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1、rJ 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 S J / T 1 0 4 5 6 一9 3 混合集成电路用被釉钢基片 P o r c e l a i n e n a me l e d s t e e l s u b s t r a t e f o r h y b r i d i n t e g r a t e d c i r c u i t s 1 9 9 3 - 1 2 - 1 7 发布1 9 9 4 - 0 6 - 0 1 实施 中华人民共和国电子工业部批准 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 混合集成电路用被釉钢基片 S 1 / T 1 0 4 5 6 -9
2、3 Po r c e l a i n e na me l e d s t e e l s u bs t r at e f o r h y b r i d in t e g r a t e d c i rcu i t s 主题内容与适用范围 1 . 1 主题内容 本标准规定了混合集成电路用被釉钢基片( 以下简称基片) 的型号、 尺寸、 技术要求、 测试 方法、 检验规则、 标志、 包装、 贮存及运输。 1 . 2 适用范围 本标准适用于以低碳钢、 不锈钢等金属为芯板、 表面被覆一层瓷釉的混合集成电路用被釉 钢基片。 2 引用标准 G B 1 9 1包装储运图示标志 G B 1 9 5 8形状和位
3、置公差检测规定 G B 2 6 3 3日用搪瓷制品检验方法 G B 2 8 2 8逐批检查计数抽样程序及抽样 表( 适用于 连续批的检查) G B 3 1 7 7光滑工件尺寸的检验 G B 4 0 6 9电子陶瓷零件公差 G B 5 5 9 3电子元器件结构陶瓷材料 G B 5 5 9 4 . 5电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法体积电阻率测试方法 G B 5 5 9 8氧化被瓷导热系数测试方法 S T / T 1 0 2 4 3 微波集成电路用氧 化铝陶瓷 基片 3 型号 被釉钢基片的型号由 字母与数 字两部分组成。 字母部分用P E S 表示被釉钢基片， 数字部 分有两种表示方法; 三位数
4、字表示圆形基片， 数字代表直径， 单位: mm; 六位数字表示矩形基 片， 前后三位数字分别代表长与宽， 单位: mm. 示例 1 : P E S 0 4 5 0 3 5 前后三位数字分别表示长度与宽度( mm) “ 被釉钢基片” 的英文缩写 中华人民共和国电子工业部 1 9 9 3 - 1 2 - 1 7 批准 1 9 9 4 - 0 6 - 0 1 实施 一1一 盯/ T1 0 4 5 6 一9 3 示例 2: PES045 丁 三位数字表示直径( m m) “ 被釉钢基片” 的英文缩写 4技术要求 4 . 1 基片的基本形状如图1 和图2 ， 通常厚度 占 为0 . 5 一3 . o m
5、 m， 其他尺寸参见附录 A 。公差 应按G B4 O 69 选用， 有特殊要求的基片. 供需双方可另行协商。 巨 井 图 1 矩形 -月 几 一且 理井 : .: 图 2圆形 基片外观应清洁， 无缺釉、 裂纹、 融洞、 坑点、 划痕、 粘砂等缺陷。 基片的物理性能、 电性能、 化学性能、 表面质量及尺寸公差应符合表 1 规定。 表 1 基片技术指标 要求单位 序号 l热稳定性 6 5 0 ， 1 0 次1 无 裂 纹 、 炸 氯 一 2导体 系数)0. 0 1 4W/ c m 3介电常数 。2 5 ， 1 0 1 L一1 0MH艺镇85 2 5 。 1 0 Hz 一1 0MHz0014介质损
6、耗天拐宜 2 5 ， 样品干燥 )1 0 1 0 Q . c m 5体积电阻率 6击穿强度一 2 )2 0又1 0 3V/ mm 无裂纹、 脱釉7 SJ/ T1 0 4 5 6 一9 3 续表 1 序号项目测试条件要求 单位 8平 面度烧后按 G B4 0 6 9 中表 2 】 t、 】1 1 9表面祖糙度烧后R， (0 一 8 一 产 m l 0外观质量5 ， 3 . 2条4 . 2条 1 1尺寸及公差5 . 3 . 1 条 4. 1条 5试验方法 5 . 1 试验条件 若无特 殊规定， 所有试验应在正常大气条件( 温度为1 5 一 3 5 、 相对度为45%一 75% ， 气 压为8 6
7、一1 0 6 k P a ) 下进行。 5_ 2样品 测试样品的形状、 尺寸和要求应符合表 2 的规定。当测试电性能时， 样品的两面应按表 2 的规定要求用烧渗法覆上一层完整的银层作为电极。 表 2 测试样品数、 尺寸、 形状及要求m m 序号项目 样品数 形状及尺寸要求 l 介电常数 1 0 5 0 x5 0 XI被银层 一 蛋螃1 2介质损耗角正切值 3体积电阻率 5 5 0火 5 0xl被银层 叠曝; 于l 曰 4 击穿强度 5 被 银 戛 ，斌牙干 5 热稳定性 1 0 5 0x 5 0x l 尸 ， 召 _ 厅扩 6导热系数2 7密着性2.l 4 5 ，一 8平面度5 9表面粗糙度5
8、 5 . 3 试验项目与方法 5 . 3 . 1 尺 寸及公差 S J / T 1 0 4 5 6 -9 3 可选用任何足以保证产品标准中尺寸精度的量具进行测量。 5 . 3 . 2 外观质量 采用目测并应符合4 . 2条要求。如有争议， 可用4倍放大镜复测。 5 . 3 . 3 平面度 应按G B 1 9 5 8 的规定进 行测量， 应符合表1 规定。 乐3 . 4 表面粗糙度 应按S J / T 1 0 2 4 3 中4 . 5 . 2 条进行测量并应符合 表 1 的规定。 5 . 寻 . 5 热稳定性 应按G B 5 5 9 3中3 . 7条规定进行测试， 试验温度 6 5 0 士1 0
9、 C， 重复 1 0次后不浸人品红溶 液， 冷却后检查应符合表 1 规定。 5 . 3 . 6 导热系数 应按G B 5 5 9 8 的规定进 行测试， 应符合表1 规定。 5 . 3 . 7 介电常数 应按G B 5 5 9 3 中3 . 1 0 条规定进行测试应符合表1 规定。 5 . 3 . 8 介质损耗角正切值 应按G B 5 5 9 3 中 3 . 1 1 条规定进行测试应符合表 1 规定。 5 . 3 . 9 体积电阻率 应按G B 5 5 9 4 . 5 规定进 行测 试应符合 表 1 规定。 5 . 3 . 1 0 击穿强度 应按G B 5 5 9 3 中3 . 1 5 条的规
10、定进行测试。试样厚度h 为釉层厚度， 应符合表 1 规定。 5 . 3 . 1 1 密着性 应按G B 2 6 3 3中第7条的规定进行测试并应符合表 1 规定。 检验规则 6 . 1 检验批 应由相同的原材料和制造技术， 在同一生产线上生产的同种型号基片组成。 6 . 2 交收检验 应根据表 1 、 表 2和表 3 要求按 G B 2 8 2 8 ， 一次正常检查抽样方案， 进行逐批检验。 6 . 3 周期检验 制 造厂应按 表 1 规定的项目 要求( 尺寸公差除外) ， 进行周期检验。样品数为1 0 个时， 允 许不合格数为1 ， 样品数为 5 个或z个时， 不允许出现不合格。周期检验每年
11、不得少于一次， 当制造工艺和 原材 料作重大更 改时， 也要进行周期检验。 表 3 逐批检验方案 分组 A组 B组 项目 尺寸及公差 外观质t 平面度 表面粗糙度 要求 4 . 1 条 4 . 2 条 表 1 Rd-0.B B p m 合格质量水平( A QL )检查水平( I L ) S 一4 S J / T 1 0 4 5 6 -9 3 注 如有特殊要求 可由供需双方协商解决。 7 振志、 包装、 贮存、 运输 7 . 1 标志 除合同或订单中另有规定外， 每个内包装和外包装均应注明: a . 产品名称; b . 型号 ; c . 数量; d . 检验员代号( 仅对内包装) ; e ， 制
12、造厂名称; P . 生产日期或批号。 7. 2包装 a .b . 基片 应妥善 包装 并附 有合格证。 用户自提产品可不进行外包装。凡需托运的产品均需用木箱作外包装， 木箱内需用 妙物填充以防止震动， 并应有装箱清单。 c . 本 箱上应按G B 1 9 1 规定标明 “ 小心 轻放” 、 “ 防潮” 等字样。 73 贮存 基片应贮存在干燥通风的环境中， 且不应有腐蚀性气体。 7. 4运输 包装完整的基片可以任何方式运输， 但需避免雨雪直接淋袭。 S T / T 1 0 4 5 6 -9 3 附录A 墓片规格尺寸 ( 参考件) 表 A1 n ， . ，、 LxB( 长x宽)D( 直径) l o
13、 x 1 05 0X2 09 0 x 4 01 0 1 5 x 1 0 一 5 0 x 2 5 l 9 0 x 5 01 5 1 5 x 1 5 一 5 0 x 3 0 一 2 0 2 0 X 1 0 5 0 火3 5.一 2 5 2 0 X 1 5 一， 0 x 4。一一 3 0 2 0 x 2 0 5 0 x 4 511 0 0x 5 0 3 5 2 5 x 1 05 0 x 5 01 00 x 6 0 ! 4 0 2 5 x 1 5 一一 4 5 2 5 x2 0 一一 6 0 x 4 0 ! 1 2 0 x5 05 0 2 5 x 2 56 0 x 5 01 2 0 x 6 0 5 5
14、 3 0 x 1 56 0 x 6 01 2 0x 7 06 0 3 0 x 2 07 0 x 3 0 1 2 0 x8 07 0 3 0 x 2 57 0x 4 0 1 5 0 x 7 0 0 3 0 x 3 07 0X 5 01 5 0x8 0卯 4 0 x2 08 0 x 3 01 5 0x9 01 0 0 4 0 x 2 58 0 x 4 0巧0x1 0 01 2 0 4 0 x 3 08 0 x 5 01 5 0 4 0 x 3 58 0x5 0 4 0 x 4 08 0x 6 0 附加说明: 本标准由电子工业部标准化研究所归口。 本标准由电子工业部标准化研究所和华东微电子技术研究所负责起草。 本标准主要起草人: 雷剑、 王正义、 韩艳芳、 冯佑民。