薄膜的化学气相沉.ppt

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1、薄膜的化学气相沉积,4.5.3激光辅助CVD装置 4.5.4金属有机化合物CVD(MOCVD)装置,讲解人:孙正上,4.5.3激光辅助CVD装置,定义:用激光束照射封闭于气室内的反应气体,诱发化学反应,生成物沉积在置于气室内的基板上,通过激光活化而使常规CVD技术得到强化。,激光的作用,热作用:激光能量对于衬底的加热作用可以促进衬底表面的化学反应进行,从而达到化学沉积的目的。,光作用:高能量的光子可以直接促进反应物气体分子分解为活性化学基团。一般只有紫外波段的准分子激光才具有这一效应。,激光辅助CVD装置,LCVD技术的优点:最大优点是可利用激光器在衬底整体温度较低的情况下局部加热;沉积过程中

2、不直接加热整块基板,可按需进行沉积;空间选择性好,甚至可使薄膜生成限制在基板的任何微区内;避免杂质的迁移和来自基板的自掺杂;沉积速度比CVD快,4.5.4金属有机化合物CVD(MOCVD)装置,金属有机化合物指的是有机基团与金属元素结合而形成的化合物,如三甲基铝、三甲基镓、二乙基锌等 MOCVD装置与一般CVD装置的区别仅在于前者使用的是有机金属化合物作为反应物 使用有机化合物的优点在于这类化合物在较低的温度下即呈气态存在,避免了铝、嫁、锌等液态金属蒸发过程的复杂性,因而其对工艺的敏感性小,重复性好 MOCVD过程涉及的仅是有机金属化合物的热解,MOCVD装置示意图,沉积室是MOCVD生长系统

3、的核心组成部分,沉积室的设计对生长的效果有至关重要影响。 加热系统主要是射频,射频就是射频电流,大于10000次的称为高频电流。 由于MOCVD系统中采用的大多数源均易燃易爆,而其中的氢化物源又有剧毒,因此必须对反应过后的尾气进行处理。 杜瓦瓶是储存液态气体、低温研究和晶体元件保护的一种较理想容器和工具。,金属有机化合物CVD(MOCVD)装置,优点:可以通过确定控制气态源的流量和通断时间来控制外延层的组分、掺杂浓度、厚度等。可用于生长薄层和超薄层材料。 可以迅速改变多元化合物的组分和掺杂浓度减小记忆效应的可能性。 使用较灵活。原则上只要能选择合适的原材料就可以进行包含该元素的材料的MOCVD生长。,thank you,

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