东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率.doc

上传人:白大夫 文档编号:3366741 上传时间:2019-08-18 格式:DOC 页数:1 大小:12.50KB
返回 下载 相关 举报
东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率.doc_第1页
第1页 / 共1页
亲,该文档总共1页,全部预览完了,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率.doc》由会员分享,可在线阅读,更多相关《东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率.doc(1页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、东芝推出新一代超结功率MOSFET,进一步提高电源效率又到了开学季,看着朋友圈里关于开学赶作业的各种吐槽,芝子真是哭笑不得,曾经在开学前夕狂补作业的场景历历在目不过,虽然对孩子们的“遭遇”感同身受,芝子还是认为,提高效率得从娃娃抓起呀,这才是解决问题的关键,否则鬼哭狼嚎也木有用呢。其实,无论是做寒暑假作业还是完成工作任务,甚至是在产品的运行中,效率都起着至关重要的影响作用。比如在电源工作的过程中,高效率的电源可以提高电能的使用效率,在一定程度上可以降低电源的自身功耗和发热。可见,高效率不但能让我们更快完成目标,而且还能有效减少资源损耗,这就是为什么高效率产品在市场广受欢迎的原因。为满足市场需求

2、,东芝近日推出新系列的下一代650V功率MOSFETTK040N65Z,它能有效提高电源效率。新产品可以用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。它采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。那么,它是如何有效提高电源效率的呢?首先,TK040N65Z是一款支持续漏极电流高达57A,脉冲电流高达228A的650V器件,它提供0.04超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,它成为现代高速电源应用的理想之选。另外,TK040N65Z关键性能指标品质因数(FoM)RDS(ON)Qgd的降低使得电源效率得到提高,比上一代器件提升40%!在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代,还有什么是高效率不能解决的呢?未来,东芝将致力于扩大产品阵容,以满足提高电源和电源系统的效率的市场需求,请大家继续期待!

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 其他


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1