[电子标准]-SJT11165-1998.pdf

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1、I C S 3 1 . 2 6 0 I . 54 备案号: 2 0 6 9 -1 9 9 8 rJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 S J / T 1 1 1 6 5 一 1 9 9 8 i d t I E C 7 4 7 一1 2一4 用于光纤系统或子系统带尾纤/ 或不带尾纤的P I N - F E T模块空白 详细规范 B l a n k d e t a i l s p e c i f i c a t i o n o f P I N一F E T m o d u l e s w i t h / w i t h o u t p i g t a i l f o r f i b

2、 r e o p t i c s y s t e ms o r s u b s y s t e m s 1 9 9 8 - 0 3 - 1 1 发布 1 9 9 8 - 0 5 - 0 1 实施 中华人民共和国电子工业部发布 前言 本空白详细规范等同采用国际电工委员会( I E C ) 标准 I E C 7 4 7 -1 2 -4 半导体器件第 1 2 部: 光电子器件第四篇用于光纤系统或子系统带尾纤/ 或不带尾纤的 P IN 一F E T模块空 白详细规范 。 本标准引用的国家标准G B / T 1 5 6 5 1 -1 9 9 5 等同采用I E C 7 4 7 -5 ( 1 9 9 4

3、) 本标准由中 华人民 共和国电子工业部提出。 本标准起草单位: 电子工业部标准化研究所。 本标准主要起草人: 于洋、 常利民。 I E C前言 1 ) I E C ( 国际电工委员会) 是由各国家电工委员会( I E C国家委员会) 组成的世界性 标准 化组织。I E C的目的是促进电工电子领域标准化间题的国际合作。为此目的. 除其他活动外， I E C发布国际标准， 国际标准的制定由技术委员会承担， 对所涉及内容关切的任何 I E C国家 委员会均可参加国际标准的制定工作。与 I E C有联系的任何国际、 政府和非官方组织也可以 参加国际标准的制定。I E C与国际标准化组织( I S O

4、) 根据两组织间协商确定的条件保持密切 的合作关系。 2 ) I E C在技术问题上的正式决议或决议， 是由对这些问题特别关注的国家委员会参加 每一个技术委员会制定的， 对所涉及的问题尽可能地代表了国际上的一致意见。 3 ) 这些决议或协议以标准、 技术报告或导则的形式发布， 以推荐的形式供国际上使用， 并在此意义上， 为各国家委员会认可。 4 ) 为了促进国际上的统一， 各 I E C国家委员会有责任使其国家和地区标准尽可能用采 用 I E C标准。I E C标准与相应国家或地区标准之间的任何差异应在国家或地区标准中指明。 5 ) I E C未制定使用认可标志的任何Im序， 当宣称某一产品符

5、合相应的 I E C标准时， I E C 概不负责。 6 ) 本标准是由S C 4 7 C ( 光电子器件、 显示和图像器件) 和 I E C 4 7 ( 半导体器件) 制定的。 本标准系用于光纤系统和子系统的P I N -F E T模块空白详细规范。 本标准文本以下列文件为依据: 最 终 草 案表 决 报 告 4 7 C/ 1 5 1 /F DI S4 7 C/ XXX / RVD 本标准表决批准的详细资料可在上表列出的表决报告中查阅。 本标准封面的 Q C编号是 I E C电子元器件质量评定体系( I E C Q) 规范号。 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 半导体器件第

6、 1 2 部分: 光电子器件 第4 篇: 用于光纤系统或子系统 带尾纤/ 或不带尾纤的P I N -F E T模块空白 详细规范 S I / T 1 1 1 6 5 一1 9 9 8 i d t I EC 7 4 7 - 1 2 - 4 S e mi c o n d u c t o r d e v i c e s P a r t 1 2 : O p t o e l e c t r o n i c d e v i c e s S e c t i o n 4 : B la n k d e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r P I N-F E T mo

7、d u l e s wi t h / wi t h o u t p i g t a i l f o r f i b r e o p t i c s y s t e m o r s u b s y s t e m 引盲 本空白详细规范规定了制订用于光纤系统或子系统带尾纤 / 或不带尾纤的P I N -F E T模 块详细 规范的基本要求， 制 订该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白 详细规范相一致。 本空白详细规范是半导体器件的一系列空白详细规范之一， 并应与下列 I E C标准一起使 用 。 I E C 7 4 7 -1 0 / Q C 7 0 0 0 0 0 : 1 9 9 1 半导体器件

8、 第1 0 部分 分立器和集成电路总规范 I E C 7 4 7 -1 2 / Q C 7 2 0 1 0 0 : 1 9 9 1 半导体器件 第1 2 部分 光电 子器件分规范 2 要求的资料 本页及下页方括号内的数字与下列各项要 求的 资料相对应， 这些资料应填入相应栏中。 1 授权发布详细规范的国家标准化机构名称。 2 详细规范的 I E C Q编号 3 总规范、 分规范的编号及版本号。 4 1 详细规范的国家编号、 发布 日期及国家标准体系要求的任何资料。 3 器件的识别 【 5 主要功能和型号 6 外形图、 引线识别、 标志和/ 或有关的外形图文件。 仁 7 典型结构( 材料、 主要

9、工艺) 和封装资料。 中华人民共和国电子工业部 1 9 9 8 - 0 3 - ”批准 1 9 9 8 - 0 5 - 0 1 实施 S T / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 如果器件具有若干种派生产品， 则应指出其差异。例如. 在对照表中列出特性差异。 如果器件属静电敏感型， 在详细规范中应附加预防说明。 8 l 按总规范2 . 6的质量评定类别。 本规范下面方括号给出的条款构成了详细规范的首页， 那些条款仅供指导详细规范的编 写， 而不应纳入详细规范中 国家代表机构( NA I ) ( f 1 1 可以提供【 1 1 规范的团体) 名称( 地址) I E C Q详细规范编号、

10、 版本号和/ 或日期 幻 评定电子元器件质A的依据【 3 1 总规范: I E C 7 4 7 -1 0 / Q C 7 0 0 0 0 0 分规范: I E C 7 4 7 -1 2 / Q C 7 2 0 1 0 0 编号不同时的国家标准号 详细规范的国家编号 4 1 若国家编号与 I E C Q编号相同， 本栏可不填 用于光纤系统或子系统的带尾纤( 或不带尾纤) 的P I N -F E T详细规范 5 1 有关器件和结构相似性器件的型号 订货资料: 见本规范第 ， 章 1 机械说明 6 1 外形或底座和管壳标准 -I EC 1 91 -2 国家标准( 如果没有 I E C外形标准) 外形

11、图和连接: 与外亮相连的引出端 光窗的特性 有关输入光纤的资料 ( 尾纤) ( 见第9章) 光纤类型、 芯径和包层直径; 数值孔径; 被筱层 一次/ 二次) ; 尾纤结构; 尾纤长度; 带连接器的尾纤端面的制备( 适用时) 。 可以移入本规范第9章或给出更详细的资 料l 标志: 字母和图形或色码 【 见本规范第6章 如采用特殊方法需标明极性 2 简要说明【 7 1 用于光纤系统或子系统带尾纤的 P I N -F E T 棋块 半导体材料 光电二极管: S i , Ge , I n G a A s . 二 FET: G- A- . S i , I . Ga A s “ 放大电路: G a A s

12、 . S i . I . G . A . “ 封装: 金属/ 玻瑞/ 塑料/ 其它 光纤类型: 被贾 应用: 数字信号、 棋拟信号 工作波长: 0 . 8 5 p ., 1 , 3 p - 某个重要参考日期可以填入 3 质量评定类别 8 1 按总规范2 . 6 1 4 极限值【 绝对最大额定值体系) 除非另有规定， 这些极限值适用整个工作温度范围。 【 只重复使用带有标题的条款号。任何附加值在适当的地方给出， 但没有条款号。 【 曲线最好在本规范的第 1 0 章给出。 S T / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 条款号名称符号 数值 单位 最小值 最大值刀 4. 1 4. 2 4.

13、 3 4. 4 4. 5 4. 6 4. 7 4. 8 4. 9 4. 1 0 工作环境温度或管壳温度 贮 存温度 焊接 温度 ( 应给出焊接时间以及距管壳的 最小距离) 在第 1 0章中可给出推荐安装条 件( 温度， 持续时间) 尾纤的弯曲半径 ( 距管壳规定的距离处) 冲击 振动 加速度( 适用时) 沿尾纤轴线方向上的张力 _松套结构; 光纤的张力 光缆的张力 紧套结构: 光缆的张力 工作电压 入射功率 Ta mb Tc a s e 丁e t g 了， l d r F F F Vw $ e x x X x x x x x x x x x x x mm( e m) m / s 2 八 . d

14、. , H z m / s = N N N N mw( W ) 5 光 电特性 检验要求见本规范第8章。 在本章及有关检验的章节中凡标有“ 适用时” 的那些特性在详细规范中要么省略， 若不省 略， 则要进行测试。 可以选择较好的等效特性进行替换， 以便让不同的制造厂使用相同的详细规范。 只重复使用带有标题的条款号， 任何附加特性应在适当的地方给出. 但没有条款号。 仁 当在同一详细规范中规定了几种规格的器件， 有关的值应以连续方式给出， 以避免重 复。 【 曲线最好在本规范第 1 0 章给出。 条款号 特性和条件 除非另有规定， Ta mb / T e a s e = 2 5 和 规定 的 V

15、 rt ) 条件T 符号 数值 试验分组 单位 最小值最大值 : 11 .1 最小可探测光功率 数字信号 在规定信噪比下的 最小可探测光功率 ( 在规定的V m , a p , o z 和B E R下) m山 4 5 ( D ) xA2b W I 百 或 d B. S T / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 条 款号 特性和条件 除非另有规定. T a tn b / Te a s e = 2 5 C 和规 定的 V u I ) 条件下 符号 数值 试验分组单位 最小值最大值 5 . 1 . 2 5. 2 5. 3 5. 3. 1 5. 3. 2 5. 4 5 . 5 或 5.

16、 6 5. 6. 1 和 5. 6. 2 5. 7 5 . 8 模拟信号 在规定信噪比下的 ( 在规定的V , A p , f 和B下) 输出噪声功率密度 响应度 P I N -F E T模块的响应度 在规定的V . , A , , A A , 介 RL和me 下 仅光电二极管的响应度2 ) 在规定的 V a , A “ A A , f , R , , 和$e 下 模拟信号 光电二极管反向 暗电流 在规定的 Va , O e =o 下 开关时间 在 规定 的孟 , , A A , R L 输 入 辐射脉冲峰值功率 O e 下 上升时 间 下降时间 颇率特性: 小信号截止频率 在规定的 踢、 礼

17、、 R L 、 A A , 户 吧 下 颇率响应平坦度 在规定的B , V . , A , , A A , RL , f , Oe 下 低狈噪声 在规定的V ,q , A p , f , B下 反射损耗( 条件: 按规定) 0.n ( A) P-a 5 ( M ， S m l a t , t , fc 山/J P p盖 与 RL x x x x X X X x X x X A2 b A3 A2 b 八2 b AZ b 人2 b AZ b 八Z b A3 人 3 A3 w/ VF li 或 d B. W/Hz W W A/ W A( n A) n 日 n s M Hz P W/ Hz d B 1

18、 )除非另有规定， 对所有的特性 V p 是相同的。 2 )适用时。 6 标志 标志应打在器件上和初始包装上 4 S J / T 1 1 1 6 5 - 1 9 8 8 除了前面( 6 ) 栏( 第 1 章) 和/ 或 I E C 7 4 7 -1 0的2 . 5条给出的内容外， 其它特定资料应在 本章规定。 7 订 货资料 除非另有规定， 订购一种具体器件至少需要以下资料: 准确的型号; 当有关时， I E C Q详细规范的发布号和( 或) 日期; 质量评定类别( 按I E C 7 4 7 -1 2 ) ; 其它细节。 8 试验条件和检验要求 在下列中， 给出的数量和确切的试验条件应按照给定

19、型号和有关测试的规定。表中的X 应在详细规范中填人数值。 【 当在同一详细规范中包括几种器件时， 有关的条件和( 或) 数值以连续的方式给出， 以尽 可能避免相同条件和( 或) 数值的重复。 在本章中， 参考的条款号按 I E C 7 4 7 -1 0的规定， 除非另外给出， 试验方法引用分规范的 3 . 4 条。 1 【 抽样要求， 按照适用的质量 评定类别， 参照或重述I E C 7 4 7 -1 2 中3 . 7 条的数值。 对于A组， 在详细规范中选定A Q L 或L T P D方案。 A组” 逐批 全部试验都是非破坏性的( 3 . 6 . 6 ) 检验 或试 脸符号弓! 用标准 条件

20、除非另有规定， T . - b / T c a s e 二2 5 C, VR 为规定值z ) 检验要求极限 最小值最大值 A1分组 外部 目检 GB 4 5 8 9. 1 4 . 2. 1 . 1 A 2 a 分组 不能工作器件” A l b分组 最小可探测光功率 响应度 光电二极管反向暗电流 开关时间 O ( D) 或 O .n ( A) S( M ) 或 S (w)4 , I R o , 和 t q G B / T 1 5 6 5 1 GB/ T 1 5 6 5 1 G B / T 1 5 6 5 1 G B / T 1 5 6 5 1 在规定的V w , A , , a A , f ,

21、R, 和 0 。 条件下 在规定的在规定的 VR I Q -i A A, R, 和 。e 条件下 巾 e =0 , VR 按规定 在 规 定 的v R , A “ A A . R, , 输入辐射脉冲峰值 X X X X X S J / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 检验或试验符号引用标准 条件除非另有规定. T R m b / T c a s e =2 5 C, VR 为 规 定 值 2 ) 枪验要求极限 最小值最大值 或 小信号 位止颇率 A3分组 ( 如果详细规范福要) 输出噪声功率密度 低频噪声 颇率响应平坦度 反射损耗 L 尸 - . 1 P o . x .弓 dS

22、 / S RL G B / T 1 5 6 5 1 G B / T 1 5 6 5 1 GB / T 1 5 6 5 1 GB / T 1 5 6 51 功率 0 e 1 和补偿辐射功率 0下 在 规定的V R , z , , n x , R L 和。 ， 条件下 在 规 定的肠、 苏B , R L 下 在 规 定的V . , f , B , R L 下 在规定的B , V w , z , , A .1 , O e , f 下。 在详细规范中规定 x X X X X 1 ) A组的最大值和最小值与 B组和C组的L S L和 U S L一致( 规范下限值/ 规范上限值) 。 2 )除非另有规定，

23、 全部特性中的 vR 是相同的。 3 )不能工作器件的规定如下; _ 1 R 规定电 流的1 0 0 倍; 艳误极性; 引线或尾纤断裂; 短路 V F 5 VF -X t 给定的测试见本规范第 5 章。 4 适用时。 B组逐批 L S L二规范的下限 US L=规范的上限 一根 据 A组 标注( D ) 的试验是破坏性试验( 3 . 6 . 6 ) 检脸或试验引用标准 条件 除非另有规定， TR mb / Tc a s e = 2 5 C 检脸要求极限 最小值最大值 B IR 分组 尺寸 I E C 7 4 7 -1 0中 4 . 2 . 2和附录B 见本规范第 1 章栏目 6 1 B Ib

24、分组 光学的有关尺寸 按规定 见本规范第 1 章栏目【 6 S J / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 S I / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 检验或试验 弓I 用标准 条件 除非另有规定 ， Te mb / Tc a s e = 2 5 10 检脸要求极限 最小值最大值 最后测试 1 a 1 01 VD“ C R RL分组 放行批的证明记录 提供 B 3 , B 4 , B 5和 B 8的 检验结果 1 ) I VI 为单个被测样品的初始值。 C组 周期 L S L=规范的下限 US L =规 范的上限 一根 据 A 组 只有标注( D ) 的试验是破

25、坏性试验( 3 . 6 . 6 ) 检验 或试脸符号 引用 标准 条件 除非另有规定， Ta mb / Tca s e = 2 5 10 检验要求极限 最小值最大值 10 1 分组 尺寸 I E C 7 4 7 -1 0中 4 . 2 . 2 和附录 B 见本规范第 1章栏 目 6 1 C 2 分组 光电特性: 箱出噪声 功率密度 低颇噪声 濒率响应平坦度 反射损耗 P-. a 尸-1 L F dS/S R1 GB / T 1 5 6 51 GB / T 1 5 6 51 GB / T 1 5 6 51 在考虑中 按A 3分组 按 A分组 按 A 3分组 X X X X C 4分组( D )

26、耐焊接热 最后测试 目检 1 R S ( M) 或 S 1 m) GB / T 4 9 3 7,1 1 2 . 2 按规定 按 A1分组 按 A2 6分组 1只 U S L C 5 分组( D ) 温度快速变化 最后测试 1 x S t . 或 S (-) G B / T 4 9 3 7 , 皿1循环次数 1 0次 T = T s t g . min和 T s t g . t n a x 按 A 2 b 分组 0. 8 1 VD“ 1. 2 1 V工 ) q S J / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 检验或试验符号引用标准 条件 除非另有规定， Ta mb / Tc a s

27、 e = 2 5C 检验要求极限 最小值最大值 C 6分组 ( 仅对空腔器件) 冲击( D) 或 振动 继之以恒定加速度 适用时) 最后测试 密封 4 5 1 a S ( m ) 或S ( P D ) G B / T 4 9 3 7 , 11 3 或4 GB / T 4 9 3 7 , II 5 G B / T 4 9 3 7 , 皿7 按规定 按 八Z b分组 0 . 8 1 VDI ) 1 . 2 1 V 11 u 1. 2 1 VD ) C 7 分组( D ) 稳态湿 热 ( 仅用于塑封或非 空腔器件) 最后 测试 m 1 p S ( m ) 或 S (w) G B / T 4 9 3

28、7 , 扭5 A1规定， 4 5 e = 0 . 5 6 d 按A l b分组 0. 81 VD ) 1. 2 1 VD ) 2 1 VD) ) C 8分组 电耐久性 最后测试 m 1 a S ( M ， 或S ( r o ) 工作寿命: 至少 1 0 0 0 h ， 在规定的 T a m b . ma x 或 Tc a s e ma x , 踢和 V a , 0 . = 0 按 A2 6分组 0 . 8 1 VD) ) 1. 2 1 、 飞 1 u l ol vu) C 9 分组( D) 高温贮存 G B / T 4 9 3 7 , 皿2 在最高 贮存 温度 下至 少 1 0 0 0 h 最

29、后测试 m 1 R S ( . ) 或S ( p p ) 按 A 2 b 分组 0 . 8 1 VD 1 1 . 21 VD ( 1 01 VDi ( S J / T 1 1 1 6 5 - 1 9 9 8 续表 检脸或试验符号弓I 用标准 条件 除非另有规定， T a m b / T ms e = 2 5 C 检验要求极限 最小值最大值 E S D分组( D ) 最后测 试 1 , 按规定 0. 8 1 1 VD “ 1 . 2 1 I V D“ I O I VD “ C R R L分组 放行批的证明记录 提供 C 3 , C 4 , C 5 , C 6 , C 7和 C S 的检验结果在

30、C 8分组 前、 后提供测试结果 1 ) I VL 为单个被测样品的初始值。 D组鉴定批准试验 当要求时. 本试验应在详细规范中规定。 1 0 附加资料( 不作检验用) 只要规范和器件使用需要， 就应给出附加资料， 例如: 与极限值随温度变化的降额曲线; 推荐的安装条件; 在给定误码率( B E R ) 下最小可探测光功率随带宽的变化; 响应度随波长的变化; 光电二极管反向暗电流随温度的变化; 模块带宽随响应度的变化; 测试电路或附加方法的完整定义; 详细外形图; 补偿。 1 1 弓 I 用文件 GB / T 1 5 6 5 1 -1 9 9 5 I EC 7 4 7 -1 0: 1 9 91 I EC 7 4 7 -1 2: 1 9 91 GB / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 半导体器件分立器件和集成电路第5部分: 光电子器件 半导体器件第 1 0部分分立器件和集成电路总规范 半导体器件第 1 2部分光电子器件分规范 半导体器件机械和气侯试验方法