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1、NOR flash和flash有什么不一样？NOR FlashNOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NO
2、R Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高，在14MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。N
3、AND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以832KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。l 、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、 NAND的写入速度比NOR快很多。3 、NAND的4ms擦除速度远
4、比NOR的5s快。4 、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5 、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。此外，NAND的实际应用方式要比NOR复杂的多。NOR可以直接使用，并可在上面直接运行代码；而NAND需要I/O接口，因此使用时需要驱动程序。不过当今流行的操作系统对NAND结构的Flash都有支持。此外，Linux内核也提供了对NAND结构的Flash的支持。详解NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，
5、强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR的特点是芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在14MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低
6、的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理需要特殊的系统接口。接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程
7、更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为116MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC（多媒体存储卡Multi Media Card）存储卡市场上所占份额最大。可靠耐用采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF（平均故障间隔时间Mean Time Between Failures）的系统来说，Flash是非
8、常合适的存储方案。可以从寿命（耐用性）、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。寿命（耐用性）在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸为NOR器件的八分之一，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。一、Flash介绍常用的flash类型有NOR Flash 和Nand Flash 两种；（1）Nor Flash1、Nor Flash的接口和RAM完全相同，可以随机访问任意地址的数据，在其上进行读操作的效率非常高，但是擦除和写操作的效率很低，另外，Nor Flas
9、h的容量一般比较小，通常，Nor Flash用于存储程序；2、Nor Flash的块大小范围为64KB128KB；3、擦写一个Nor Flash块需要4s，4、市场上Nor Flash 的容量通常为1MB4MB（2）Nand Flash1、Nand Flash的接口仅仅包含几个I/O引脚，需要串行地访问，Nand Flash进行擦除和写操作的效率很高，容量较大，通常Nand Flash用于存储数据；2、Nand Flash的块大小范围为8KB64KB；3、擦写一个Nand Flash块需要2ms；4、Nand Flash 一般以512字节为单位进行读写5、 市场上 Nand Flash 的容量
10、一般为 8M512M二、Nand Flash的物理结构以三星公司生产的 K9F1208U0M 为例：1、容量：64MB，一共4个层；每层1024个块（block）；1块包含32页1页包含 512 + 16 = 528个字节2、外部接口：8个I/O口，5个使能信号（ALE、CLE、nWE、nRE、nCE），1个状态引脚（RDY/B），1个写保护引脚（nWE）；3、命令、地址、数据都通过8个I/O口输入输出；4、写入命令、地址、数据时，都需要将nWE、nCE信号同时拉低；数据在WE上升沿被锁存；5、CLE、ALE用来区分I/O引脚上传输的是数据还是地址；6、64MB的空间需要26位地址，因此以字节
11、为单位访问Flash时需要4个地址序列；7、读/写页在发出命令后，需要4个地址序列，而擦除块在发出擦除命令后仅需要3个地址序列；三、Nand Flash访问方法操作Nand Flash时，先传输命令，然后传输地址，最后读、写数据，期间要检查flash的状态；K9F1208U0M 一页大小为528字节，而列地址A0A7可以寻址的范围是256字节，所以将一页分为A、B、C三个区：A区：0255字节B区：256511字节C区：512527字节（1）复位命令：FFh步骤：发出命令即可复位Nand Flash芯片；（2）读操作命令：00h读A区01h读B区50h读C区操作步骤：1、发出命令 00h、01
12、h 或50h， 00h将地址位A8设为0， 01h将A8设为1 ；2、依次发出4个地址序列；3、检测R/nB，待其为高电平时，就可以读取数据了；（3）flash编程命令：80h10h ：写单页；80h11h ：对多个层进行些页操作；操作步骤：1、写单页步骤：【1】发出80h命令后；【2】发送4个地址序列；【3】向flash发送数据；【4】发出命令10h启动写操作，flash内部自动完成写、校验操作；【5】通过命令70h读取状态位，查询写操作是否完成；2、多页写【1】发出80h、4个地址序列、最多528字节的数据；【2】发出11h命令；【3】接着在相邻层执行【1】、【2】两步操作；【4】第四页的
13、最后使用10h代替11h，启动flash内部的写操作；【5】可以通过71h查询写操作是否完成；（4）复制命令：00h8Ah10h ：单层页内复制03h8Ah11h ：多层页内复制操作步骤：1、单层页内复制步骤：【1】发出命令00h；【2】4个源地址序列；【2】接着发出8Ah；【4】发出4个目的地址序列；【5】发出10h命令，启动写操作；【6】通过70h命令读取状态查询操作是否完成；2、多层页内复制步骤：【1】发出命令00h（第一层）、4个源页地址序列；【2】以后各层依次发出命令03h、4个源页地址序列；【3】发出命令8Ah、目的地址、命令11h；【4】各层依次执行【3】，在最后一页的地址后，用
14、10h代替11h，启动写操作；【5】通过71h命令读取状态查询操作是否完成；（5）擦除命令：60hD0h ：单层内块擦除60h-60h D0h ：多层内块擦除操作步骤：1、单层内块擦除：【1】发出命令字60h；【2】发出块（block）地址，仅需3个地址序列；【3】发出D0h，启动擦除操作；【4】发出70h命令查询状态，是否完成擦除；2、多层内块擦除：【1】发出命令字60h，3个块地址序列；【2】对每个层执行【1】；【3】发出命令D0h，启动擦除操作；【4】发出71h命令查询状态，检查是否完成擦除；（6）读取芯片ID命令：90h操作步骤：1、发出命令90h；2、发出4个地址序列（均设为0）；3、连续读入5个数据，分别表示：厂商代码、设备代码、保留字节、多层操作代码；（7）读状态命令：70h单层状态71h多层状态操作步骤：写入命令字之后，然后启动读操作即可读入此寄存器。