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1、如何通过电源去耦来保持电源进入集成电路（IC）的各点的低阻抗在之前的文章完美接地 VS.不完美接地 中，我们强调了保持低不管电源引脚的数量如何，IC数据手册都详细说明了每路电源的允许范围，包括推荐工作范围和最大绝对值，而且为了保持正常工作和防止损坏，必须遵守这些限制。放大器对电源电压变化的灵敏度通常用电源抑制比（PSRR）来量化，其定义为电源电压变化与输出电压变化的比值。尽管数据手册中可能没有给出实际的PSRR，数据转换器和其他混合信号IC的性能也会随着电源上的噪声而降低。电源噪声也会以多种方式影响? 适当的局部去耦在PCB上是必不可少的T。流过走线阻抗Z的电流产生电源电压VS的变化。如上所述
2、，根据IC的PSR，这会产生各种类型的性能降低。通过使用尽可能短的连接，将适当类型的局部去耦电容直接连接到电源引脚和接地层之间，可以最大限度地降低对功率噪声和纹波的灵敏度。去耦电容用作瞬态电流的电荷库，并将其直接分流到地，从而在IC上保持恒定的电源电压。虽然回路电流路径通过接地层，但由于接地层阻抗较低，回路电流一般不会产生明显的误差电压。? 选择正确类型的去耦电容低频噪声去耦通常需要用电解电容（典型值为1F至100F），以此作为低频瞬态电流的电荷库。将低电感表面贴装陶瓷电容（典型值为0.01F至0.1F）直接连接到IC电源引脚，可最大程度地抑制高频电源噪声。所有去耦电容必须直接连接到低电感接地层才有效。此连接需要短走线或过孔，以便将额外串联电感降至最低。铁氧体磁珠并非始终必要，但可以增强高频噪声隔离和去耦，通常较为有利。这里可能需要验证磁珠永远不会饱和，特别是在运算放大器驱动高输出电流时。当铁氧体饱和时，它就会变为非线性，失去滤波特性。请注意，某些铁氧体甚至可能在完全饱和前就是非线性。因此，如果需要功率级，以低失真输出工作，当原型在此饱和区域附近工作时，应检查其中的铁氧体。典型铁氧体磁珠阻抗如图4所示。图4. 铁氧体磁珠的阻抗在为去耦应用选择合适的类型时，需要仔细考虑由于寄生电阻和电感产生的非理想电容性能。