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1、MOS替换方法及流程之SOA的安全操作区域1.1SOA:安全操作区域1.1.1定义:由于功率mosfet是晶体管，可用于线性和/或开关操作在汽车环境中，它们必须能够以可接受的可靠性水平耗散能量。因此，有了非常好的可靠性级别，就有必要定义这种强大的功能(多亏了SOA)。一般来说，功率越大，晶元尺寸越大(价格越高)。NXP:BUK7510-55AL:图4:安全工作区(BUK7510-55AL)IRF 3305:图5:安全工作区(IRF 3305)英飞凌:IPP 80 n06s2-05图6:安全工作区(IPP 80N06S2-05)备注:期望英飞凌MOSFET的SOA中的直流曲线结论:从理论上讲，新
2、SOA比旧SOA更好。但是，只要这些SOA没有特征(仅从基本模型计算)，就不可能排除观察热不稳定性的可能性。1.2雪崩能量1.2.1定义:当MOSFET驱动大电流通过感应负载时，突然关闭，然后漏到源电压增加，直到击穿电压达到，从而将储存在感应负载中的能量降低，就会发生雪崩现象。注:在雪崩现象中，MOSFET可以被所谓的“能量失效”或“电流失效”摧毁，这对应于第二次击穿。NXP:BUK7510-55AL:图4:雪崩能量(BUK7510-55AL)IRF 3305:图5:雪崩能量(IRF 3305)英飞凌:IPP 80 n06s2-05图6:雪崩能量(IPP 80N06S2-05)1.2.2结论:等待雪崩测试1.3MOSFET热保护试验期间的雪崩试验1.3.1测试的定义为了快速关闭MOSFET，我们在这里使用模块本身的热保护。因此，该模块是在Vbat供电全速要求，没有空气冷却。在这种情况下，几秒钟后模块激活热保护并关闭MOSFET。漏源至源电压在此阶段进行监控。NXP:BUK7510-55AL:IRF 3305:英飞凌:IPP 80 n06s2-051.3.2结论:等待雪崩测试