[电子标准]-SJT 10152-1991 集成电路主要工艺设备术语.pdf

《[电子标准]-SJT 10152-1991 集成电路主要工艺设备术语.pdf》由会员分享，可在线阅读，更多相关《[电子标准]-SJT 10152-1991 集成电路主要工艺设备术语.pdf（67页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、吕J 中华人民共和国电子工业行业标准 s a / T 1 0 1 5 2 - - 9 1 集成电路主要工艺设备术语 1 9 9 1 一 0 4 - 0 2 发布 1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 目次 1 材料制造设备术语 “ ” “ ” ， ” ， ” ” ” ， ， 一 ( 1 ) 2 制版设备术语 “ ，. ， ， ” ， . ( 4 ) 3 光刻设备术语 ” ( 9 ) 4 掺杂设备术语 ” “ “ ( 1 9 ) 5 薄膜淀积设备术语 ， ， ， ， ，. ， 。 ， ， 一( 2 幻 6 后工序设备术语“ ， ， 。 ， 。 ， ， ，

2、， ， ， ， ( 2 7 ) 7 检讲设备术语. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ， ， ” ( 3 0 ) 附 录A 汉语索引 ” ， ( 3 5 ) 附录 B 英文索引 ， . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ( 5 0 ) 中华人民共和

3、国电子工业行业标准 集成电路主要工艺设备术语 S J / T 1 0 1 5 2 -9 1 T e r m s R e l a t i n g t o Ma i n E q u i p m e n t f o r I n t e g r a t e d C i r c u i t T e c h n o l o g i e s 主题内容与适用范围 本标准规定了半导体集成电路制造工序主要生产设备的有关术语及定义. 本标准适用于半导体集成电路制造工序主要生产设备的研究、 生产、 使用、 检验、 教学和技 术交流 。 材料制造设备术语 单晶炉 c r y s t a l g r o w i n g

4、f u r n a c e 以高温 熔化方法由 原材料制备或提纯单质或 化合物半导体单晶 锭的设备。 1 直拉单晶沪 C z o c h r a l s k i c r y s t a l p u l l e r 在适当的温度和工作气氛控制下， 将特制的硅单晶籽晶与熔化于柑塌内的高纯多晶硅 材料相接触， 并在籽晶与增坍的相对旋转中按一定速度垂直向上提拉籽晶， 使硅熔体 不断沿籽晶晶体取向结晶， 直接.拉制成单晶硅锭的设备。 1 . 1 增坍 c r u c i b l e 由石英制成的供盛装和熔化炉料的容器。 1 . 2 柑垠轴 c r u c i b l e s h a f t 用来连接增飒

5、， 并带动其按一定速度升降、 转动的部件。 1 . 3 籽晶杆 s e e d h o l d e r 用来装卡籽晶， 带动其按一定速度升降、 转动， 并提拉生长成的单晶锭的部件。 1 . 4 籽晶行程 s e e d t r a v e l 籽晶杆带动籽晶在炉内提拉晶锭垂向移动的最大直线距离。 1 . 5 直径自 动控制系 统 a u t o m a t e d d i a m e t e r c o n t r o l s y s t e m 利用红外成象方法对固一液界面的温度梯度进行监控， 以实现晶锭直径恒定的自动 控制装置。 1 . 6 晶锭 直径偏差 in g o t d i a m

6、 e t e r d e v i a t i o n 在晶锭的等径部分， 沿同一侧母线方向直径的最大值与最小值之差。 1 . 7 晶 体取向 c r y s t a l o r ie n t a t io n 又称晶向。半导体单晶体或晶片的晶格排列方向. 2 磁场直拉单晶炉ma “ n e t i c C z o c h r a ls k i c r v s t a l D u l l e r 中 华人民 共和国机械电子工业部1 9 9 1 - 0 4 - 0 2 批准 1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 S J / T 1 0 1 5 2 -9 1 外部设有电磁铁， 以横向或纵向强磁

7、场提高熔体运动粘滞性， 抑制熔体对流和涡流的 直拉单晶炉。 1 . 1 . 3 悬浮区 熔单晶炉 f l o a t z o n e c r y s t a l g r o w e r 在真空或隋性气体保护下， 用移动的高频感应线圈对沿轴线垂立的多晶料棒进行自下 而上的狭窄区段加热熔化， 熔融材料依靠自身表面张力悬浮于原位， 并在冷却的一端 沿籽晶晶向结晶的过程中得到进一步提纯的硅单晶生长设备。 1 - 1 . 4 电 子束单晶 炉 e l e c t r o n b e a m c r y s t a l g r o w e r 又称电子束区域熔炼炉。 用电 子束 轰击方法对多晶硅棒进 行窄

8、区段加热熔炼的悬浮区 熔单 晶炉。 1 . 1 . 5 液封直拉单晶炉 l iq u i d e n c a p s u l a t e d C z o c h r a l s k i c r y s t a l p u l l e r 利用过压隋性气体及漂浮于熔体表面的液态封盖剂来维持合成条件， 并阻止高燕汽压 元素挥发， 以拉制 G a As 或其它化合物单晶锭的直拉单晶炉. 1 . 1 . 5 . 1 工作压力w o r k i n g p r e s s u r e 反应室内为维持Ga A s 的化学合成及单晶生长条件所充入的惰性气体压力。 1 . 1 . 6 高压单晶 炉 h i g

9、 h p r e s s u r e c r y s t a l p u l l e r 反应室内隋性气体压力在 2 MP a以上的液封直拉单晶炉。 1 - 1 . 7 中压单晶炉 m e d i u m p r e s s u r e c r y s t a l p u l le r 反应室内隋性气体压力在 。 . 5 到 2 MP a 之间的液封直拉单晶炉。 1 . 1 . 8 低压单晶炉 l o w p r e s s u r e c r y s t a l p u l l e r 反应室内惰性气体压力在 。 . 3 MP a 左右的液封直拉单晶炉。 1 . 1 . 9 水平区 熔单晶

10、炉 h o r i z o n t a l B r i d g m a n c r y s t a l g r o w e r 以密封石英管维持合成和单晶生长条件， 以矩形截面石英舟盛放 A s , G a 原料， 当该石 英反应曾与窄区段加热护按一定速度相对水平移动时， 高温合成的 G a As 名体即在冷 却的一侧沿籽晶晶向结晶， 并得到进一步提纯的G a A 。 方晶生长设备. 1 . 2 切片机 s l ic i n g m a c h i n e 将半导体单晶等脆硬棒材切割成适当厚度片材的设备。 1 . 2 . 1 内圆切片机in n e r d i a me t e r s a w

11、 利用内圆刃部镀有金 钢石细粒的环形不锈钢体刀片。 将半导体单晶、 陶瓷 等脆硬棒材 切割成高精度薄片的设备. 1 . 2 . 1 . 1 主轴 s p i n d l e 用以支承和装卡刀环和刀片， 并带动其作高速、 平稳旋转的 零件。 1 . 2 . 1 . 2 刀环 c h u c k b o d y 固定在主轴上， 用来安装刀片并使其张紧的部件。 1 . 2 . 1 . 3 送料系统 i n d e x i n g s y s t e m 将工件按预定步距输送到切割位置的分度进给装置， 1 . 2 . 1 . 4 切割进给系统 c u t t i n g f e e d s y s t

12、 e m 控制工件以适当速度切割进给及退出的装置。 1 . 2 . 1 . 5 调晶机构 o r i e n t a t i o n a s s e m b ly 对晶锭按切割所需晶向进行角度调整的机构。 1 . 2 . 16 弯曲度监测装置b o w t r a c k t e s t in s t r u me n t 一2 一 s J / T 1 0 1 5 2 -9 1 为确定切割表面的弯曲状况而对晶体切割过程中刀片的变形轨迹进行观测与显示 的自动侧试记录装置。 2 . 1 . 7 送料重复精度 i n d e x i n g r e p e a t a b i l i t y 送料系

13、统多次重复运动的实际步距与设定步距的最大差值。 2 . 1 . 8 片 厚设定范围 in d e x i n g r a n g e 送料系统自动工作时一次分度进给动作的行程. 2 . 1 . 9 晶向 调节范围 o r i e n t a t i o n r a n g e 调晶 机构绕X , Y轴旋转时所能达到的 最大调整角度. 2 . 1 . 1 0 切割行程 c u t t i n g t r a v e l 切割过程中工件轴线和主轴轴线相对位移的最大距离. 2 . 1 . 1 1 送料进给速度 i n d e x i n g f e e d t r a v e l 切割全过程中工件在

14、主轴轴线方向直线运动的最大距离. 2 . 1 . 1 2 切割进给速度 c u t t i n g f e e d s p e e d 单位时间内切割进给系统推送工件进行切割的移动距离. 2 . 1 . 1 3 切割返回 速度 r e t u r n s p e e d 单位时间内切割进给系统带动工件退回原位的移动距离。 2 . 1 . 1 4 导轨运动 方向直线度 s l i d e w a y m o v in g l i n e a r i t y 导轨在其规定运动方向的实际轨迹对理想轨迹的变动量. 2 . 2 外圆切片机o u t e r d i a m e t e r s a w 利

15、用外圆刃部镀有金刚石粉粒的圆 形刀片将半导体单晶等脆硬棒材切割成薄片的设 备 。 3 研磨机 l a p p i n g m a c h i n e 利用研磨剂对晶片表面进行机械磨削减薄， 以获得具有一定厚度、 平行度和粗糙度要求 的晶片的表面加工设备。 3 . 1 双面研磨机 d o u b l e - s i d e d l a p p i n g m a c h i n e 利用适当方式驱动晶片相对上、 下磨盘作行星式或其它形式的运动， 同时对晶片两侧 表面进行高精度机械磨削的设备。 3 . 2 单面研磨机 s i n g le - s id e d l a p p i n g m a

16、c h i n e 迫使晶片相对下磨 盘作行星式或其它形式的运动， 对晶片的一侧表面进行高精度机械 磨削的设备。 3 . 2 . 1 同盘加2厚度偏差t h i c k n e s s d e v i a t i o n o f t h e s a m e b a t c h 同二批被研磨晶片间的最大晶片厚度和最小晶片厚度之差. 4 抛光设备 p o l i s h i n g e q u i p m e n t 利用抛光剂对研磨后的晶片进一步除去加工表面残留的机械损伤， 以获得具有一定平面 度和粗糙度要求的晶片的表面加工设备。 4 . 1 化学 机械抛光机 c h e m i c a l -

17、 m e c h a n ic a l p o li s h i n g m a c h i n e 幸 用化学腐蚀与机械作用相结合的原理对晶片表面进行抛光的设备。 4 . 1 . 1 晶片s l ic e 又称裸片。 由半导体单晶锭上切割下的， 或经研磨、 抛光等后续加工处理的圆盘状半 导体单晶薄片。 一3 一 S J / T 1 0 1 5 2 -9 1 倒角 机 e d g e g r i n d e r 为防止加工中的晶片碰撞破损、 擦伤或在边缘形成不正常生长层， 通过成型砂轮磨削而 使晶片边缘棱角锐度降低的设备。 制版设备 术语 制版设备 m a s k - m a k in g e

18、 q u i p m e n t ; P h o t o m a s k - m a k i n g e q u i p m e n t 依据集成电路图形设计数据， 制造集成电路掩模或中间掩模的系列设备。 1坐 标 刻图 机 c o o r d i n a t o g r a p h 利用在平台表面作两维运动， 相对直角坐标轴准确定位的刻刀， 对置于台面上的红膜 按设计数据刻线， 并经人工剥膜， 以形成适当放大倍率的集成电路原图的装里. 1 . 1 原图 a r t w o r k 依据集成电路平面设计图， 用刻膜和剥膜方式所复制成的放大红膜图. 1 . 2 刻线间距误 差 s p a n e

19、 r r o r i n i n d e n t in g l i n e s 刻制矩形图形时. 所刻两条对应平行线间实际距离与设定距离的偏差。 1 . 3 刻圆直径误差 d i a m e t e r e r r o r i n e n g r a v i n g a r t w o r k 刻制圆形图形时， 所刻圆的实际直径与设定直径的偏差。 2 数字化仪 d ig i t iz e r 从集成电路平面设计图上读取图形细节的座标位置， 并将其转化为适当格式的图形数 据的装置。 3 自 动 制 图 机 a u t o m a t i c d r a u p h t e r 在计算机控制下，

20、直接按输入的图形数据， 以刻膜、 剥膜方式制作放大的集成电路原 图， 或以彩色笔绘图方式在图纸上绘制放大的各图层图形套刻示图的装置。 4 初缩照相机 f i r s t r e d u c t i o n c a m e r a 又称一次缩小照相机。 利用光学成象原理， 将集成电 路原图 按适当比例 缩小， 并成象在 乳胶板的感光膜上， 以形成中间掩模的大型照相设备。 4 . 1 感光板p h o t o p l a t e ; p h o t o m a s k b l a n k 表面涂覆有供制作光掩膜图形的均匀不透明材料层和感光材料层的玻璃或透明塑 料基板 。 4 . 2 乳胶板 e m

21、 u l s i o n p h o t o p l a t e 以感光乳胶直接做光掩膜图形涂覆层的感光板。 4 . 3 铬板 c h r o m i u m p h o t o p la t e 以铬做光掩膜图形涂搜层的感光板。 5 精缩照相机 p h o t o r e p e a t e r ; m a s k s t e p p e r 由高分辨率光学成象系统和程控精密工作台组成。 将中间掩模图形按适当比例缩小到 实际尺寸， 并按分步重复方式或异图分布方式在乳胶板或铬板的感光膜上成象为图形 阵列， 以形成集成电路主掩模的高分辨率照相设备。 5 . 1 微缩镜头 r e d u c t

22、i o n l e n s 由单一或多种光学材料制作的不同面型镜片所组成， 精确校正于特定光辐射谱线. 并可以该谱线将物面图形按一定倍率清晰地缩小呈现在象面的折射光路装置。 5 . 2 镜头分辨率 l e n s r e s o l u t i o n 一4 一 s ) / T 1 0 1 5 2 -9 1 2 . 1 . 5 . 3 2 . 1 . 5 . 2 . 1 . 5 . 7 5 . 1 1 2 . 1 . 5 . 1 2 5 . 1 6 在标准工艺条件下， 镜头在其视场内所能产生的最小图象尺寸， 或单位长度可分辨 的最大线对数目 。 镜 头 实 拍 分辨 率 p r a c t i

23、 c a l l e n s r e s o l u t io n 在生产工艺条件下， 镜头在其视场内实拍的版面上所能产生的最小图象尺寸， 或单 位长度可分辨的最大线对数目。 自 动调焦系统 a u t o m a t i c f o c u s s y s t e m 使镜头焦面与感光层成象表面自动重合， 以得到最佳成象分辨率的装置. 自 动 调焦 范 围 a u t o m a t i c f o c u s r a n g e 可自动调节象距的最大距离. 调焦 精度 f o c u s a c c u r a c y 自动或手动调焦时， 实际象距与理想象距的偏差. 调焦 分辨率 f o

24、c u s r e s o l u t i o n 在调焦范围内， 调焦机构实际调节可分辨的象面最小位移量。 焦深 d e p t h o f f o c u s 在保证镜头在整个视场内按规定分辨率清晰成象的条件下， 象面在焦面 前后可移动 的实际距离。 异图分布 d if f e r e n t p a t t e r n d i s t r i b u t i o n 将两种或两种以上的不同中间掩模图形以相同或不同阵列缩小成象在同一块主掩 模版面上。 版架r e t ic l e h o l d e r : m a s k h o l d e r 将中间掩模或掩模固定于成象系统物面的矩形金

25、属框架。 暗盒c a s s e t t e 将感光板夹持并置放于工作台上， 以保持其在成象系统象面的正确位置的遮光腔 体。 掩模 m a s k ; p h o t o m a s k 又称光掩模。在透明基板上制作有各种所需屏蔽图形， 并精确定位， 以用于对光致 抗蚀剂涂层选择性唾光的图版结构. 中间掩模 r e t ic le 又称初缩版或一次版。由集成电路原图缩小成象或用图形发生器直接制作在感光 板上. 图形尺寸大于或等于集成电路实际尺寸的掩模。 主 掩 模 m a s t e r m a s k 又称精缩版或母版。将中间掩模图形经分步重复、 缩小成象在感光板上， 图形尺寸 等干集成电路

26、实际尺寸的掩模。 S作掩模 w o r k i n g m a s k ; w o r k in g p l a t e 又称工作版。 由主掩模复印而成. 在集成电路制造中直接用于对圆片上的光致抗蚀 剂层进行选择性曝光的掩模。 正性光掩模 p o s i t i v e p h o t o m a s k 又称正掩模。具有透明背景和不透明图形的掩模。 负 性光 掩 模 n e g a t i v e p h o t o m a s k 又称负掩模。具有不透明背景和透明图形的掩模。 一5 一 S J / T 1 0 1 5 2 - 9 1 5 . 1 8 掩模保护膜p e l li c l e

27、由金属框架固定在掩模或中间掩模图层上方一定高度处， 用以使之免受尘埃污染 和工艺擦伤的高透光率材料薄膜. 6 分步重复照相机 s t e p - a n d - r e p e a t c a m e r a 不推荐， 见精缩照相机。 7 掩模复印机 m a s k p r in t e r 又称翻版机。将集成电路主掩模图形进行接触印相， 以复制工作掩模的曝光设备。 7 . 1 拷贝力 。 o p y f o r c e 复印曝光时， 施加于掩模版和感光板上的压力. 8 光学图形发生器 o p t i c a l p a t t e r n g e n e r a t o r 在计算机控制下，

28、 利用可变 机械狭缝或固定图形模块、 载有感光板的工作台 及闪光灯 的协调动作， 直接按输人的集成电路数据在感光膜上顺序曝光， 并将大盆嗓光象素拼 接成完整集成电路中间掩模图形的设备。 8 . 1 X - Y T作台 X - Y s t a g e ; X - Y t a b l e 又称X - Y工件台。 在X, Y方向的适当行程内载动固定于其上的工件作两维高速运 动， 并能进行精确定位的机械台面。 8 . 2 精密工作台 p r e c is io n s t a g e 不推荐， 见X - Y工作台。 8 . 3 导轨系统 g u id a n c e s y s t e m 在偏摆、

29、俯仰、 侧滚六度空间内保证工作台面按规定坐标轴向平稳运动的承载和导 向机构 ， 8 . 4 工作台行程 s t a g e t r a v e l 工作台作直线运动的最大移动距离， 8 . 5 工作台运动直线性 l i n e a r it y o f s t a g e m o t i o n 、 工作台在其直线运动范围内 的实际运行轨迹与理想运行轨迹的最大偏差量。 8 . 6 T作台 运动正交性 o r t h o g o n a l i t y o f s t a g e m o t io n s 工作台在其直线运动范围内作两维运动时， 其一个运动方向的平均直线轨迹和另一 个运动方向的平

30、均直线轨迹的交角与直角的偏差量。 8 . 护何 服 驱 动 系 统 s e r v o d r i v i n g s y s t e m 根据定位信息， 对运动件进行起、 停、 定位控制， 并使运动件作相应运动的装置. 8 . 8 工 作台 加速度 s t a g e a c c e l e r a t i o n 在一个运动方向上， 工作台单位时间所能达到的速度改变量. 8 . 9 T 作台 最高速度 m a x i m u m s t a g e s p e e d 在一个运动方向上， 工作台单位时间所能移动的最大距离。 8 . 1 0 工作台位置 分辨率 s t a g e p o s

31、 i t i o n r e s o l u t io n 在X方向或 Y方向的实际运动中。 工作台可重复实现的最小位移量。 8 . 1 1 工作台定位精度 s t a g e a c c u r a c y 工作台在一个运动方向的全行程内的任一点作重复定位时， 其实际定位位置与理 想定位位置的符合程度， 并以其实际定位位置的平均值与理想定位位置之偏差来 J 平定 。 6 一 S J / T 1 0 1 5 2 -9 1 2 . 1 . 8 . 1 2工 位台 重 复 精 度 s t a g e p r e c i s i o n 工位台在全行程内的任一点作重复定位时， 其实际定位位置与多次定

32、位的平均位 置的符合程度， 并以其实际定位位置统计分布的两倍或三倍标准偏差极限来评定。 2 . 1 8 . 1 3先栅测长系统 g r a t i n g m e t e r i n g s y s t e m 以计量光栅的栅距作长度基准， 通过观察两光栅干涉产生的莫尔条纹的变化测量 工作台实际位移， 并将测得位移量转换为所要求信号的装置. 2 . 1 . 8 . 1 4 激光测长系统 l a s e r m e t e r i n g s y s t e m 以稳频激光器的辐射波长作长度基准， 通过激光千涉仪精确测量工作台的实际位 移， 并将测得位移量转换为所要求信号的装置。 2 . 1 .

33、 8 . 1 5 固定图 形台 f i x a t i v e s t a g e 将具有单个或多个特定形状的图形模块放置在物面的机构. 2 . 1 . 8 . 1 6 可变孔径 v a r i a b l e a p e r t u r e 又称可变狭缝。 由两组可开合的机械刀口或其它机件组成， 在物面上产生不同矩形 基础图形的机构。 2 . 1 . 8 . 1 7 孔径变 化范围 a p e r t u r e r a n g e 以象面面积表示的孔径从最小到最大的变化量。 2 . 1 . 8 . 1 8 孔 径 分 辨率 a p e r t u r e r e s o l u t io

34、n 以象面图形宽度表示的控制系统所决定的孔径最小位移量。 2 . 1 . 8 . 1 9 孔径程序分辨率 a p e r t u r e p r o g r a m m a b l e r e s o l u t i o n 以象面图形宽度表示的控制程序所决定的孔径最小位移量。 2 . 1 . 8 . 2 0 孔径刀口 平行度 a p e r t u r e b l a d e p a r a l l e l is m 在变化范围内， 孔径一对刀口之间在平行方向上的变动量。 2 . 1 . 8 . 2 1 孔径刀口 垂直度 a p e r t u r e b la d e o r t h o

35、g o n a l i t y 在变化范围内， 孔径相邻刀口在垂直方向上的变动量。 2 - 1 . 8 . 2 2 孔 径 转 动 范 围 a p e r t u r e r o t a t i o n r a n g e 孔径从零位起转到最大的角度变化量。 2 . 1 . 8 . 2 3 孔 径 转 动 对 中 性 a p e r t u r e r o t a t i o n c e n t e r i n g 孔径中心相对孔径旋转中心的偏移量。 2 . 1 . 8 . 2 4 套准精度 r e g i s t r a t io n p r e c is io n 一种集成电路的一套掩模彼

36、此正确迭合时， 其中一层掩模上的全部功能图形与其 相应图形的理想位置的相对位置偏差. 2 . 1 . 8 . 2 5 同 机套版精度 m a c h in e o v e r l a y p r e c is i o n 由一台制版设备所制作的一种集成电路的一套掩模或中间掩模相互正确迭合时， 其各图层相应图形的相对位置偏差。 2 . 1 . 8 . 2 6 异机套版精度 m a c h i n e - t o - m a c h in e o v e r la y p r e c i s i o n 由不同制版设备所制作的一种集成电路的一套掩模或中间掩模相互正确迭合时， 其各图层相应图形的相对

37、位置偏差。 2 . 1 . 9 准分子激光图形发生器 e x i m e r l a s e r p a t t e r n g e n e r a t o r 以准分子激光器做闪 光光源的 机械狭 缝式或激光狭 缝式光学图形发生器。 2 . 1 . 9 . 1 准 分 子 激 光 器 e x i m e r l a s e r 一7 一 S ) / T 1 0 1 5 2 -9 1 以高速高压放电激励含有卤素的适当混合气体， 使其形成受激二聚物， 从而产生远 紫外波段高能、 窄谱、 超短脉冲光辐射的气体脉冲激光器。 2 . 1 . 9 . 2停 进 曝 光 s t o p ， e x p o

38、 s e a n d g o 每到达一个预定曝光位置， 即控制工作台停止运动， 并待光束对其承载的感光板完 成图形定位曝光后， 再驱动工作台移向下一曝光位置， 以实现顺序作图。 2 . 1 . 9 . 3行 进 曝 光 f l a s h o n t h e f l y 在工作台不停顿地运动的过程中， 每当通过一个预定曝光位置的瞬间， 即触发高能、 超短光脉冲对其载动的感光板进行同步逐位曝光， 以实现顺序作图。 2 . 1 . 1 0 扫描激光图形发生器 s c a n n i n g l a s e r p a t t e r n g e n e r a t o r 用计算机控制的聚焦 激光

39、束进行光栅扫描， 直接按输人的地址和图形数据对感光板 曝光， 并将大量曝光象素精确拼接成完整集成电路掩模或中间掩模图形的高效率制 版设备 . 2 . 1 . 1 0 . 1 声一光调制器 a c o u s t o - o p t ic m o d u l a t o r 利用超声波在晶体中所形成的介质密度的周期变化使入射激光束产生的衍射作 用， 对激光束强度进行数字调制的装置。 2 . 1 - 1 0 . 2 声一光偏转器 a c o u s t o - o p t i c d e f l e c t o r 利用超声波在晶体中所形成的介质密度的周期变化对入射激光束产生的衍射来改 变激光束传

40、播方向的装置。 2 . 1 . 1 0 . 3 电 声 换 能 器 e l e c t r o a c o u s t i c t r a n s d u c e r 利用晶体材料的电声特性， 将电振荡能量转换为声波振动能盈的装置。 2 . 1 . 1 1 电 子束 制版系 统 e l e c t r o n b e a m m a s k - m a k i n g s y s t e m 用计算机控制的聚焦电子束进行光栅扫描或矢量扫描， 直接按输入的地址和图形数 据对铬板的电 子束 抗蚀剂层曝光. 并将大量曝光象素精确拼接成完整图形， 以制作集 成电路主掩模的制版设备. 2 . 1 . 1

41、 2 激光布 线机 l a s e r p a n t o g r a p h y 采用选择性金属激光化学汽相淀积及二氧化硅的淀积与选择蚀刻， 直接在计算机控 制下， 按输人的设计数据对通用集成电路芯片制作特定双层金属互连图， 以完成专用 集成电路芯片制造的设备。 2 . 2 掩模修补 设备 m a s k r e p a i r s y s t e m 与掩模缺陷 检查 设备联接， 利用各种辐射束及适当配用材料对掩模或中阿掩模的透明缺 陷和/ 或不透明缺陷进行修复的设备。 2 . 2 . 1 激 光 掩 模 修 补 设 备 l a s e r m a s k r e p a i r s y

42、s t e m 利用适当波长的激光对特定金属有机物反应剂的光化学汽相淀积作用和对掩膜图形 材料的热蒸发作用。 以聚焦扫描激光束分别定域修复铬掩模或中间掩模透明缺陷和不 透明缺陷的设备。 2 . 2 . 2 聚焦 离子束掩膜修补设备 f o c u s e d io n b e a m m a s k r e p a i r s y s t e m 利用离子束对适当反应剂的化学汽相淀积作用及对玻璃基片或掩模图形材料的溅射 蚀刻作用， 以亚微米聚焦扫描离子束分别定域修复铬掩模或中间掩模透明缺陷和不透 明缺陷的设备。 2 . 2 - 2 . 1 场致发射离子源 f i e l d io n s o

43、u r c e 一R 一 S J / T 1 0 1 5 2 -9 1 在强电场作用下， 直接使气体、 液体或固体源材料电离而发射离子的高亮度离子源。 2 . 2 . 2 . 2 液态金属离子源 l i q u i d m e t a l i o n s o u r c e 由尖锥发射体、 金属融池和引出电极组成。以单质金属的熔体做源材料而构成的场 致发射离子源。 2 . 2 - 2 . 3 源亮度 s o u r c e b r i g h t n e s s 离子源发射表面上单位面积向单位立体角空间所发射的离子束电流强度。 光刻设备术语 3 . 1 抗蚀剂处理及清洗设备 r e s i s

44、 t p r o c e s s i n g a n d c l e a n i n g e q u i p m e n t 光刻工艺中， 对圆片进行擦片、 干燥、 涂胶、 前烘、 显影、 坚膜及清洗等处理的系列或综合 辅助设备。 3 . 1 . 1 擦片 机 w a f e r s c r u b b e r 利用喷射高压水和旋转的刷子除去圆片表面物理性污染物的设备。 3 . 1 . 1 . 1 圆片 w a f e r 表面具有适当附加材料层. 用以在表层制造集成电路的圆盘状半导体单晶薄片。 3 . 1 . 1 . 2 基片 s u b s t r a t e 又称衬底。置于相同或不同材料

45、之下， 对其起有支撑或基座作用的半导体单晶或其 它材料构件. 3 . 1 . 2 蒸汽预 处理机 s t e a m p r e p r o c e s s i n g s y s t e m 用适当材料的蒸汽对涂胶前的圆片进行化学脱水处理， 以增强抗蚀剂对圆片的附着力 的设备 。 3 . 1 . 3 涂胶机p h o t o r e s i s t c o a t e r ; r e s i s t c o a t e r 利用液体的表面张力和圆片高速旋转的离心力的作用， 将光致抗蚀剂均匀地涂敷在圆 片表面的设备。 3 . 1 . 3 . 1 旋转涂胶台 s p in - c o a t i

46、 n g s t a g e 真空吸附圆片并带动其高速旋转的载物台面。 3 . 1 . 3 . 2 光 致 抗 蚀 剂 p h o t o r e s i s t ; r e s i s t 又称光刻胶。 以适当厚度涂搜于基片上. 经正常曝光和显影后可形成图形层， 用来有 选择地掩蔽或保护基片表面， 使被保护区基片在相应工艺流程中免于发生变化的高 分子辐射敏感材料。 3 . 1 . 3 . 3 正性光致抗蚀剂 p o s i t i v e p h o t o r e s i s t 又称正胶。 涂覆于基片上， 经选择性辐照曝光后， 其被曝光区域可由显影剂消溶的光 致抗蚀剂。 3 . 1 . 3 . 4 负性光致抗蚀剂 n e g a t i v e p h o t o r e s is t 又称负胶. 涂搜于基片上， 经选择性辐照曝光后， 其被曝光区域可抵抗显影剂的消溶 作用的光致抗蚀剂。 . 1 . 4 甩胶机 r e s i s t s p i n n e r 不推荐， 见涂胶机