ADS设计实验教程六:功率放大器设计.pdf

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1、 MESFET Al Sweet :,? *. *SIV. *STEVE CRIPPS ,. SS Steve Cripps IVRL RLRF RFRL S22 *Psat *AAB *IM3IMR5IP3 * *ACPR RF 1dB IM3 IM5 IP3IP5rules of thumbMESFET *P-1dBPsat1dB *IP3P-1dB1012dB * * * *IV * * * * * *K * *MESFET AAImax1/2 * *IV * *RLRF * : S IVRLRL RLRL RL MESFETIVRFRL RFIV RL A CDMATDMA AVb-V

2、sRL RL=SQRVb-Vs/2Pout IVRL RL RL CdsCds0.10PF RL: ,GaAs MESFET RF AGaAs MESFET -IV RF RF RL Fujitsu FLL351ME11dB+35dBm PCSIV FLL351MES K Fujitsu FLL351MEEr=9.70.65mm FLL351ME2.3GHz FLL351MEIVRL MESFET MESFETRL Cds SMMIC 50 MESFET : 1/4 Fujitsu 1997358PCB269.7 ADSFLL351ME KADS 10.0dB 1.8GHzFujitsu RL

3、 1.8GHz * * *EM *S EMS MESFET S GaAs MESFET RLS ,RL RL ADSADSamodelB_pri under mw_ckts” -HP/EESOF ADS ADSS SS AIdss/2 Vds=8VGaAs MESFET Wmm Cgs=1.0 pF/mm Cgd=0.04 pF/mm Rin=4.1 Ohms-mm Rds=184 Ohms-mm Cds=0.20pF/mm Gm=0.082 S/mm SIV SIV RLRF RL ADS RLFLL351ME11 RL=11.4RL 50 2011 SIV SIV RLRF RL ADS ADSRL=11.4 -15dBRL Z 11RF ADS MESFET K1 50 MESFET 501/4 0.7dB SS22 RF MESFET Power Amplifier Design : Small Signal Approach 2002.4.28.

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