太阳电池的发展现状与前景展望.ppt

《太阳电池的发展现状与前景展望.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《太阳电池的发展现状与前景展望.ppt（54页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、太阳电池的发展现状与前景展望,沈 辉 中山大学太阳能系统研究所 电力电子及控制技术研究所 ,太阳电池的基本理论,光电效应现象 爱因斯坦的光电效应理论 光伏效应 p-n 结形成和特性 太阳电池原理 太阳电池等效电路 太阳电池效率分析 太阳电池的类型 太阳电池的发展,光电效应现象,光电效应(photoelectric effect) 现象最早在1887年由Heinrich Hertz在从事电磁波实验时发现的，即金属表面在光的照射下发射电子。 光电效应是指金属表面在光的照射下能发射电子，即光电子。但金属的功函数大部分在35 eV之间，因此只有能量是紫外线以上的光子才能被吸收来产生光电流(photoc

2、urrent)，而太阳光中紫外线以上的辐射只占很小的一部分（ 67%)。 Dember效应：也称photodiffusion效应，光照射在半导体表面，光子被吸收产生电子空穴对，则半导体表面的载流子浓度增加而向半导体内部扩散，但由于电子与空穴的扩散系数不同，电子与空穴在空间的分布就不同，因此产生内建电场形成实验可测量到的Dember电压。一般来说，半导体的Dember效应不是很明显。如器件的金属接触不是良好的欧姆接触(ohmic contact)，则金属半导体形成的Schottky接触的光伏效应会远远超过纯粹的半导体的Dember效应。,爱因斯坦的光电效应理论,爱因斯坦从普朗克的能量子假设出发，

3、提出光子(photon)的概念。光子的能量= h（普朗克常数h= 6.626x10-34Js，光子频率）。当光照射在金属表面上，金属表面的一个自由电子从入射光中吸收一个光子后，就会得到能量h，如果h大于电子从金属表面逸出时所需的逸出功A，这个电子就可从金属表面逸出，逸出的电子可被称为光电子。 根据能量守恒定律，爱因斯坦提出光电效应方程: h=1/2(mvm2)+ A (mvm2)是光电子的最大初动能。,爱因斯坦的光电效应理论,光电效应方程说明三个问题: 第一，光电子的初动能与入射光频率之间的线性关系，即入射光的强度增加时，光子数也增多，因而单位时间内光电子数目也随之增加，这即可说明饱和电流或光

4、电子数与光的强度之间的正比关系。 第二，假定1/2(mvm2)0，则0=A/h,这表明频率为0的光子具有发射光电子的最小能量。如果光子频率低于0（红限），不管光子数目多大，单个光子没有足够的能量去发射光电子。红限相当于电子所吸收的能量全部消耗于电子的逸出功时入射光的频率。 第三，当一个光子被吸收时，全部能量就立即被吸收，不需要积累能量的时间，这就说明了光电效应的瞬时发生的问题。 由于爱因斯坦发展了普朗克的能量子思想，提出了光子假说，所提出的光电效应方程成功地说明了光电效应的实验规律，从而荣获1921年诺贝尔物理学奖。就对人类的贡献而言，光电效应大于相对论，1921年授奖只字不提相对论，看来诺贝

5、尔奖委员会具有“难得糊涂”的先见之明。,光伏效应,光伏效应(photovoltaic effect)是指半导体表面在光的照射下，光子的能量被吸收，让电子从价带跃迁到导带。 一般的半导体的能隙宽度为12 eV，其可吸收可见光到红外线。另外，在半导体中可以传导的除了带负电的电子外，还有带正电的空穴，这种双极性的导电机制是金属所不具有的。 光电化学效应(photoelectrochemical effect)也可通过光照产生电压，一般会涉及到电介质和化学反应。染料敏化太阳电池(dye sensitized solar cell：DSC）就是以此效应为基础的。,p-n结的形成与特性,半导体中的导电类型

6、：n型硅晶体是指在硅晶体中加入V族元素（如磷）作为施主(donor)，提供导带电子。p型硅晶体是指硅晶体中加入III族元素作为受体(acceptor)，提供价带空穴。因此，半导体材料中具有四种带电电荷：带负电的电子，带正电的空穴，带负电的受主离子和带正电的施主离子。前两种是可动的，而后两种是不动的。 p-n结的形成和特性：将p型半导体与n型半导体接触，就形成p-n结(junction)。在p-n结附近，电子会从浓度高的n型区向浓度低的p型区扩散，与此同时，空穴会从浓度高的p型区向浓度低的n型区扩散。结果在p-n结附近的区域电中性被打破，即靠近 n型区附近产生正电荷区，靠近p型区附近产生负电荷区

7、，两者通称为空间电荷区(space charge region)。由于带负电的受主离子和带正电的施主离子都是固体在晶体中的，即形成从n型区指向p型区的内建电场。,太阳电池的基本原理,太阳能辐射可以等同于一个表面温度为5800 K的黑体辐射，辐射的能量的波长基本上分布在2502500 nm范围，其中紫外线占约67，可见光占约46和红外线占约47。 一般来说，利用光电效应也可以制作太阳电池。在金属的光电效应中，光子的能量被吸收，电子从费米能级（Fermi energy）附近跃迁到真空能级。但从理论上分析，金属光电效应的太阳电池的最大转换效率不超过1，实验结果只有0.001。这主要是存在物理限制：即

8、一般金属的功函数大部分都在35 eV之间，如此只有紫外线的光子才能产生光电流，但太阳光中紫外线仅占很少一部分，因此，利用金属的光电效应制作太阳电池无法进入实际应用。 至今为止，实际使用的太阳电池主要是利用半导体的光伏效应制作的。一般的半导体带隙多在12 eV之间，其可吸收太阳光中的紫外线、可见光到红外线（对晶体硅来说从紫外到部分红外线2501100 nm）。,太阳电池的基本原理,太阳电池作为光电转换器件必须具备的条件： 1. 入射光子能够被吸收产生电子空穴对 2. 电子空穴对在复合前被分离 3. 分开的电子与空穴能够传输到负载,太阳电池的基本原理,目前占太阳电池的主流地位的是晶体 Si 太阳电

9、池。实现太阳光到电流转换的核心结构是晶体 Si 的 p-n 结。在光照下条件下，由于内建（built-in）电场的作用，在p-n 结附近产生的电子空穴对被分离，电子向n-Si 区漂移，空穴向 p-Si 区漂移，从而产生从n-Si 区到p-Si 区的漂移电流，即所谓的光电流。对于具有n/ p 结构的晶体硅太阳电池而言，产生的光电流方向是从 n-Si 区到 p-Si 区，这正好与一般p-n结二极管的正向电流相反。 在太阳电池中p-n 结的空间电荷区的内建电场的作用就是使入射光子产生的电子空穴对在复合（recombination）之前被分离，并形成光电流通过金属电极（metal contact）给负

10、载供电。 在光照条件下，如果将太阳电池正负级直接连接，即短路，即可都到短路电流（short-circuit current）即光电流；如将太阳电池两端不连接任何负载，即开路，即可测得开路电压（open-circuit voltage）。开路电压也被称为光电压（photovoltage），这也是光伏（photovoltaics）一词的由来。,太阳电池的基本原理,太阳电池的最核心部分是 p-n 结，主要有发射区、空间电荷区和基区组成组成。其中发射区为受光面，通常p-n 结是通过在一个p-Si 或 n-Si基片上通过热扩散形成的。 当入射光照上太阳电池上时，在发射区、空间电荷区和基区同时都将产生电子

11、空穴对。由于发射区和基区为准电中性区域，所形成的光电流为扩散电流，这由少数载流子决定，而多数载流子并不参与导电。在内建电场的作用下，空间电荷区的电子和空穴对光电流都有贡献，形成所谓的漂移电流。 以晶体 Si 的 n/ p 型电池为例：在光照下，n-Si 中的少子空穴在空间电荷区的附近会向 p-Si 区域扩散形成电流；p-Si 中的少子电子在空间电荷区的附近会向 n-Si 区域扩散形成电流；而空间电荷区产生的电子向 n-Si 区域漂移和产生的空穴向 p-Si 区域漂移。这样在三个区域就形成了从n-Si 到 p-Si 的一致方向的光电流。这就是太阳电池的工作原理。,太阳电池的基本原理,除了空间电荷

12、区的电子和空穴要受内建电场的作用外，在发射区和基区的少子由于要穿过空间电荷区也将受到内建电场的作用，在空间电荷区将被加速。 由此可见，太阳电池的核心结构是p-n 结，而 p-n 结中的空间电荷区由施主正离子和受主负离子形成的内建电场是实现电子空穴分离的最重要的物理条件。 综上所述，在太阳光照射下，以光伏效应为基础的太阳电池的光电流主要来自以下三个部分： 1. 空间电荷区的电子和空穴在内建电场作用下形成的漂移电流； 2. n-Si 区的少数载流子空穴所形成的扩散电流； 3. p-Si 区的少数载流子电子所形成的扩散电流。 一般而论，太阳电池（solar cell）是指任何能将太阳光直接转换为电力

13、（electric power）的器件，这里要强调的直接转换。,太阳电池的等效电路,太阳电池的基本结构就是一个大面积的p-n 结，它的基本特性可借助一个理想二极管的电流电压关系来分析。 理想二结管的电流电压关系式为： I = Is ( e V/VT 1 ) 这一方程确定一条电流电压关系曲线，如作以x轴为电流， 以 y轴为电压的一个坐标系，则电流电压曲线主要分布在第一象限，从零点开始，电流随电压增加呈现单调指数增加。 其中： I电流，V电压，Is饱和电流（saturation current）， VT = kB T/q0 ，其中 kB 为Boltzmann常数, q0 电子电荷， T绝对温度，

14、在室温下 VT = 0.026 V。 正常的二极管的p-Si 端为正极，n-Si 端为负极，二极管内电流从在 p-Si 端到n-Si 端，但太阳电池中的电流方向是从n-Si 端到 p-Si 端，这正好与二极管相反。,太阳电池的理想化等效电路模型,太阳电池的能量转换可用理想化等效电路模型来说明。图中IL是入射光产生的恒流源的强度，恒流源来自太阳辐射所激发的过量载流子。Is是二极管饱和电流，RL是负载电阻。,太阳电池的等效电路,相对与二极管，太阳电池在光照情况下产生的光电流 IL 为负值，即 I = Is ( e V/VT 1 ) IL 如无光照 IL 0，太阳电池就是一个普通的二极管 当太阳电池

15、短路，即 V = 0 ，则 I IL = Isc ，即光电流就等于短路电流。 当太阳电池开路，即 I 0，则开路电压为： VOC = VT ln ( IL / Is 1 ) 相对于二极管的电流电压关系曲线，太阳电池的电流电压关系曲线向下移动 IL 距离，即从第一象限移动到第四象限。但为了简单起见和方便分析，一般将这电流电压曲线以 y 轴（电压）为对称轴旋转180度放到第一象限。,太阳电池的等效电路,太阳电池电流-电压特性曲线,太阳电池I-V特性曲线分析,特征点分析： 电路负载为，即太阳电池短路，电压为，但电流达 到最大，称为短路电流，此时太阳电池无输出 负载电阻慢慢调大，电压明显增加，电流略小

16、于短路电流，不是太阳电池最佳工作点 负载电阻调到曲线拐点，此时电流和电压值乘积构成曲线下最大矩形面积，此点为最大功率点，为太阳电池最佳工作点 电压略有增加，但电流明显减小，不是太阳电池最佳工作点 负载电阻无穷大，相当于电路开路，电流为，电压达到最大，为开路电压，此时太阳电池无输出,太阳电池的等效电路,太阳电池的输出功率就是电流和电压的乘积： P = I V = Is V ( e V/VT 1 ) IL V 对于确定的太阳辐射，在太阳电池的电流电压特性曲线上存在一个最大功率点。为了求出最大功率点所对应的最大工作电压和最大工作电流值，可对上式进行数学处理，即通过 dP / dV = 0 即可得出最

17、大工作电压： Vmax = VT In (（IL 1/（I max / VT 1）)，由此导出最大工作电流： I max Is Vmax e Vmax/VT / VT 而太阳电池的最大功率即 Pmax Vmax I max,太阳电池的等效电路,串连电阻与并联电阻 串联电阻（series resistance: Rs）： 半导体材料本身、或半导体与金属之间都不可避免存在的电阻。理想的太阳电池的串连电阻为0。实际的太阳电池的串连电阻一般在几几十cm 以下。 并联电阻（shunt resistance ：Rsh）： 太阳电池的正负极之间存在不经过 p-n 结的其它导电通道，这样将造成形成漏电流（le

18、akage current），如太阳电池中的产生复合（generation - recombination）电流、表面复合（surface -recombination）电流、电池边缘隔离不完全以及金属电极穿透 p-n 结等都将产生漏电流。可用并联电阻来表示太阳电池的漏电流的大小。理想的太阳电池的并联电阻为无穷大，实际的太阳电池的并联电阻为几十几百cm以上。,太阳电池的等效电路,如考虑串联电阻 Rs 和并联电阻 Rsh 的实际存在，太阳电池的电流电压关系式则可表示为： I = Is ( e V/VT 1 ) (V - I Rs) / Rsh IL 从太阳电池的电流电压关系曲线上可见，最大功率点

19、所对应的最大工作电压和最大工作电流的乘积（即 Pmax = Vmax I max ），在数值上就等同于一个在曲线下面的矩形图形的面积，而以开路电压和短路电流对应的数值也可确定一个在曲线之上的矩形图形的面积（ISC VOC），和这样来看，太阳电池的电流电压曲线越充满 ISC 和 VOC 组成的矩形图形的面积，即 Vmax I max 与 ISC VOC越接近，表明太阳电池的性能越好。这样就可用定义一个参数即填充系数（fill factor : FF）来描述太阳电池的性能： FF Pmax / ISC VOC Vmax I max / ISC VOC 事实上，填充系数 FF 即可反映串联电阻和并联

20、电阻对太阳电池的所产生的影响。,串联电阻对太阳电池参数的影响,并联电阻对太阳电池参数的影响,太阳电池的效率理论分析,太阳电池的效率（efficiency） 是指太阳电池将入射的太阳光的功率转换成最大的电功率的比例。国际标准采用人造光源，并规定三个基本测试条件: 1. 即光源的能量1000 W/m2， 2. 光源光谱分布为 AM1.5 和 3. 太阳电池的温度保持在25。 太阳电池可定义为：= Pmax/Pin 也可以写为：= Pmax/Pin FF ISC VOC /Pin 由此可见，要提高太阳电池的效率必须同时增加开路电压、短路电流和填充系数。 串联电阻的增加和并联电阻的减少都会减少填充系数

21、。,太阳电池的效率理论分析,目前的太阳电池理论就光电转换效率而言分为以下三种情况： 单结太阳电池的理论效率为31； 多结太阳电池的理论效率为69； 热力学所限制的太阳电池的理论效率为85。 单结太阳电池：对于太阳光谱的具体情况，从材料角度要得到最高的转换效率，其能隙的宽度为 1.35 eV 最为合适，此时可达到最高的效率为31。对于单晶硅来说，理论上的最高效率可达到28。 多结太阳电池：以材料的能隙由小到大的顺序，从太阳电池的受光面依次排列。主要是让高能量的光子先被吸收利用，后吸收低能量光子，以便降低释放声子的几率，即降低热量产生对电池性能的影响。不同的结之间通过隧道二极管联结（tunnel

22、diode）起来，这样，开路电压就等于多个不同能隙的电子空穴的 Fermi 能级之差的总和，这也是多能隙的太阳电池有相当高的开路电压的原因。,太阳电池的效率理论分析,对于单结电池，只要能量大于半导体带隙的入射光子都可以产生电子空穴对。光子能量大于带隙的多余部分能量就会产生使所产生的电子空穴对处于高能态，后又通过释放声子（晶格振动）的方式回到能隙附近，即光子能量多余能隙的部分以释放声子能量的方式，这样将使器件产生热量，从而影响性能。采用多结结构制造电池就是为了避免这样的能带内的能量释放（intraband energy relaxation）。 然而，多结电池解决不了载流子的能带间的能量释放（i

23、nterband energy relaxation ）即载流子复合过程：有三种可能：光发射、声子发射和俄歇（Auger）过程，俄歇过程是载流子之间的能量交换。只要遏制光发射和声子发射就可阻止载流子能带间的能量释放，但这将造成载流子平均能量升高，则载流子温度升高，即造成热载流子现象。而热载流从理论上也是可以显著提高太阳电池效率的途径之一。,晶体硅太阳电池的制备工艺,多晶硅材料 西门子工艺、硅烷法 晶体生长 - 硅片 单晶、多晶、硅带技术 太阳电池 自动化、大规模生产技术 光伏组件 标准组件、建材型组件 系统集成 并网发电、建筑集合、大型地面电站,晶体硅太阳电池的制备工艺,硅片表面绒化 通过湿化

24、学工艺去除硅片表面机械损伤、颗粒附着物等污染物，并形成绒面构造; 扩散制结 用横向石英管或链式扩散炉,一般用p型硅片进行磷扩散形成n 型层; 减反射膜制备 用PECVD制作SiNx 减反膜 (PECVD: Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 表面金属化 采用丝网印刷,键式炉加热烧结 检测分级 根据电池效率，分级包装,晶体硅太阳电池的制备工艺,硅片类型 多晶硅片为主 硅片厚度 180 - 150 - 120 m 电池效率 多晶 15-17%，单晶17-20% 生产规模 30 - 60 - 200 - 1000 MW,薄膜太阳电池的技术发展,太阳电

25、池发展的基本问题 - 市场情况 硅材料90%以上 - 提高效率和降低成本 - 材料的选择和工艺优化 薄膜太阳电池的技术难点 - 衬底材料 硅、陶瓷、玻璃、塑料 - 薄膜制备工艺 Sol-Gel, CVD, PVD 主要薄膜电池产品 - 非晶硅太阳电池 - 碲化镉太阳电池 - 铜铟锡太阳电池,薄膜太阳电池的转换效率,非晶硅太阳电池,非晶硅a-Si禁带宽度为1.7eV, 通过掺B 或掺P可得到p型a-Si或n型a-Si; 非晶硅掺C, 可得到a-SiC, 禁带宽度2.0 eV（宽带隙）; 掺Ge,可得到a-SiGe禁带宽度1.7-1.4eV （窄带隙）; 在太阳光谱的可见光范围内，非晶硅的吸收系数

26、比晶体硅大将近一个数量级，其本征吸收系数高达105cm-1; 非晶硅太阳电池光谱响应的峰值与太阳光谱的峰值接近； 由于非晶硅材料的本征吸收系数很大，1um厚度就能充分吸收太阳光， 厚度不足晶体硅的1/100，可明显节省昂贵的半导体材料 S-W 效应：非晶硅及其合金的光暗电导率随光照时间加长而减少， 经200度退火2小时可恢复原状。这种现象首先由Stabler 和Wronski 发现。这是非晶硅材料结构的一种光致亚稳变化效应，即光照是材料产生悬挂键等亚稳缺陷,非晶硅太阳电池,非晶硅太阳电池,非晶硅太阳电池,非晶硅(短波)与单晶硅(长波)太阳电池光谱响应曲线,铜铟锡太阳电池,铜铟锡太阳电池,安装在

27、北威尔士St Asaph 的Welsh Development Agency光学中心 由CIS 太阳电池组件组成的85 kW光伏电站,碲化镉/镉化硫太阳电池,结构特点：CdTe是II-VI族化合物，闪锌矿结构，晶格常数a= 0.16477nm；CdS是II-VI族化合物，纤锌矿结构 光学性能：直接带隙半导体材料，1.5eV,光谱响应与太阳光谱非常吻合，1m厚度的薄膜可吸收99%所对应的太阳光能量 ；CdS：直接带隙半导体材料，2.42eV 电学性能：薄膜组分、结构沉积条件、热处理过程对薄膜的电阻和导电类型有很大影响 CdTe/CdS薄膜太阳电池参数的理论值： 开路电压电压Voc= 1.05mV

28、；短路电流Jsc 30.8mA/cm2；填充因子FF=83.7%；转换效率约27% 尽管和相差10%，但他们能形成电性能优良的异质结,碲化镉/镉化硫太阳电池,薄膜太阳电池的机遇与发展,至今为止，薄膜电池未能达到所期望的发展 原因：效率、稳定性、价格 硅电池长寿命，经长时期应用检验，认可度高 薄膜电池优点： 薄膜化、大面积是太阳电池发展趋势 低成本、柔性电池 发展机遇 多晶硅薄膜电池 有机材料太阳电池 - 印刷工艺,光伏与建筑结合的发展现状与趋势,光伏发电技术在城乡推广的主要途径： 屋顶计划、光伏建筑集成 太阳能屋顶计划发起国： 德国 日本 美国,光伏与建筑结合的发展现状与趋势,德国“十万屋顶”

29、计划 （一千、二万屋顶） 德国太阳房或零能耗建筑，1983年一个农村光伏建筑运行至今，情况良好 十万屋顶项目，跟踪调研分析 政府机构推进发展 - 德国环境部 研究机构强大、研究前沿与实用、与企业合作紧密、 产业配套齐全、创新能力强 政策有远见、到位、可操作性强,德国光伏上网电价 -来源 Gestore dei Servizi Elettrici (GSE),PHOTON,关于光伏建筑结合或一体化,光伏建筑结合概念 - 光伏发电技术与建筑本身的结合 - 普通结合- 采用标准组件和附着式安装方式 - 紧密结合- 采用光伏建筑构件和镶嵌式安装方式 光伏建筑集成（或称一体化）： 主要采用光伏建筑构件和

30、镶嵌式安装方式，是光伏技术与 建筑紧密结合形式，光伏电池作为建筑元素融入建筑本身,关于光伏建筑结合或一体化,光伏建筑组件： 双玻璃叠层：根据透光要求，调节电池片之间间隔 中空玻璃：要考虑光线折射损失与散热问题 光伏电池瓦片：电池可与陶瓷、金属、聚合物等结合 光伏外墙瓷砖：通过真空层压或硅酮胶粘接 光伏集成屋顶：可用标准组件，通过集成技术形成发电 屋顶结构,关于光伏建筑结合或一体化,评论文章来自Photon Das Solarstrom Magazin p84-93为什么光伏建筑集成发展困难？ 世界范围内而论，50块组件中只有不到1块用于光伏建筑集成（全球范围只占05.%市场份额） 原因何在：

31、建筑师缺乏对光伏认识； 缺乏相关经验借鉴； 缺少合作氛围； 缺乏相关的技术标准,关于光伏建筑结合或一体化,与建筑结合，光伏组件必须在发电的同时满足以下条件： 代替幕墙或起到屋顶的功能； 遮阳、隔音、挡风、遮雨、隔冷、隔热、防火等等 光伏建筑集成或光伏建筑一体化（BIPV）： 即光伏组件除了发电同时满足作为建筑外表面的建筑构件的功能，德国标准-DIN VDE 0126-21 这样的组件可以完美地用于建筑，当然还有安全与外观问题，价格是不是可以接受和寿命能不能与传统建材相比，仍需发展和评估，但是它可以发电产生利润并保护环境。,关于光伏建筑结合或一体化,发展希望寄托于年轻建筑师 多方面合作至关重要：

32、 政府部门、建筑师、规划师、建筑商、施工单位,太阳能光伏建筑设计 Solar Design 光伏发电系统在老建筑、城市和农村的应用 英格丽特赫曼斯杜佛 克丽斯提那儒博 著 沈 辉 褚玉芳 王丹萍 译 张 原 陈 维 校,发展光伏与建筑结合的若干建议,光伏生产要首先满足自用 城市发展以屋顶为主，新建筑光伏建筑集成 一体化概念：建材型、设计、施工 光伏建材化研究 产业分工： 材料、器件、系统、应用、检测、评价,发展光伏与建筑结合的若干建议,- 启动光伏“十万屋顶计划”或“百万屋顶计划” 制定光伏上网补助价格 我国发展光伏最关键问题！ - 制定光伏发电中长期发展规划、目标， 2010年：0.1%；2

33、020年：1%；2030年：10% （欧盟国家2020年 ：12%） 建立国家级测试评估实验室，长期跟踪测试，对各类电池的经济型、技术性、稳定性以及地方适应性表现给于客观评估，成立太阳能建筑设计、规划研究机构和人才培训,太阳电池的未来发展,晶体硅电池为主流第一代（硅片为基础） 单晶硅 多晶硅 薄膜太阳电池第二代 非晶硅 铜铟（镓）硒或铜铟（镓）硫 新型高效太阳电池第三代（概念） 多结电池 非晶晶体结合,太阳电池的未来发展,多个结太阳电池（光谱分段利用） 单光子激发多对电子空穴对（多激发） 中间带隙（分步激发） 热载流子太阳电池 黑体辐射的频谱转换（上移、下移和集中） 其它类型太阳电池（热光伏电池、敏化、有机）,太阳电池的未来发展,多结太阳电池的转换效率理论计算,太阳电池的未来发展,太阳电池实现最发电模式 光子与电子的转换（简洁） 光子器件，最佳的和技术； 太阳电池存在问题 效率与成本 高纯硅材料短缺 薄膜电池问题 第三代太阳电池 太阳电池发电发展前景广阔 未来主要的发电形式,