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1、I C S 3 1 . 0 8 0 . 2 0 L 4 3 药旨 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 c B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 i d t I E C 7 4 7 - 6 - 2 : 1 9 9 1 C 7 5 0 1 1 1 半导体器件分立器件 第 6 部分: 闸流晶体管 第二篇1 0 0 A以下环境或管壳额定的 双向三极闸流晶体管空白详细规范 S e mi c o n d u c t o r d e v i c e s - Di s c r e t e d e v i c e s P a r t 6 c T h y r i s t o r s S e c
2、t i o n T w o -B l a n k d e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r b i d i r e c t i o n a l t r i o d e t h y r i s t o r s ( t r i a c s ) ， a m b i e n t o r c a s e - r a t e d ， u p t o 1 0 0 A 1 9 9 8 门1 一 1 7 发布 1 9 9 9 一 0 6 一 0 1 实施 国 家 ) 贡 董 主 支刁 险监 督 局发布 G B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 前言 本规范
3、等同米用 I E C 7 4 7 - 6 - 2 : 1 9 9 1 K 半导体器件分立器件1 0 0 A以下环境或管壳额定的双向三 极闸流晶体管空白详细规范 。本规范是国 家标 准G B / T 6 5 9 0 -1 9 8 6 的修订版。 本规范与G B / T 6 5 9 0 -1 9 8 6 的主要差别是: 在第 4章中增加了电流与温度的降额曲线; 删去了 C 2 c和C 2 d的分组号 ， 该组的内容合并到C 2 b 分组 ， 并调整了引用总规范及分规范的标准号。 除非另有规定， 本规范第8 章中引用的条款号对应于G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 半导体器件
4、分立器件 和集成电路总规范 I E C 7 4 7 - 1 0 : 1 9 8 4 ) 的条款号， 测试方法引自G B / T 1 5 2 9 1 -1 9 9 4 半导体分立器件 和集成电路 第6 部分: 闸流晶 体管 ( I E C 7 4 7 - 6 : 1 9 9 1 ) ; 试验方法引自G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5 半导体器件 机械和气候试验方法 ( I E C 7 4 9 : 1 9 8 4 ) . 本规范由中华人民共和国电子工业部提出。 本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。 本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。 本规范主要起草人: 于志贤、 杨志丹
5、、 顾康麟。 G B 1 T 6 5 9 0 一1 9 9 8 I E C前言 1 ) I E C ( 国际电工委员会) 在技术间 题上的正式决议或协议， 是由对这些问题特别关切的国家委员 会参加的技术委员会制定的， 对所涉 及的间题尽可能地代表了国际上的一致意见。 2 )这些决议或协议 ， 以推荐标准的形式供国际上使用， 并在此意义上为各国家委员会所认可。 3 )为了促进国际间的统一， I E C希望各国家委员会在本国条件许可的情况下， 采用 I E C标准的文 本作为其国家标准， I E C标准与相应国家标准之间的差异， 应尽可能在国家标准中指明。 本标准由I E C第 4 7 技术委员会
6、( 半导体器件) 制定。 本标准是 1 0 0 A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范。 本标准文本以下列文件为依据: 六个 月法 表决报告 4 7 ( C 0) 9 8 64 7 ( CO) 1 0 9 9 表决批准本标准的所有资料可在上表所列的表决报告中查阅。 本标准封面上的QC号是I E C电子元器件质量评定体系( I E C Q) 的规范号。 本标准中引用的其他 I E C标准: I E C 6 8 - 2 - 1 7 : 1 9 7 8 基本环境试验程序， 第2 部分: 试验， 试验Q: 密封 I E C 1 9 1 - 2 : 1 9 6 6 半导体器件的机械标准化，
7、 第2 部分; 尺寸( 在 修订中) I E C 7 4 7 - 6 : 1 9 8 3 半导体器件 分立器件 第6 部分: 闸流晶体 管 I E C 7 4 7 - 1 0 : 1 9 8 4 半导体器件 第1 0 部分: 分立器件和集成电 路总规范 I E C 7 4 7 - 1 1 : 1 9 8 5 半导体器件 第1 1 部分: 分立器件分规范 I EC 7 4 9: 1 9 8 4半导体器件机械和 气候试睑方法 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 半导体器件分立器件 第 6 部分 : 闸流晶体管 第二篇1 0 0 A以下环境或管壳额定的 双向三极闸流晶体管空白详细规范 S e
8、 m i c o n d u c t o r d e v i c e s - Di s c r e t e d e v i c e s P a r t 6: Th y r i s t o r s G B / T 6 5 9 0 一1 9 9 8 i d t I E C 7 4 7 - 6 - 2 : 1 9 9 1 QC 7 5 0 1 1 1 代替 GB / T 6 5 9 0 - 1 9 8 6 S e c t i o n T wo - B l a n k d e t a i l s p e c i f i c a t i o n f o r b i d i r e c t i o n a
9、 l t r i o d e t h y r i s t o r s ( t r i a c s ) , a mb i e n t o r c a s e - r a t e d , u p t o 1 0 0 A 引言 本空白详细规范规定了制定 1 0 0 A以下( 含 1 0 0 A) 环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管( 包括快 速型) 详细规范的基本原则， 制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。 本空白详细规范是与 G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 半导体器件分立器件和集成电路总规范 ( I E C 7 4 7 - 1 0 : 1 9 8 4
10、 ) 和G B / T 1 2 5 6 0 -1 9 9 0 半导体器件 分立器件分规范 ( I E C 7 4 7 - 1 1 : 1 9 8 5 ) 有 关的一系列空白 详细规范中的一个。 要求资料 下列所要求的各项内容， 应列入规定的相应的空栏内。 详细规范的识别: 1 授权起草详细规范的国家标准机构的名称。 2 1 I E C Q详细规范号。 仁 3 总规范号和分规范号以及年代号。 4 口 详细规范号、 发布日 期和国家体系要求的 更多的资料。 器件的识别: 5 器件型号。 6 典型结构和应用资料。如果设计一种器件满足若干应用， 则应在详细规范中指出。 这些应用的 特性、 极限值和检验
11、要求均应予以满足。如果器件对静电敏感， 或含有害物质， 例如氧化被， 则应在详细 规范中附加注意事项。 7 外形图和( 或) 引用有关的外形标准。 8 口质量评定类别。 9 1能在各器件型号之间比较的最重要特性的参考数据。 在方括号内给出的内容供指导规范制定者使用， 而不包括在详细规范内。 整个空白详细规范中， 当特性或额定值适用时， X表示在详细规范中应填入的值。 国家质 f技术监督局 1 9 9 8一 1 1 一 1 7批准1 9 9 9 一 0 6 一 0 1 实施 I GB / T 6 5 9 0一 1 9 9 8 发布详细规范的国家标准 习 机构 名称 I E C Q详细规范号、 版
12、本号和 2 1 ( 或) 日 期 评定电子器件质量的根据: 3 G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 半导体器件分立器件和 集成电路总规范 G B / T 1 2 5 6 0 -1 9 9 0 半导体器件 分立器件分规 范 国家详细规范号 4 1 如果详细规范号与 I E C Q号重复， 则本栏可 以不填 详细规范: 5 1 有关器件的型号 订货资料: 见本规范第7 章 1机械说明2 简略说明 外形标准: 7 口 根据 G B / T 7 5 8 1 -1 9 8 7 半导体分立器件外形尺 寸 外形图 : 可在本规范的第 1 0 章给出详细外形图 引出端识别: 管脚排列图，
13、 包括图示符号 标志: 字母、 图形或色码 如果可能， 详细规范应规定在器件上需标志的内 容 见 G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 的 2 . 5和( 或) 本规范的 第 6 章 如果采用特殊方法， 需标明极性 1 0 0 A以下环境或管壳额定 6 1 的双向三极闸流晶体管 半导体材料: 仁 硅 封装: 空腔或非空腔 3 质it评定类别 根据G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9的2 . 6 1 8 1 参考数据仁 9 口 按本详细规范鉴定合格的器件制造厂有效资料 ， 见现行合格产品一览表。 GB/ r 6 5 9 0 一 1 9 9 8 4 极限值(
14、 绝对最大额定值) 除非另有规定， 这些极限值在整个工作温度范围内适用。 只重复使用有标题的条号。任何附加值应在适当的地方给出， 但不编条号。 最好在本规范的第 1 0 章给出曲线。 条号参数 符号 数值 最小值最大值 4 . 1 4 . 2 4 . 3 4 . 3 . 1 4 . 3 . 2 4 . 3 . 3 4 . 4 4 . 4 . 1 4 . 4 . 2 4 . 4 . 3 4 . 4 . 4 4 . 4 . 5 4 . 5 4 . 5 . 1 4 . 5 . 2 4 . 6 环境温度或管壳温度 贮存温度 适用时: 有效结温 电压 应规定时间、 频率、温度、 安装方式等条件 ( 见第
15、 5章的注 1 ) 断态工作峰值电压 断态重复峰值电压 断态不重复峰值电压 电流: 应规定时间、 频率、 温度、 安装方式等条件 ( 见第 5 章的注 1 ) 在转折点温度处的通态均方根电流( 见图 1 ) 在单相电 路中， 电 阻性负载的正弦波导通角为1 8 0 0 适用时: 通态重复峰值电流 通态浪涌电流 通态浪涌电流相当于在最大通态均方根电流下连续工作 之后施加的最大电流 假设允许控制极失控， 紧跟着的电流额定值相当于允许 的正弦半波( 在 5 0 H z 下 1 0 ms 或 6 0 Hz 下8 . 3 m s ) 的最 大电流无需再施加断态电压 适用时 : 通态电流临界上升率 I t
16、 值 ， 仅对管壳额定器件对于 1 0 ms ( 5 0 H z ) 或 8 . 3 m s ( 6 0 H z ) 的正弦波的 I l t 值 a ) 无施加反向电压; 初始结温: T( n =T . j) 二 b )有施加反向电压 V D -m . . ; 初始结温: T : ,) =2 5 0C 控制极额定值 应规定时间、 频率、 温度安装方式等条件 控制极峰值耗散功率 控制极平均耗散功率 机械额定值: 适用时: 安装转矩 T. -/ T- T, T( ,; ) VD W M V D R . Vmm I T (R M S ) I T R M I T S M d ; / d I l t I
17、 l t i I l t , 尸G M 尸G (A V ) X x X X x X x X x X X x X X X X X G B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 转折点 T , m b , T ， T b a .Y t m b (m u ) . T- 二 图1 双向三极闸流晶 体管额定电流特性曲 线 ( 通态均方根电流与温度的关系) 电特性 检验要求见本规范的第8章。 只重复使用带标题的条号。任何附加特性应在适当地方给出， 但不编条号。 当在同一详细规范中规定了几种器件时， 相关的数值应以连续方式给出， 以避免相同值的重复。 最好在本规范的第 1 0章给出曲线。 条号 特性和
18、条件( 见注1 ) 除非另有规定， T . m 、 或T - 2 5 C ( 见 G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9的第 4章) 符 号 数值 检验 最小值最大值 5 . 1 5 . 2 5 . 3 5 . 4 5 . 5 5 . 6 5 . 7 5 . 8 5 . 9 5 . 1 0 通态峰值电压: 在峰值电 流为I/ 万倍额定最 大通态均方根电流石(R M S 时 的电压最大值 断态峰值 电流 : 额定断态重复峰值 电压 V D R M 下的最大 值: 在 2 5C下 在规定高温下 维持电流最大值 擎住电流最大值 控制极触发电流: 最大值 控制极触发电压: 最大值 控
19、制极不触发电压: 最小值 换向电压临界上升率: 最小值 适用时 : 断态电压临界上升率: 最小值 总耗散功率: 最大总耗散功率曲线是通态均方根电流和 导通角的函数 V T M I D M I D M Z I H I , I G T VG T V G D d v / d t ( c a m ) d v / d t 尸tot x X x x x x x x x x x A 2 b A 2 b A 3 C 2 a C2 a A2 6 A2 6 A4 A4 G B / T 6 5 9 0 一1 9 9 8 表( 完 ) 条号 特性和条件( 见注 1 ) 除非另有规定， T 或T c 。 二 2 5 0
20、C ( 见GB / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 的第 4 章) 符号 数值 检验 最小值最大值 5 . 1 1热阻: ( 如果 T , 在 4 . 2 规定时) 结至管壳的最大值 不要求检验 R ( ,n , X 注 1 : 这些额定值和特性是以双向三极闸流晶体管工作的对称性， 应根据两个工作方向的极限值为荃础的， 如 果某个特性对于控制极触发方式是敏感的， 则应规定合适的触发方式. 6 标志 仁 除 7 栏( 第1 章) 和( 或) G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 的2 . 5 所给出的内 容外， 其他特定资料应在本章规 定 。 i 7 订货资料
21、除非另 有规定， 订购一种具体器件至少需要以下资料: 准确的型号( 需要时， 给出标称电压值) ; 当有关时， 详细规范的I E C Q发布号和( 或) 日期; 质量评定类别按G B / T 1 2 5 6 0 -1 9 9 。 的3 . 7 规定。 如果要求， 筛选顺序按G B 1 2 5 6 。 的3 . 6 的 规 定; 其他细节。 8 试验条件和检验要求 试验条件和检验要求在下表中给出， 其中所用数值和确切的试验条件， 应按给定型号的要求和有 关标准中相关测试的要求规定。 编制详细规范时， 应选定替换试验或试验方法。 当 在同一详细规范中包括几种器件时， 相关的条件和( 或 数值应以连
22、续的方式给出， 以尽可能避 免相同条件和( 或) 数值的重复。 除非另有规 定， 在本 章 中引用 的条号对应 于 G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9的条号; 测试方法 引 自 G B / T 1 5 2 9 1 -1 9 9 4 ( 半导体器件和集成电路第 6 部分闸流晶体管 ( I E C 7 4 7 - 6 : 1 9 8 3 ) ; 试验方法引 自G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5 半导体器件机械和气候试验方法 ( I E C 7 4 9 - 1 : 1 9 8 4 ) 及 G B / T 2 4 2 3 . 2 3 -1 9 9 5 电 工电 子产
23、品环境试验 试验Q : 密封 ( I E C 6 8 - 2 - 1 7 : 1 9 7 8 ) . 仁 抽样要求， 按照适用的质量 评定类别， 参照或重述G B / T 1 2 5 6 0 -1 9 9 0 的3 . 7 的数值。 对于 A组， 在详细规范中应选择AQ L或L T P D方案。 G s / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 表 1 A组逐批 全部检验均为非破坏性的( 3 . 6 . 6 ) , GB/ T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 表 2 B组逐批 ( 对于I 类器件， 见G B / T 4 5 8 9 . 1 -1 9 8 9 的2 . 6 ) L S L二
24、规范下限 只有标明( D) 的试验是破坏性的( 3 . 6 . 6 ) , US L一规范上限 值 ， 卜根据 A组 值-J 检验或试验符号引用标准 条件 除非另有规定， T.、或 T -2 5 C ( 见 GB / T 4 5 8 9 . 1 - 1 9 8 9 的第4章) 检验要求极限 最小值最大值 B j 分 组 尺 寸 4.2.2W A B 见本规范第 1 章 B 3 分 组 适 用 时 : 弯曲( D) 取决于封装 G B/ T 4 9 3 7 - - 1 9 9 5 1 , 1 . 2 力=仁 见G B / T 4 9 3 7 -1 9 9 5 1 , 1 . 2 1 无 损 坏
25、B 4 分 组 适 用 时 : 可焊性G B/ T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 1 , 2 .1 按规定; 优先采用 焊槽法口 润 湿 良好 B 5 分 组 决速温度变化 继 之 为 。 )对非空腔器件 循环湿热( D ) 最后测试: 通态峰值电压 断态峰值电流 b )对空腔器件 密 封 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流 V I - V 翔 I D - G B/ T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 ， , 1 . 1 G B/ T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 1 , 4 G B / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 ， , 7 G B / T 2 4 2
26、 3 . 2 3 T = , T . -; 循环次数= 试验 D b ， 方式2 , 严酷度: 5 5 0C, 循环次数= 按 A2 b 按 A2 b 7 . 3或 7 . 4 Qc 试 验 按 A2 6 按 A2 6 1 . I U S L 2 U S L 1 . l u S I 2 U S L i1: 分 组 电耐久性 ( 1 6 8 h ) 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流V TMI- G B / T 1 5 2 9 1 - 1 9 9 4 6 . 2 Vo w . =E 额定值口 仁 在5 0 H z或6 0 Hz , 温度= 最高额定值 交流阻断或工作寿命， 按 八(
27、。5 = 2 0 %一5 0 % I T , R M S . 二 按 A2 6 按 A2 6 1 . I US L 2 U S L C R RL分组 提 供 B 3 , B 4 , B 5 和B 8 的 计 数 检 查 结 果 G B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 表 3 C组周期 只有标明( D ) 的试验是破坏性的( 3 . 6 . 6 ) . L S L“规范下限值 U S L=规范上限值根 据 A 组 检 验 或 试 验符 号弓 I 用 标 准 条件 除非另有规定， T . -或 T -=2 5 C ( 见 GB / T 4 5 8 9 . 1 - 1 9 8 9 的第4
28、章) 检验要求极限 最小值最大值 c 1分 组 尺寸 4. 2. 2W A B ( 见本规范第 1 章) C 2 a分 组 维 持 电流 ( 见 注 3 ) 攀住电流 ( 见 注 3 ) I xG B/ T 1 5 2 9 1 - 1 9 9 4 5 . 1 . 5 断态电压 V n = 1 2 V除 非另有规定 应规定控制极 电路条 件 X I L5 . 1 . 4断态电压 V o = 1 2 V 除非另有规定 应规定控制极电路条件 X C2 b分 组 控制极触发电流 控制极触发电压 断态峰值电流 I G , G B / T 1 5 2 9 1 - 1 9 9 4 5 . 1 . 7 断态电
29、压Vu = 1 2 V 除非另有规定 X V . .5 . 1 . 7 控制极电路条件 X I -5 . 1 . 6 见注 3 V-=额定值 T= T - .-. 或 T . - 火 验证额定值: 断态不重复峰 值电压 或 : 控制极不触发电压 通态浪涌电流 通态电流临界上升 率 V l 旧 M V G G GB / T 1 5 2 9 1 一 1 9 9 4 5. 3 . 2 5 . 1 . 8 V o s n , = 额定值 T = T二或 T . - 按 A4 X x I -5 . 3 . 3 I -。 二仁 额定值 一个正弦半波额定I - 单脉冲无再施加断态电压 T = T - , 或
30、 T,m -. 1 d i / d t 5 . 3 . 5 d i / d t = 额定 ， 峰值电 流一/ 万倍最 大通态 均方根电流I T (R M I ) . . G B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 表 3 ( 完) 检验或试验符 号引用标准 条件 除非另有规定， T . 或T . , = 2 5 0C ( 见 G B / T 4 5 8 9 . 1 - - 1 9 8 9 的第 4 章) 检验要求极限 最小值最大值 C Q 分 组 耐焊接热( D) 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流V -IDm , GB / T 4 9 3 7 - - 1 9 9 5 I
31、, 2 . 2 按 规 定 按A2 b 按 A2 b 1 . 1 U S L 2 U S L C 7分 组 稳态湿热( D) 或 : 循环湿热( D) 对非空腔器件 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流V T.I- , GB / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 ， ， 5 GB / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 ， . 4 试验5 B严酷度 1 方法和特续时间 按 规 定 按 A2 b 按 A2 b 1 . 1 USL 2 U S L C 8分 组 电耐 久性 ( 至少 1 0 0 0 h ) 最后测试: 通态峰值电压 断态峰值电流V T.IDm, G B / T
32、1 5 2 9 1 - 1 9 9 4 6 . 2 高温交流阻断或工作 寿命 V D W M =C 额定值 在5 0 Hz 或6 0 Hz 口 I T R m 8 )二 。 一2 0 %-5 0 % 介 . M ， 温度=最大额定工作 温度 按 A2 b 按 A2 b 1 . 1 USL 2 U S L C9 分 组 高温贮存( D ) 最后测试: 通态峰值电压 断态峰值电流V Tm GB / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 . ， 2 在T . 、 最大值时至少 1 0 0 0 h 按 A2 b 按 A2 b 1 . l uSI 2 U S L C R RL分组提供 C 4 , C
33、7 , C 8 和 C 9的计数检查结果， C 8前后的测试数据 注 3 :本试验应按Al b分组确定的I c r V c r 对控制极和主端子 2每个极性进行。 G B / T 6 5 9 0 一 1 9 9 8 9 D组鉴定批准试验 表 4 D组鉴定批准试验 U S L=规范上限值 I VD=各个器件的初始值 检 验 或 试 验符 号 引 用 标准 G B / T 1 5 2 9 1 - 1 9 9 4 条件 除非另有规定， T . 或T-=2 5 C ( 见 G B / T 4 5 8 9 . 1 - 1 9 8 9 的第 4 章) 检验要求极限 最小值最大值 D I分 组 电耐久性试验
34、 ( 只对环境额 定的器件) 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流V TMI- 6 . 21 0 0 0 h ， 工作寿命 如果本试验在 C 8 分 组完成， 在此不要求 温度=最大额定工作 温度 按 A2 b 按 A2 6 1 . 1 1 V D 2 U S L D 2分 组 热循环负载试验 只对管壳额定 的器件 最 后 测 试 : 通态峰值电压 断态峰值电流V TMI-, 5 . 4 循环次数= 按规定 按 A 2 6 按 A 2 6 1 . 1 1 V D 2 US L D3 分 组 恒 定 加 速 度 只对空腔器件 最后测试: 通态峰值电压 断态峰值电流V -I- 1 G B
35、 / T 4 9 3 7 - 1 9 9 5 1 1 5 按 规 定 按 A l b 按 A l b U S L U S L 1 0 附加资料 不作检验用 只要器件规范和使用需要， 就应给出附加资料， 例如: 与极限值有关的温度降额曲线; 测试电路或补充方法的完整说明; 详细的外形图 。 *草庐一苇草庐一苇*提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 本人有各种国内外标准 20 余万个， 包括全系 列 GB 国标国标及国内行业行业及部门标准部门标准，全系列 BSI EN DIN JIS NF AS NZS GOST ASTM ISO ASME SSPC ANSI IEC IEEE ANSI UL AASHTO ABS ACI AREMA AWS ML NACE GM FAA TBR RCC 各国船级 社 船级 社 等大量其他国际标准。豆丁下载网址：豆丁下载网址： http:/