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1、第三章 外部存储器接口(EMIF),3.1 概述,外部存储器接口的用途 为DSP芯片与众多外部设备之间提供一种连接方式，EMIF最常见的用途就是同时连接FLASH和SDRAM。 EMIF性能优良，跟外部SDRAM和异步器件连接时，具有很大的方便性和灵活性。根据DSP器件的不同，EMIF数据总线可以是32位或16位的。,SRAM vs DRAM,SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。 同时，我
2、们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容可以任意顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。 DRAM是Dynamic RAM的缩写，中文含义为动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，许多都有页模式。SDRAM：Synchronous DRAM，即数据的读写需要时钟来同步。 一个是静态的，一个是动态的，静态的是用的双稳态触发器来保存信息，而动态的是用电子，要不时的刷新来保持。 DRAM容量大，SRAM容量小,SDRAM的结构,
3、Flash-ROM（闪存）已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存，与 EEPROM 相比具有读写速度快，而与 SRAM 相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于 NOR 和 NAND 结构的闪存是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 Intel 于 1988 年首先开发出 NOR flash 技术，彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下的局面。紧接着，1989 年东芝公司发表了 NAND flash 技术（后将该技术无偿转让给韩国 Samsung 公司），强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。 NOR 的特点是芯片内执行（XIP，eXecute
4、 In Place），这样应用程序可以直接在闪存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。NOR 的传输效率很高，在 14MB 的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的 U 盘都使用 NAND 闪存做为存储介质的原因。应用 NAND 的困难在于闪存和需要特殊的系统接口。,FLASH ROM,NAND flash和NOR flash的对比,性能比较 闪存是非易失内存，可以对称为块的内存单元块进行擦写和再编程。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所
5、以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。 NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。,接口差别 NOR 闪存带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。 NAND闪存使用复杂的I/O口来串行地存取资料，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理
6、此类操作，很自然地，基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。,NAND flash和NOR flash的对比,容量和成本 NAND 闪存的单元尺寸几乎是NOR闪存的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。 NOR 闪存容量为116MB，而NAND 闪存只是用在8MB以上的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于资料存储，NAND在 CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。,NAND flash和NOR flash的对比,可靠性和耐用性 寿命
7、(耐用性)：在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。 位交换：位反转的问题更多见于NAND闪存，如果用来存储操作系统、配置文件或其它敏感信息时，必须使用EDC/ECC算法以确保可靠性。 坏块处理：NAND器件中的坏块是随机分布的，需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。,NAND flash和NOR flash的对比,易于使用 可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其它内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。 由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续
8、执行其它操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映像。,NAND flash和NOR flash的对比,3.2 EMIF寄存器,偏移量 缩写 说明 04h AWCCR 异步等待周期配置寄存器 08h SDCR SDRAM配置寄存器 0Ch SDRCR SDRAM刷新控制寄存器 10h A1CR 异步1配置寄存器 20h SDTIMR SDRAM时序寄存器 3Ch SDSRETR SDRAM自刷新退出时序寄存器 40h EIRR EMIF中断寄存器44h EIMREMIF中断屏蔽寄存器 48h EIMSR EMIF中
9、断屏蔽设置寄存器 4Ch EIMCR EMIF中断屏蔽清除寄存器 60h NANDFCR NAND Flash控制寄存器 64h NANDFSR NAND Flash状态寄存器 70h NANDF1ECC NAND Flash1纠错码寄存器(CS2空间),3.3 EMIF结构和操作,3.3.1 EMIF引脚描述 1、SDRAM专用EMIF引脚 2、异步储存器专用引脚 3、访问SDRAM和异步 存储器的EMIF引脚,3.3 EMIF结构和操作,访问SDRAM和异步存储器的EMIF引脚,3.3 EMIF结构和操作,SDRAM专用EMIF引脚,3.3 EMIF结构和操作,异步储存器专用引脚,3.3.
10、2 时钟控制,EMIF 的内部时钟来自DSP 的锁相环(PLL)控制器的SYSCLK3时钟模块，不能直接利用外部输入时钟。SYSCLK3时钟模块的频率通过对锁相环控制器的乘法器和除法器的设置来进行控制。 EMIF的时钟是通过EM_CLK引脚输出的，可在跟外部存储器连接时使用。EMIF时钟(EM_CLK)在器件复位期间不工作，释放复位引脚后PLL控制器不再对器件复位，EM_CLK重新开始以PLL控制器设定的频率输出时钟信号,3.3.4 SDRAM控制器和接口,EMIF可以跟大多数标准SDRAM 器件进行无缝接口，并且支持自刷新模式和优先刷新。另外，有些参数可通过编程来设定，如刷新速率，CAS延迟
11、和很多SDRAM时序参数，这样就提供了很大的灵活性。 EMIF支持与具有下列特点的SDRAM器件的无缝连接： Pre-charge 位为A10 列地址位数为8. 9或10 行地址位数根据DSP器件不同可以变化： 对于有12位EMIF地址引脚的DSP：11或12位行地址位 对于有13位EMIF地址引脚的DSP：11. 12或13位行地址位 内部存储区数为1. 2或4,EMIF与2Mx16x4 SDRAM的连接图,EMIF与2Mx32x4 SDRAM的连接图,EMIF与双4Mx16x4 SDRAM的连接图,SDRAM读操作,当EMIF收到任一个SDRAM的读操作请求时，就会进行一个或多个读访问。,
12、当EMIF收到任一个SDRAM的写操作请求时，EMIF就会进行一个或多个写访问操作。,SDRAM写操作,3.3.5 异步控制器和接口,EMIF可以很容易的与各种异步器件直接连接，这些异步器件包括NOR Flash，NAND Flash和 SRAM。 两种主要运行模式的对比 ：,1. 异步存储器接口 EMIF的地址引脚EM_Ax:0给出的一般是32位字地址的最低有效位。 BA1:0引脚或者给出半字和字节选择信号，或者给出EM_A23:22的信号，这取决于异步1 配置寄存器 (A1CR)中数据总线宽度的配置。,3.3.5 异步控制器和接口,1. 异步存储器接口 a) EMIF与8位存储器的接口 b
13、) EMIF与16位存储器的接口 c) EMIF与32位存储器的接口,3.3.5 异步控制器和接口,图a 给出了EMIF与一个字节使能的外部存储器的接口图。使用这个接口时EMIF要工作在选择触发模式，这样EM_WE_DQM就作为字节使能端工作。 图b给出了当EMIF同一个字节使能的外部存储器的接口时，也可以处于WE触发模式，但是此时BE1:0要被置为低电平，而不是跟EM_WE_DQM1:0引脚相连。在这种接口状态下，不能进行字节写操作。 图c EMIF同多个8位存储器的接口图。在这种情况下，EM_WE_DQM信号跟存储器的WE相连，使用这个接口时EMIF要工作在WE触发模式，这样就可以对外部存
14、储器进行字节操作。,3.3.5 异步控制器和接口,异步1配置寄存器(A1CR),3.3.5 异步控制器和接口,3.3.5 异步控制器和接口,WE触发模式下异步读周期的时序,3.3.5 异步控制器和接口,WE触发模式下异步写周期的时序,3.3.5 异步控制器和接口,选择触发模式下异步读周期的时序,3.3.5 异步控制器和接口,选择触发模式下异步写周期的时序,EMIF与SDRAM和Flash的硬件连接图 Flash有三个地址输入源 EM_WE引脚接到了Flash的WE输入端，EMIF运行在选择触发模式下,3.4 配置举例,3.4.2 SDRAM接口配置,1). 对PLL的编程 2). SDRAM时序寄存器(SDTIMR)的设置,3.4.2 SDRAM接口配置,3). SDRAM自刷新退出时序寄存器(SDSRETR)的设置,3.4.2 SDRAM接口配置,4). SDRAM刷新控制寄存器(SDRCR)的设置,3.4.2 SDRAM接口配置,5). SDRAM配置寄存器(SDCR)的设置,