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1、本章重点内容 PN结及其单向导电特性 半导体二极管的伏安特性曲线 二极管在实际中的应用 三极管的结构和工作原理 三极管的放大作用 三极管的测量,1.1 PN结,1.1.1 本征半导体,（a）硅和锗原子的简化结构模型 (b)晶体的共价键结构及电子空穴对的产生 图 1.1硅、锗原子结构模型及共价键结构示意图,第1章 半导体器件,1.1.2 杂质半导体,1N型半导体,2P型半导体,图1.2 N型半导体的结构,图1.3 P型半导体的结构,3. PN结的形成,图1.4 PN结的形成,4 PN结的单向导电特性 (1) PN结的正向导通特性,(a) 正向偏置 （b）反向偏置 图1.5 PN结的导电特性,(2
2、) PN结的反向截止特性,1.2 半导体二极管,1.2.1 半导体二极管的结构及其在电路中的符号,（a） 结构 （b）电路符号 （c）实物外形 图1.6 二极管结构、符号及外形,1.2.2 半导体二极管的伏安特性,1正向特性,2反向特性,3反向击穿特性,4温度对特性的影响,1.2.3 半导体二极管的主要参数,1最大整流电流IF,2最大反向工作电压URM,3反向饱和电流IR,4二极管的直流电阻R,5最高工作频率fM,1.2.4 半导体二极管的命名及分类,1半导体二极管的命名方法,图1.8 半导体器件的型号组成,2半导体二极管的分类,1.2.5 二极管的判别及使用注意事项,1二极管的判别（用万用表
3、进行检测） （1）二极管正、负极性及好坏的判断,（2）二极管好坏的判别,（3）硅二极管和锗二极管的判断,（4）普通二极管和稳压管的判别,2二极管使用注意事项,1.2.6 几种常用的特殊二极管,1. 稳压二极管 (1)稳压二极管的工作特性,(a) 伏安特性 （b）符号 图1.9 稳压二极管的特性曲线和符号,(2).稳压管的主要参数,2. 发光二极管,(1)普通发光二极管,(2)红外线发光二极管,3激光二极管,4 光电二极管,5 变容二极管,(a) 压控特性曲线 (b) 电路符号 图1.10 变容二极管的压控特性曲线和电路符号,1.3 半导体三极管,1.3.1 三极管的结构及类型,半导体三极管是由
4、两个背靠背的PN结构成的。在工作过程中，两种载流子（电子和空穴）都参与导电，故又称为双极型晶体管，简称晶体管或三极管。 两个PN结，把半导体分成三个区域。这三个区域的排列，可以是N-P-N，也可以是P-N-P。因此，三极管有两种类型：NPN型和PNP型。,NPN型,PNP型,箭头方向表示发射结加正向电压时的电流方向,1.3.2 电流分配和电流放大作用,（1）产生放大作用的条件 内部：a）发射区杂质浓度基区集电区 b）基区很薄 外部：发射结正偏，集电结反偏,（2）三极管内部载流子的传输过程 a）发射区向基区注入电子，形成发射极电流 iE b）电子在基区中的扩散与复合，形成基极电流 iB c）集电
5、区收集扩散过来的电子，形成集电极电流 iC （3）电流分配关系： iE = iC + iB,实验表明IC比IB大数十至数百倍，因而有。IB虽然很小，但对IC有控制作用，IC随IB的改变而改变，即基极电流较小的变化可以引起集电极电流较大的变化，表明基极电流对集电极具有小量控制大量的作用，这就是三极管的电流放大作用。,1.3.3 三极管的特性 工作状态及接法,1输入特性曲线,与二极管类似,2输出特性曲线,（1）放大区：发射极正向偏置，集电结反向偏置,（2）截止区：发射结反向偏置，集电结反向偏置,（3）饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置,此时,1.3.4 三极管的主要参数,1、电流放大系数：iC= iB 2、极间反向电流iCBO、iCEO：iCEO=（1+ ）iCBO 3、极限参数 （1）集电极最大允许电流 ICM：下降到额定值的2/3时所允许的最大集电极电流。 （2）反向击穿电压U（BR）CEO：基极开路时，集电极、发射极间的最大允许电压。 （3）集电极最大允许功耗PCM 。,(a) (b) (c) 图1.17 三极管引脚识别示意图,3南韩、日本三极管介绍。,4彩电和彩显行输出管简介,5三极管好坏的判别,6三极管的代换原则,1.3.5 三极管的检测与代换,1国产三极管的命名方法简介,2三极管三个电极（管脚）的估测,