分压式偏置电路经典设计.doc

上传人:白大夫 文档编号:3392902 上传时间:2019-08-21 格式:DOC 页数:2 大小:16KB
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1、分压式偏置电路经典设计分压式偏置电路分压式偏置电路是三极管另一种常见的偏置电路。这种偏置电路的形式固定,所以识别方法相当简单。1.分压式偏置电路的组成分压式偏置电路如图1(a)所示。其中:Rb1和Rb2是基极偏置电阻。C1是耦合电容,将输入信号vi耦合到三极管的基极。Rc是集电极负载电阻。(a)电路 (b)微变等效电路图1 分压式偏置电路及其微变等效电路Re是发射极电阻,Ce是Re的旁路电容,它为交流信号提供通道,避免了Re对输入信号的衰减。Ce的电容量一般为几十微法到几百微法。C2是耦合电容,将集电极的信号耦合到负载电阻RL上。图1(b)是图1(a)电路的微变等效电路。2稳定静态工作点原理设

2、流过基极偏置电阻的电流IRIB,因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻、,VB与三极管参数无关,不受温度影响。静态工作点的稳定是由VB和Re共同作用实现,稳定过程如下:设温度升高ICIEVBEIBIC其中:ICIE是由电流方程 IE IBIC得出,IEVBE是由电压方程VBE VBIERe得出,IBIC是由 IC IB得出。由上述分析不难得出,Re越大稳定性越好。但事物总是具有两面性,Re太大其功率损耗也大,同时VE也会增加很多,使VCE减小导致三极管工作范围变窄。因此Re不宜取得太大。在小电流工作状态下,Re值为几百欧到几千欧;大电流工作时,Re为几欧到几十欧。3静态分析分析图1电路的直流

3、通路如图2,可以得出:基极电位 VB VCC Rb2 / (Rb1+Rb2)发射极电流 IE ( VBVBE)/ Re集电极电流 ICIE基极电流 IB IC / 集射极电压 VCE VCC ICRcIERe VCCIC(Rc+Re)4动态分析根据图1(b)的微变等效电路,有图2 基本放大电路的直流通路电压放大倍数AvAv Vo/ Vi RL/ rbe (2)输入电阻riri Vi / Ii (3) rbe / Rb1/ Rb2rbe rbb (1+)26 mV/ IE300+(1+)26 mV/ IE根据输出电阻的定义,应将图1(b)微变等效电路的输入端短路,将负载开路。在输出端加一个等效的输出电压。于是输出电阻roro rceRcRc (4)

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