第3章半导体中载流子的统计.ppt

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1、第3章 半导体中载流子的统计分布, 3.1 状态密度 3.2 费米能级和载流子的统计分布 3.3 本征半导体的载流子浓度 3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.6 简并半导体,热平衡状态,在一定温度下，存在： 产生载流子过程电子从价带或杂质能级向导带跃迁； 复合过程电子从导带回到价带或杂质能级上。 在一定的温度下，给定的半导体中载流子的产 生和消失这两个相反过程之间建立起动态平 衡，称为热平衡状态。,第3章 半导体中载流子的统计分布,Ec,Ev,产生,复合,ED,第3章 半导体中载流子的统计分布,问题：热平衡时，求半导体中的载流子浓度? （对确定的材料,载流子

2、浓度与温度有关,与掺杂有关.) 分别讨论本征半导体和杂质半导体 途径：半导体中,允许的量子态按能量如何分布求状态密度g(E) + 载流子在允许的量子态上如何分布讨论分布函数f(E), 从而得到载流子浓度n(T)及p(T),第3章 半导体中载流子的统计分布,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,状态密度 计算步骤 计算单位k空间中的量子态数； 计算单位能量范围所对应的k空间体积； 计算单位能量范围内的量子态数； 求得状态密度。,定义：能带中单位能量范围内的状态数（量子态数）,3.1.1 k空间中量子态的分布,对于边长为L的立方晶体 kx = nx/L (nx = 0, 1, 2, )

3、 ky = ny/L (ny = 0, 1, 2, ) kz = nz/L (nz = 0, 1, 2, ),单位体积k空间内共有2V种状态,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,3.1.2 状态密度,1.导带底E(k)与k的关系（单极值，球形等能面） 球面包含的量子态数,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,E是连续（准连续），求微分 导带底附近状态密度 价带顶附近状态密度,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,2. 对于各向异性，等能面为椭球面 椭球面包含的量子态数,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,晶体对称性，极值附近对应椭球不止一个，

4、若有s个对称椭球，导带底附近状态密度 硅锗半导体等能面为椭球面，即,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,则状态密度（必记） mdn称为导带底电子状态密度有效质量。 对于Si，导带底有六个对称状态，s=6 mdn =1.08m0 对于Ge，s=4 mdn =0.56m0,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,同理可得价带顶附近的情况 价带顶附近E(k)与k关系 价带顶附近状态密度,第3章 半导体中载流子的统计分布3.1 状态密度,其中 mdp称为价带顶空穴状态密度有效质量 对于Si，mdp=0.59m0 对于Ge，mdp=0.37m0,第3章 半导体中载流子的统计分布3

5、.1 状态密度,3.2.1 导出费米分布函数的条件 把半导体中的电子看作是近独立体系,即认为电子之间的相互作用很微弱. 电子的运动是服从量子力学规律的,用量子态描述它们的运动状态.电子的能量是量子化的,即其中一个量子态被电子占据,不影响其他的量子态被电子占据.并且每一能级可以认为是双重简并的,这对应于自旋的两个容许值. 在量子力学中,认为同一体系中的电子是全同的,不可分辨的. 电子在状态中的分布,要受到泡利不相容原理的限制. 适合上述条件的量子统计,称为费米-狄拉克统计.,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,3.2.2 费米分布函数和费米能级 热平衡时,能量为E的

6、任意能级被电子占据的几率为,其中,f(E)被称为费米分布函数,它描述每个量子态被电子占据的几率随E的变化.k0是波尔兹曼常数,T是绝对温度,EF是一个待定参数,具有能量的量纲,称为费米能级.,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,1. EF的确定 在整个能量范围内所有量子态被电子占据的量子态数等于实际存在的电子总数N,则有,EF是反映电子在各个能级中分布情况的参数. 与EF相关的因素: 半导体导电的类型； 杂质的含量 与温度T有关;,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,2

7、.费米分布函数特征 （1）f(E)与E和T的关系 a)在T=0条件下 E-EF0时，f(E)=0,表明EEF的能级未被电子占据； E-EF0条件下， E=EF时，f(E)=1/2； E-EF0时，f(E) 1/2。,书中图3-3，随着温度的增加，EF以上能级被电子占据的几率增加，其物理意义在于温度升高使晶格热振动加剧，晶格原子传递给电子的能量增加使电子占据高能级的几率增加，因此温度升高使半导体导带电子增多，导电性趋于加强。,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,EF标志电子填充能级的水平,(2) f(E)与 的关系 f(E)的数值取决于能级差E-EF，而E-EF的大

8、小是与k0T 相比较而言的。举例： ) 当E-EF5k0T时，f(E) 0.993，这是大概率事件，因 此电子必然占据低于EF+5k0T的能级。,3.2.3 波尔兹曼分布函数,此时分布函数的形式同经典的波尔兹曼分布是一致的.对于能级比EF高很多的量子态,被电子占据的几率非常小,因此泡利不相容原理的限制显得就不重要了. 物理意义 在能级远高于费米能级的条件下，对一个能级来说同时被几个电子占据的几率极小，换句话说，一个能级最多只能被一个电子所占据，无论电子的自旋方向如何，也就是说对电子的自旋方向没有限制，这种电子在能级上的分布正是波尔希曼分布。,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流

9、子的统计分布,1时，费米分布函数,对于空穴，EF-Ek0T时,上式给出的是能级比EF低很多的量子态,被空穴占据的几率.,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,为了计算单位体积中导带电子和价带空穴的数目,即载流子浓度,必须先解决下述两个问题: 1、能带中能容纳载流子的状态数目; 2、载流子占据这些状态的几率.,3.2.4 导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,简并半导体和非简并半导体 非简并半导体：指导带电子或价带空穴数量少， 载流子在能级上的分布可以用波尔兹曼分布描述 的半导体，其特征是费米能级EF处于

10、禁带之中， 并且远离导带底Ec和价带顶Ev。 简并半导体：是指导带电子或价带空穴数量很 多，载流子在能级上的分布只能用费米分布来描 述的半导体，其特征是EF接近于Ec或Ev，或者EF 进入导带活价带之中。,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,1、导带电子浓度,单位体积晶体中能量在E-E+dE范围内的导带电子数为:,整个导带中的电子浓度为,因为 随着能量的增加而迅速减小,所以把积分范围由导带顶EC一直延伸到正无穷,并不会引起明显的误差.实际上对积分真正有贡献的只限于导带底附近的区域.于是,导带的电子浓度n为,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统

11、计分布,引入变数,上式可以写成,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,若令,则导带电子浓度n可表示为（必记）,NC称为导带的有效状态密度. 导带电子浓度可理解为:把导带中所有的量子态都集中在导带底Ec，而它的有效状态密度为Nc，则导带中的电子浓度就是服从波尔兹曼分布的Nc个状态中有电子占据的量子态数。,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,2、价带空穴浓度,单位体积中,能量在EE+dE范围内的价带空穴数p(E)dE为,整个价带的空穴浓度为（必记）,其中,称为价带的有效状态密度.,价带空穴浓度可理解为:把价带中的所有量子态都集中在价带顶Ev

12、处，而它的有效状态密度是Nv，则价带中的空穴浓度是服从波尔兹曼分布的Nv个状态中有空穴占据的量子数。,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,导带和价带有效状态密度是很重要的量,根据它可以衡量能带中量子态的填充情况.如:nNC，就表示导带中电子数目稀少.把有效状态密度中的常数值代入后,则有:,这里,m 是电子的惯性质量.,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,对于三种主要的半导体材料,在室温(300K)情况下,它们的有效状态密度的数值列于表4.2中.,表3.1 导带和价带有效状态密度(300K),第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能

13、级和载流子的统计分布,3、载流子浓度的乘积,电子和空穴浓度都是费米能级EF的函数,两者的乘积为,式中Eg=EC-EV为半导体材料的禁带宽度.上式表明 (1)载流子浓度的乘积np与EF无关,只依赖于温度T 和半导体材料本身的性质. (2)是非简并半导体，热平衡条件下的普遍适用公式,第3章 半导体中载流子的统计分布3.2费米能级和载流子的统计分布,复 习,导带中所有能级上电子数的总和等价于一个能量为Ec、状态密度为Nc的能级上的电子数。把一个涉及许多能级的复杂的能带中存在的电子数问题简化成了一个单一能级上存在的电子数问题。即一般情况下将导带理解为一个电子都集中于导带底Ec、密度为Nc的能级。,复

14、习,价带中所有能级上空穴的总和可等价为一个能量为Ev、密度为Nv的能级上的空穴数,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.1 电中性条件,当上式满足时,导带电子的电荷密度(-e)n同价带空穴的电荷密度(+e)p大小相等,符号相反,半导体处于电中性状态, 通常称这种关系为电中性条件或电中性方程.,所谓本征半导体，就是完全没有杂质和缺陷的半导体。导带中的电子都是由价带激发得到的，（只有导带和价带，禁带中没有杂质能级）。T0k时，电子从价带激发到导带，称为本征激发。若要求电子总数不变，必须导带中的电子浓度等于价带中的空穴浓度，即,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.2 本征费米能级,由电子和空穴

15、浓度的表达式和电中性条件,得,两端取对数后,得,Ei表示本征半导体的费米能级., Ei恰好位于禁带中央. (图）,带中央上下约为kT的范围之内.,例: 室温时硅(Si)的Ei就位于禁带中央之下约为0.01eV的地方.,也有少数半导体,Ei相对于禁带中央的偏离较明显.如锑化铟, 在室温下,本征费米能级移向导带,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.2 本征费米能级,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.3 本征载流子浓度,上式表明，本征载流子浓度只与半导体本身的能带结构和温度T 有关。在一定温度下，禁带宽度越窄的半导体，本征载流子浓度越大。对于一定的半导体，本征载流子浓度随着温度的升高而迅速

16、增加,表中列出室温下硅、锗、砷化镓三种半导体材料的禁带宽度和本征载流子浓度的数值.,在室温下(300K),Si 、Ge 、GaAs的本征载流子浓度和禁带宽度,我们把载流子浓度的乘积np用本征载流子浓度ni表示出来,得,在热平衡情况下,若已知ni和一种载流子浓度,则可以利用上式求出另一种载流子浓度.,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.3 本征载流子浓度,3.3 本征半导体的载流子浓度 3.3.4 电子和空穴浓度的另一种形式,把电子和空穴浓度公式用本征载流子浓度ni (或pi )和本征费米能级Ei可写成下面的形式:,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级的占据几率, 能带中的电

17、子是作共有化运动的电子, 它们的运动范围延伸到整个晶体,与电子空间运动对应的每个能级,存在自旋相反的两个量子态.由于电子之间的作用很微弱,电子占据这两个量子态是相互独立的. 能带中的电子在状态中的分布是服从费米分布的. 在杂质上的电子态与上述情形不同,它们是束缚在状态中的局部化量子态. 以类氢施主为例,当基态未被占据时,由于电子自旋方向的不同而可以有两种方式占据状态,但是一旦有一个电子以某种自旋方式占据了该能级,就不再可能有第二个电子占据另一种自旋状态.因为在施主俘获一个电子之后,静电力将把另一个自旋状态提到很高的能量,(因为电子态是局域化的，电子间相互作用很强），基于上述由自旋引起的简并,不

18、能用费米分布函数来确定电子占据施主能级的几率.,半导体中两种典型的情况, 施主能级的两种状态：被电子占据，对应施主未电离；不被电子占据，对应施主电离。,施主能级Ed被电子占据的几率fD(E)（施主未电离几率）,施主能级Ed不被电子占据即施主电离的几率为,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级的占据几率, 受主能级被空穴占据即受主未电离几率fA(E), 受主能级不被空穴占据即受主电离几率,（2） 受主能级的两种状态：未被电子占据，相当于被空穴占据，即受主未电离；被电子占据，相当于失去空穴，即受主电离。,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级的占据几率,3. 施主能级上

19、的电子浓度nD为,施主上有电子占据时,它们是电中性的,所以nD也就是中性施主浓度.,电离施主浓度,也就是能级空着的施主浓度（正电中心浓度）,可以写为,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级的占据几率,4. 受主能级上的空穴浓度pA为,受主上没有接受电子时,它们是电中性的,所以pA也就是中性受主浓度.,电离受主浓度,也就是能级被电子占据的受主浓度,可以写为,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.1 杂质能级的占据几率,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,只含一种施主杂质的N型半导体(其能级分布如图所示)中，除了电子由价带跃迁到导带的本征激发之外，还

20、存在施主能级上的电子激发到导带的过程，即杂质电离.,多子：电子 少子：空穴,杂质电离和本征激发是发生在不同的温度范围.在低温下，主要是电子由施主能级激发到导带的杂质电离过程.只有在足够高的温度下,本征激发才成为载流子的主要来源.,电中性条件为： （单位体积中的）负电荷数正电荷数,所以,以上费米能级同半导体材料的性质和温度的关系但形式比较复杂，下面讨论几种情况,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度, 弱电离（温度很低时T数K，只有很少量施主杂质发生电离，这少量的电子进入导带，这种情况称为弱电离） 在温度很低的情况下，没有本征激发存在，电中性条件简化：,则,由此可以看

21、出： 绝对零度（T0K）时,EF位于导带底和施主能级的中央. 在足够低的温度区（几K时），当2NCND的温度区，EF继续下降,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,把得出的费米能级EF代入导带电子浓度公式得导带电子浓度为,其中ED=EC-Ed是施主电离能 在弱电离范围内，利用实验上测得的n(T)，作出半对数 由 直线的斜率可以确定施主电离能ED，从而得到杂质能级的位置。,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,(2) 中间电离区(数K数十K) 中间电离区的温度仍然较低，致使价带电子不能激发 到导带，所以价代空穴浓度p=0，此时有相当数量

22、的施主 电离，而且随着温度增加电离施主进一步增多，中间电 离区的电中性条件仍为 当温度上升到使EF下降到EF=ED，热平衡电子浓度 说明这时有1/3杂质电离,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,（3）强电离区（饱和电离，数十K数百K）,温度继续升高，杂质大部分电离，而本征激发尚不明显，本征载流子浓度远小于掺杂浓度，电中性方程p忽略，有,则,在一般的掺杂浓度下NCNd，上式右端的第二项是正的.在一定温度T时，ND越大， EF与就越向导带靠近。而ND一定，随着温度的升高,EF与导带底EC的距离增大,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,

23、强电离区的载流子浓度直接由电中性条件给出，可见n型半导体的多数载流子浓度与温度无关，导带电子浓度就等于施主浓度这就是说，施主杂质已经全部电离，又通常称这种情况为杂质饱和电离这一区间内，半导体的载流子浓度基本与温度无关，所以强电离区是半导体器件的工作温区。 在饱和电离情况下，导带中的电子主要来自施主，从价带激发到导带的电子可以忽略，但其留下了空穴，利用np=ni2,可以求出空穴浓度,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,的型硅( )中,室温下施主基本上全部电离，,例：在施主浓度为,对于型半导体，导中的电子被称为多数载流子（多子），价带中的空穴被称为少数载流子（少子）

24、对于型半导体则相反少子的数量虽然很少，但它们在器件工作中却起着极其重要的作用,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,（4）过渡区（杂质饱和电离本征激发） 在温度超过了饱和电离范围以后,要考虑本征激发的作用此时电中性条件是,则,由此求出费米能级,两式联立，解得,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,(a) 半导体在过渡区更靠近饱和区这一边 (b) 半导体在过渡区更靠近饱本征激发区这一边,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,应该指出，在足够高的温度下，nNd和pNd这时，电中性条件变成n=p.这种情况与未掺

25、杂的本征半导体类似，称为杂质半导体进入高温本征激发区,综上所述，杂质半导体中载流子浓度随温度变化的规律，从低温到高温大致可分为三个区域，即杂质弱电离区，杂质饱和区和本征激发区,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.2 n型半导体的载流子浓度,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.3 P型半导体载流子浓度,（1）杂质弱电离,（2）强电离（饱和区）,过渡区本征激发,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.3 P型半导体载流子浓度,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.4 费米能级与杂质浓度和温度的关系,根据在本节中得到的费米能级的公式以及它们与温度的关系的讨论,可以得出在整个温度范围内费米能

26、级随温度的变化规律.对于N型和P型半导体,图中给出杂质浓度一定时EF随温度变化的示意图.,对于N型半导体,在同一温度下,杂质浓度不同,费米能级的位置也不同,施主浓度越大，费米能级的位置越高,逐渐向导带底靠近,相反,对于P型半导体,受主浓度越大,费米能级的位置越低,逐渐向价带顶靠近.,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.5 饱和电离区的范围,（1）杂质基本上全部电离的条件 施主杂质基本上全部电离,意味着未电离施主浓度远小于施主浓度,即ndND.此时有,将,代入上式,得出,式中ED是施主电离能, nd/ND是未电离施主占施主总数的百分比.,如果取施主基本上全部电离的标准是(Nd-nd)/Nd=

27、9/10,则上式可写为,对于一定的半导体,在一定的温度下,如果已知ED的值,则由上式可以确定施主基本上全部电离的施主浓度上限.对于给定的Nd和ED ,利用此式可以确定施主基本上全部电离的温度下限. 本征激发可以忽略的条件:,选取,作为本征激发可以忽略的标准.,对于给定的施主浓度ND,利用此标准能求出可以忽略本征激发的温度上限.在一定的温度下，此式还能确定可以忽略本征激发的施主浓度下限.,3.4 杂质半导体的载流子浓度 3.4.5 饱和电离区的范围,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.1 电中性条件,同时含有一种施主杂质和一种受主杂质情况下的电中性条件为,同时含有施主杂质和受主杂质的半导

28、体中,存在杂质补偿现象.此时即使在极低的温度下,浓度小的杂质也全部是电离的,这使得电中性条件中的nd或pa项为零.,在NdNa的半导体中,全部受主都是电离的,电中性条件简化为,在杂质电离的温度范围内,导带电子全部来自电离的施主,在施主能级上和在导带中总的电子浓度是Nd-Na,这种半导体称为部分补偿的半导体.Nd-Na称为有效的施主浓度. 其与只含一种杂质，施主浓度为Nd-Na的半导体类似。,在NaNd的P型半导体中,全部施主都是电离的,电中性条件简化为,在Na=Nd的半导体中,全部施主上的电子刚好使所有的受主电离,能带中的载流子只能由本征激发产生，这种半导体被称为完全补偿的半导体.,3.5 一

29、般情况下的载流子统计分布 3.5.1 电中性条件,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),杂质电离情况下：NdNa，则受主完全电离，pa=0 由于本征激发可以忽略，则电中性条件为,则,或改写为,在非简并情况下,有,式中Ec-Ed是施主电离能。此式就是杂质电离区的电子浓度方程.,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),讨论: 低温区电离情况，假定NdNa. 在NanNd的温度范围内，上式简化为,：与一种施主杂质时一致，这种条件下，施主主要是向导带提供电子，少量受主的作用可以忽略。,在更低的温度下，电离施主提供的电子，除了填满Na个受

30、主以外，激发到导带的电子只是极少数，即nNa，于是有,这个结果与只含一种施主杂质的形式类似，但还是考虑了受主杂质Na的存在，指数因子上的能量为Ec-Ed,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),将其代入电子浓度公式中，得出费米能级EF为,在这种情况下，当温度趋向于0K时，EF与Ed重合在极低的温度范围内，随着温度的升高，费米能级线性地上升.,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),杂质饱和电离情况: 施主全部电离，所提供的Nd个电子，除了填满Na个受主外,其余全部激发到导带；本征激发可以忽略。电中性条件:,费米能级,由np=ni2

31、得出空穴浓度,在杂质饱和电离区，有补偿N型半导体的载流子浓度和费米能级公式，同只含一种施主杂质的N型半导体对应的公式具有相同的形式,但用有效施主浓度Nd-Na代替了Nd,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),杂质饱和电离本征激发 根据上面的分析，为了得到这个温度范围内的载流子浓度和费米能级公式，只要在只含一种施主杂质的半导体的公式中，用Nd-Na代替Nd即可,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.2 N型半导体(NdNa),3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.3 P型半导体(NaNd),对于同时含有受主杂质和施主杂质的P型半导体，分析方法完全相同

32、下面只列出杂质电离区的几个公式： 空穴浓度方程,低温杂质弱电离区,极低温：,温度升高：,3.5 一般情况下的载流子统计分布 3.5.3 P型半导体(NaNd),3.6 简并半导体,非简并情况下，EF位于离开带边较远的禁带中，这时, f(E)可以用Boltzman分布函数近似表示。 本节讨论费米能级接近带边甚至进入能带的情况如：在只含施主杂质的N型半导体中，在低温弱电离区，费米能级随温度的增加而上升到一极大值，然后逐渐下降如果此值超过了导带底，则在费米能级达到极大值前后的一段温度范围内，半导体的费米能级实际上是进入了导带这种情况必须用费米分布函数来分析能带中的载流子统计分布问题，称之为载流子的简

33、并化，发生载流子简并化的半导体称为简并半导体 讨论载流子简并化对载流子分布的影响：,3.6 简并半导体 3.6.1 载流子浓度,导带电子浓度,再利用Nc的表达式，导带电子浓度为,同理可得：价带空穴浓度,在非简并情况下，费米能级位于离开带边较远的禁带中，即,则：,3.6 简并半导体 3.6.1 载流子浓度,3.6 简并半导体 3.6.2 发生简并的条件,由图317可知，可以取-（或（费米能级与带边重合时）作为发生简并化的标准,：属于非简并；,：属于弱简并；,：属于简并,对于选定的简并化标准，依据半导体中载流子的状态密度有效质量和温度的数值，通过图形可以判断简并化发生的条件,载流子简并化引起禁带变

34、窄 杂质浓度高 电子相互间靠近，相互作用加剧 电子波函数重叠 杂质能级变能带 杂质电离能减小 杂质能带进入导带 形成新的简并能级 简并能带的带尾深入禁带 禁带变窄,3.6 简并半导体 3.6.2 发生简并的条件,例题,室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm3，同时掺有浓度为11015cm3的磷，则电子浓度约为（ ），空穴浓度为（ ），费米能级（ ）；将该半导体升温至570K，则多子浓度约为（ ），少子浓度为（ ），费米能级（ ）。（已知：室温下，ni1.51010cm3，570K时，ni21017cm3） A. 1014cm3 B. 1015cm3 C. 1.11015cm3 D. 2.2

35、5105cm3 E. 1.21015cm3 F. 21017cm3 G. 高于Ei H. 低于Ei I. 等于Ei,例题,有两块半导体材料，已知室温下硅材料的空穴浓度为p1=11018/cm3，锗材料的空穴浓度p2=2106/cm3，计算它们的电子浓度和EF值（室温下，硅：Eg=1.12eV ni=1.31010/cm3；锗：Eg=0.67eV ni=2.11013/cm3）,例题,已知室温时本征锗的ni=2.11013cm-3,(1)若均匀地掺入百万分之一的硼原子，分别计算掺杂锗室温时的多子浓度和少子浓度以及EF的位置？（2）若在（1）的基础上又同时均匀地掺入1.4421017cm-3的砷原子，分别计算锗室温时的多子浓度和少子浓度以及EF的位置？（NV=5.71018cm-3,原子浓度4.421022cm-3,NC= 1.051019cm-3),