨機存取記憶體（簡稱EDO DRAM） Extended Data Out DRAM 这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM DRAM那样在存取每一BIT 数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15%左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO DRAM，到96年后期，EDO DRA
9、M开始执行。,1.2 揮發性記憶體,5、雙倍數同步動態隨機存取記憶體 （Double Data Rate RAM，簡稱為DDR-SDRAM） 作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay Locked Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。,1.3 Rambus DRAM,6、Rambus DRAM，簡稱為RDRAM 高频动态随机存取存储器 Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此
10、它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。,1.3 Rambus DRAM,7、虛擬通道同步動態存取記憶體（VCM） (Virtual Channel Memory) 是NEC于1999年推出的一种“缓冲式DRAM”内存架构。该技术采用了所谓的“通道缓冲”，又高速寄存器进行配置和控制。,1.3 Rambus DRAM,8、同步圖形動態隨機存取記憶體（簡稱SGRAM） Synchronous Graphics RAM SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，
11、并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。,1.3 Rambus DRAM,9、影像動態隨機存取記憶體（簡稱VRAM） Video RAM 它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。多用于高级显卡中的高档内存。,1.3 Rambus DRAM,10、加強型同步動態存取記憶體（簡稱ESDRAM） Enhanced Synchronous DRAM Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器
12、。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了SRAM（静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。,1.3 Rambus DRAM,11、快速循環週期同步動態隨機存取記憶體（FCRAM） Fast Cycle RAM FCRAM的主要优势包括DRAM密度与接近SRAM速度的随机循环性能、可实现快速随机存取循环时间的专有核心技术、可提供更短随机存取及循环时间的架构以及结合传统DDR接口(采用一种成本效益更高的DRAM技术)的高带宽等。,1.4 靜態隨機存取記憶體,12、靜態隨機存取記憶體（簡稱SRAM） Static RAM 静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时
13、进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。,1.4 靜態隨機存取記憶體,13、非同步靜態隨機存取記憶體（Async SRAM） 为异步SRAM这是一种较为旧型的SRAM，它在运作时独立于计算机的系统时脉外。 14、同步靜態隨機存取記憶體（Sync SRAM） 與系統相同時鐘頻率的記憶體。,1.4 靜態隨機存取記憶體,15、管線爆發靜態隨機存取記憶體（PB SRAM） Pipeline Burst SRAM CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。,1.5 延伸資料輸出動態隨機存取記憶體,1.6雙倍數同步動態隨機存取記憶體,