第3章光源光电器件33节.ppt

《第3章光源光电器件33节.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第3章光源光电器件33节.ppt（26页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、3.3 激光光源,激光光源的优点方向性强、单色性好、相干性好、光亮 度高等。 激光器的分类 1.按激光器工作物质的种类分 固体激光器 气体激光器 液体激光器 半导体激光器 2.按激光器工作方式分 连续型激光器 超短脉冲型激光器 脉冲型激光器 Q突变型激光器,3.3.1 半导体激光器的分类 半导体激光器，也称激光二极管(Laser Diode，简称LD)， 是以半导体材料作为激光工作物质的一类激光器。它可分为 1.从半导体激光器的反射激光看 半导体结型二极管注入式激光器 垂直腔表面发射半导体激光器 2.从结型看 同质结激光器 异质结激光器 3.从制造工艺看 一般半导体激光器 分布反馈式半导体激光

2、器 量子阱半导体激光器,4.从阵列看 单元阵列 一维线阵列 二维面阵列 5.从发光的光谱看 可见光半导体激光器 非可见光半导体激光器 3.3.2 激光的产生机理 光的吸收与发射和原子、分子等粒子的能量状态改变相关 联。当粒子从高能级跃迁到低能级时发出辐射光子，而当粒子 从低能级跃迁到高能级时吸收光子。激光的产生机理一般涉及 受激辐射、粒子数反转与谐振三个关键问题。 1.自发辐射与受激辐射 设E1为基态能级，E2为激发态能级。在常温下大部分电子 处于基态。当原子在E1与E2两个能级之间跃迁时将产生自发辐 射、受激辐射和受激吸收三个基本过程。,自发辐射的特点 每个原子的跃迁是独立的 自发进行的，它

3、们彼此毫无关 系，因而发出的辐射是杂乱无 章的非相干光。 自发辐射的寿命就是原子 处于激发态的平均时间，一般 在10-910-3 s。,图3-24 原子的自发辐射、受激辐射和受激吸收示意图,受激辐射 当能量hv的辐射作用在处于受激能级E2的原子上时，原子 因受激而从不稳定的受激能级E2跃回到基态，并发射出频率、 位相和方向都与入射辐射光子相同的能量为hv的光子。 受激吸收 原子接受辐射能hv从基态能级E1跃入受激能级E2受激吸收 的过程。原子在激发态时不稳定的，在没有任何外界刺激的条 件下，又自发返回基态的趋势，并放出能量为hv的光子。 产生激光的必要条件受激辐射占主导地位。,2.粒子数反转-

4、分布反转 要使激光工作物质的受激辐射占主导地位，就必须从外部 给工作物质提供能来能量，使处于激发态的载流子数远大于处 于基态的载流子数。也就是把载流子的正常分布倒转过来，称 为粒子数的反转或粒子分布的反转状态。 粒子数的反转是使受激辐射从次要地位转化为主导地位的 必要条件，也是产生激光发射的必要条件。 使激光物质产生粒子反转的方法有： 固体激光器常采用适当谱线的强光对激光物质进行照射； 气体激光常采用使气体电离的方法； 半导体激光器采用注入载流子的方法。,3.谐振腔 产生谐振的方法 在激光物质的两侧放置相互平行的反光镜，形成光的“共 振”现象。通常将能使光产生“共振”的装置称为“共振腔”或“谐

5、 振腔”。 自发辐射的方向不与谐振腔轴线平行的光子将被反射出腔 外，只有与轴线平行的自发辐射光子才能产生“共振”现象而被 增强，形成受激辐射。即平行于腔轴的光子在腔内的两个反射 面上来回反射，反复通过工作物质，依靠受激辐射，光子每通 过一次工作物质便得到一次增强，使光子数不断增长。 产生激光的又一个必要条件谐振腔,受激辐射的光子在谐振腔中来回多次反射的过程中，因 散射、投射和吸收等原因而受到损耗。如果光子在腔内来回 一次所感生出来的光子数比损耗掉的多得多，便可以产生激 光谐振。同时光在两反射面之间的反射形成两列相反方向传 播的光波，只有这两列光波叠加形成驻波时，这种振荡才是 稳定的。 产生稳定

6、的振荡条件： 共振腔的长度L恰好等于辐射光半波长的整数倍，即 （3-9） 式中，n为与波长相关的介质折射率；m为正整数。对于不 同的m值，将有不同波长的驻波相对应。,通常将在共振腔内沿腔轴方向的各种可能的驻波叫做谐 振腔的纵模。谐振腔的谐振频率或称纵模频率，即 v=mc/2nL （3-10） 纵模频率v只与腔体长度L及介质材料的折射率n有关。与其他 参数无关。 获得激光输出的3个必要条件为： 必须将处于低能态的电子激发或泵浦到较高能级上去， 为此需要泵浦源； 要有大量的粒子数反转，使受激辐射足以克服损耗； 有一个谐振腔为出射光子提供正反馈极高的增益，用以 维持受激辐射的持续振荡,法布里-珀罗腔

7、 在半导体激光器中， 两端的解理面起到反射镜 的作用。图3-24所示为不 需外加反射镜的法布里 珀罗腔光学谐振腔。,图3-24 法布里-珀罗光学谐振腔,解理面作为反射镜的反射率为 （3-11） 式中，n为增益介质的折射率，其典型值为3.5，解理面的 反射率为30%。 阈值增益只有当增益等于或大于总损耗时，才能建立起 稳定的振荡。这一临界增益被称为阈值增益。 阈值电流为达到阈值增益所要求的注入电流。 设一振幅为E0，频率为，波数K=n/c的平面波，在长 度为L、功率增益系数为g 的光腔中往返一次后，其振幅将增,大到exp(g/2)(2L)倍，相位变化为2KL，考虑到激光器内的各 种吸收和散射损耗

8、及端面透射输出，振幅变化为 R1、R2为端面反射率，int为腔内总损耗率。在稳定工作时，平 面波在腔内往返一次强度E0应保持不变。即 （3-12） 令等式两边振幅和相位分别相等，则得 （3-13） （3-14） 式中，K=2nv/c，m为整数。,激光稳定工作的条件振幅条件和相位条件。 振幅条件规定增益和电流的最小值 相位条件规定激光器的振荡频率v 必为v =mc/2nL中的 一个频率。这些频率对应于纵向模式（简称纵模），并与光学 谐振腔的长度有关。 一个纵模只有在其增益大于或等于损耗时，才能成为工作 模式，即在该频率上形成激光输出。,多（纵）模激光器-有2个以上纵模激励的激光器。 单（纵）模激

9、光器在谐振腔中加入色散元件或采用外腔 反馈等方法，可以使激光器只有一个模式激励,图3-25 激光器纵模分布及增益曲线,3.3.3 半导体激光器 半导体激光器有 电子束激励式 注入式应用最普遍 1.PN结型二极管注入式激光器 结构与原理 根据产生激光所必须具备的条件，激光器一般由三部分组 成，即 激发装置（泵源） 工作物质 谐振腔 激光器的结构 工作物质制成PN结并切成长方块。为实现分布反转，结区 的两侧都要求是重掺杂半导体材料，使费米能级分别进入导带 及价带内。左、右两面是二极管的辐射输出端面，由一对相互,图3-26 结型半导体激光器结构,平行的解理面或抛光面构成，并与结平面垂直，这对平面构成

10、 了端部反射器。前后两面是粗糙的，用来消除主要方向以外的 激光作用。焊上引出线后，为二极管提供的电流就从引出线流 向散热器。,原理 结型激光器所用的半导 体材料是重掺杂半导体，能 带结构如图3-27(a)所示。 平衡态时，P区价带顶没有电 子，N区导带底有高浓度的电 子。,图3-27 结型激光器的能带结构,当PN结加上正向偏压后，势垒降低，外加电压U使N区和P区 的费米能级分开并分别进入导带和价带内。由于势垒降低，大量 电子由N区越过势垒与P区的空穴符合，发射出能量等于hv的光子。 空穴也可由P区流入N区域电子复 合发射光子。 当外加电压足够大(qUEg)时， 在势垒区和它的两侧一个扩散 长度

11、范围内将出现一个分布反 转区，这就是发射激光的工作 区。再加上端面反射的反馈便 会产生激光。,图3-27 结型激光器的能带结构, 主要特性 激光阈值条件及影响阈值的因素 在激光器中，要维持激光振 荡，不仅需要是光子的产生速率 超过吸收速率，而且还要超过光 子在结区的损耗率，以抵偿吸收 与损耗的光子。 Ith为阈值电流-达到阈值增 益时注入的电流密度。,图3-28 激光器的输出特性曲线,影响阈值的因素 实验条件衬底相同、共振腔的长度不同时，在不同温度 下进行实验。 a.Ith与激光器长度L有关，激光 器长度L越大， Ith越小； b.Ith与二极管表面反射率有关； c.Ith与结区表面透过损耗有

12、关； d.Ith与结区附近物质的吸收损耗 有关；,图3-29 典型GaAs激光器的阈值电流Ith与腔长的关系,e.Ith与温度有关；在室温以下的全部温度范围内都能保持良好 的线性关系，在低温下Ith随掺杂浓度而增大，在高温下与T3 成正比；要达到同一增益，低温下所需的Ith小，高温下所需 的Ith大，所以半导体激光器多在低温下使用； f.Ith与单轴向压力(指在一个轴的方向上加压力)有关，Ith随单 轴向压力增大而减小； g.Ith外加磁场有关，Ith随外加磁场强度的增大明显减小，并趋 于稳定值。 半导体激光器的阈值电流都比较大。阈值电流很高的激光 器，通常用脉冲电流来激励，以降低平均热损耗。

13、, 频谱分布 结型激光器的频谱分布取决于组成激光器的半导体材料， 在低于激光阈值时，因为频谱 来源于自发发射过程，它的光是非 相干的，所以谱线相当宽。随着电 流的增大，受激辐射逐渐增强，当 电流增大到阈值以上，发生共振， 发射谱线强度剧增，同时变窄，光 强与增益系数呈指数关系。 在某一特殊频率时被增强得最多，这个特定频率为谐振腔 内形成的驻波频率，也是激光发出的激光频率。,图3-30 GaAs激光器光谱分布曲线,2.异质结激光器 为了降低激光器在室温下的阈值电流，实现室温下的连续 振荡。 单异质结激光器 由于GaAs和AlxGa1-xAs禁带宽度不同，因而在界面处形成 了较高的势垒，使从N-G

14、aAs注入到P-GaAs中的电子继续向P型 铝镓砷扩散时受到阻碍，同没有这种势垒存在时比较，P-GaAs 层内的电子浓度增大，辐射复合的几率提高。 P型铝镓砷对来自P-GaAs的发光吸收系数小，损耗小。由 于铝镓砷的折射率较GaAs低，限制了光子进入铝镓砷区，使光 受到反射而局限在P-GaAs区内，减小了非受激区对光的吸收。,单异质结激光器在低温下阈值电流密度与同质结差不多， 但在温度变化时，单异质结激光器得阈值随温度的变化较小， 如室温下的阈值电流密度可降至8000 A/cm2，但也只能实现室 温下的脉冲振荡。,图3-31 单异质结激光器的能带结构, 双异质结激光器 双异质结激光器的阈值电流进一步降低到10003000 A/cm2， 实现了室温下的连续振荡。实验证明，阈值电流随温度的变化 也较小。,图3-32 双异质结激光器的能带结构,3.半导体激光器的应用 半导体激光器自1962年问世以来，发展极为迅速。特别 是进入20世纪80年代，借用微电子学制作技术，现已大量生 产半导体激光器。以半导体LD条和LD堆为代表的高功率半导 体激光器品种繁多。 LD在激光通信、光纤通信、光存储、光陀螺、激光打印、 光盘录放、测距、制导、引信以及光雷达等方面已经获得了 广泛应用，大功率LD可用于医疗、加工和作为固体激光器的 泵浦源等。,