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1、 G M 2 1 0 1 3 2 K 8 b i t 全静态非易失性 SRAM 数据手册 2 0 0 3 . 1 1 成都国腾微电子有限公司 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 1 页 共 11 页 2003 年 11 月 N V - S R A M 版本记录：1 . 0 当前版本时间：2 0 0 3年 1 1月 新旧版本改动比较： 旧版 文档页数 当前版本 文档页数 主题（和旧版本相比的主要变化） 如果您有技术、交付或价格方面的任何问题，请联系成都国腾微电子有限公司的相关办公室或当地的代理商， 或访问我们的网站：w w w . g t i c c . c o m ，谢谢！ 编
2、制时间：2 0 0 3年 1 1月 由成都国腾微电子有限公司发布 发布地点：成都 成都国腾微电子有限公司版权所有。 注意： 以下内容所包含的所有部分仅仅对当前描述的器件承担相关责任，不包括相应的应用手册、使用过程和电路实 现。 以下内容描述的仅仅是跟当前器件相关的内容，不应作为固定的产品特性，也不包括将来可能的设计更改和参 数变化。 因为技术发展的需要，或许会导致任何产品具备一些危险性，如果有任何相关的疑问，请咨询成都国腾微电子 有限公司的相关部门。 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 2 页 共 11 页 2003 年 11 月 1 概述 GM2101 是一款 32K 8 位
3、全静态非易失性 SRAM。器件采用先进的控制电路与自行设计的电源 管理芯片。系列化产品充分满足客户不同情况的需求。我们提供的 DIP 封装形式与各厂商生产的 NVSRAM 完全兼容， 在不修改任何电路的情况下完全能够正常工作， 提供的工作电压为 3V或者 5V。 工作环境包括加强商业级和工业级。 2 特征 内带优质锂电池以保持片内 SRAM 数据，工业级选用进口优质 BR 系列芯片专用电池，加 强商业级选用 CR 系列优质高效电池 工作温度范围：加强商业级- 20+70 工业级- 40+85 无外部电源供电条件下数据保持时间 10 年 28 脚 DIP 封装 外部电源掉电，内部数据自动保护 可
4、替代 32K 8 易失性静态 RAM，EEPROM 和 FLASH 无限多次读写操作 低功耗 CMOS 技术 55ns 或 70ns 读写速度 工作电压为 3V 或者 5V 工作电压在正负 5%间可正常工作 可选加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） JEDEC 标准 28- PIN DIP 封装 3 封装及引脚功能说明 采用 DIP- 28 封装，引脚排布见图 1 所示： 图 1 引脚排布图 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 3 页 共 11 页 2003 年 11 月 该芯片的各引脚功能描述见表 1： 表 1 芯片功能说明 引脚名 方向 说明 A14A0
5、 Out 地址线 DQ0DQ7 In/Out 数据线 /CE In 片选信号 /OE Out 输出允许信号 /WE In 写允许信号 GND In 地 VCC In 电源 4 32K 系列产品选择表 系列产品选择参照表 2： 表 2 系列产品列表 型号 读写速度 工作温度 工作电压 封装 GM2101- 70LLIW 70ns - 40+85 3V DIP32 GM2101- 70LLCW 70ns - 20+70 3V DIP32 GM2101- 70LLIF 70ns - 40+85 5V DIP32 GM2101- 70LLCF 70ns - 20+70 5V DIP32 5 芯片功能详
6、细描述 5.1 功能描述 该器件内带锂电池和保护电路，能够自动监测电源电压。上电过程中，器件默认进入写保护状 态，当电源电压上升到设定值（VTH1）经过短暂延时，写保护才关闭，器件可以正常工作；这样就 可以防止器件在上电的过程中出现误操作。器件在使用过程中，器件实时监测电源电压，当电源电 压低于设定值（VTH2）时，内部电源自动切换到由锂电池供电，同时写保护开启；芯片进入数据保 持状态，无法对芯片进行读写。 芯片读 当 CE，OE 信号脚都为低电平时对芯片进行读操作，此时由 A0- A14 确定 32K 的访问空间，最 后一位的地址输入信号确定后，8 位有效数据被送到数据总线上，完成数据读操作
7、。 芯片写 当 CE，WE 信号脚都为低电平时对芯片进行写操作。CE 和 WE 信号下降沿标志着写周期的开 始，写周期的检测由 CE 和 WE 的上升沿来决定，写周期中所有的地址线将保持有效，在其他操作 之前 WE 必须回到高阻态。在写周期时 OE 控制信号线将保持高（DISABLE）以避免总线争夺。当 输出总线被禁止时，WE 将从下降沿开始禁止输出。 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 4 页 共 11 页 2003 年 11 月 芯片保持 当 VCC 电压低于写保护电压时，对器件的读写操作将不能正常进行，此时芯片被锁住，当 VCC 继续下降到电池切换点时， 器件电源由备用电
8、池供电， 器件内部数据维持由电池提供电能， 直到 VCC 电压上升到正常水平为止。 5.2 读写操作时序 读周期开关特性 表 3 读周期参数 符号 说明 70ns 最小值 最大值 单位 trc 读周期时间 70 - - ns taa 地址访问时间 - - 70 ns toha 输出保持时间 2 - - ns tace CE 访问时间 - - 70 ns tdoe OE 访问时间 - - 5 ns thzoe OE to high- z output 0 25 ns tlzoe OE to low- z output 0 - - ns thzce CE to high- z output 0 2
9、5 ns tlzce CE to low- z output 3 - - ns P R E V I O U S D A T A V A L I DD A T A V A L I D t o h at a a t o h a t r ct r c A D D R E S S D o u t 图 2 读周期 1 D A T A V A L I D t h z c et l z c e t a c e t h z o e t l z o e t d o e t o h a t r c t a a t r c A D D R E S S / O E / C E D O U T 图 3 读周期 2 成都
10、国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 5 页 共 11 页 2003 年 11 月 写周期开关特性 表 4 写周期参数 符号 说明 70ns 最小值 最大值 单位 twc 写周期时间 70 - - ns tsce CE to write end 60 - - ns taw 地址设置时间到写结束 60 - - ns tha 从写结束到地址保持时间 0 - - ns tsa 地址设置时间 0 - - ns tpwe WE 脉冲宽度 55 - - ns tsd 数据设置到写结束 30 - - ns thd 从写结束到数据保持 0 - - ns thzwe WE low to high- z
11、 output - - 20 ns tlzwe WE high to low- z output 5 - - ns D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t p w e t a w t p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / C E / W E D O U T D I N 图 4 写周期 1 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 6 页 共 11 页 2003 年 11 月 D A T
12、 A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t a w t p w et p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / O E / C E / W E D O U T D I N 图 5 写周期 2 D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t a w t p w et p w et s a t h at
13、 s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / O E / C E / W E D O U T D I N 图 6 写周期 3 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 7 页 共 11 页 2003 年 11 月 数据保持开关特性 表 5 数据保持参数 符号 说明 测试条件 最小值 最大值 单位 VDR 数据保持电压 参看相应数据保持波形 1.2 3.6 V IDR 数据保持电流 VDD=1.2， CE= VDD - 0.2V - - 5 uA tSDR 数据保持设置时间 参看相应数据保持波形 0 - - ns tRDR 恢复时间 参看相应数据保持
14、波形 Trc - - ns VD D VD R C E G N D C E VD D- 0 . 2 V tS D RD a t a R e t e n t i o n M o d e tR D R 图 7 数据保持波形 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 8 页 共 11 页 2003 年 11 月 上下电特性 表 6 上下电参数 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 tPD VCC Fail Detect to CE and WE Inactive 25 50 nS tPU VCC Valid to CE and WE Active 38 51 64 mS tREC VC
15、C Valid to End of Write Protection 25 50 nS tDR Expected Data Retention Time 10 year V C C V T P 3 . 0 V C E W E B a c k u p c u r r e n t s u p p l i e d f r o m L i t h i u m b a t t e r y I N V A L I D t P D t R E C t P U t D R V A L I DV A L I D 图 8 上下电波形 6 性能指标 1、 写入速度： 型号 时间 GM2101- 55XXX 55ns
16、 GM2101- 70XXX 70ns 注：各型号 NV- SRAM 操作和读写速度视型号上的表示速度的后缀而定。 2、 保护电压： 4.5V（5V 系列） ； 2.7V（3V 系列） 3、 电保护延时：15ms40ms 4、 使用温度范围：加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） 7 推荐操作条件 1、 操作温度：加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 9 页 共 11 页 2003 年 11 月 2、 工作电压： 型号 工作电压 GM2101-SSPPW - 2.85V+3.3V GM2101-SSPPF
17、 - 4.75V+5.5V 8 最大容忍度 1、 PIN 的电压值在- 0.3V+7.0V 之间 2、 操作温度：加强商业级为- 20+70工业级为- 40+85 3、 存储温度为：加强商业级为- 40+70工业级为- 40+85 4、 焊接温度：260情况下可以忍受 10 秒钟 9 命名规则 GM 2101 SS PP X V 电压： W：2.5V 3.6V F： 4.5V 5.5V 等级： I： 工业级 C：加强商业级 功耗： LL：超低功耗 速度： 55：55ns 70：70ns 成都国腾微电子有限公司 GM2101 数据手册 第 10 页 共 11 页 2003 年 11 月 10 外
18、型机械尺寸 符号 A B C D E F G H J K 最小值(mm) 37.6 18.3 9.0 2.0 0.4 3.1 2.3 15.0 0.2 0.4 最大值(mm) 38.1 18.8 9.5 2.8 0.6 4.1 2.8 16.0 0.3 0.5 图 8 器件外型尺寸 G M 2 1 0 2 6 4 K 8 b i t 全静态非易失性 SRAM 数据手册 2 0 0 3 . 1 1 成都国腾微电子有限公司 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 1 页 共 11 页 2003 年 11 月 N V - S R A M 版本记录： 1 . 0 当前版本时间：2 0 0
19、3年 1 1月 新旧版本改动比较： 旧版 文档页数 当前版本 文档页数 主题（和旧版本相比的主要变化） 如果您有技术、交付或价格方面的任何问题，请联系成都国腾微电子有限公司的相关办公室或当地的代理商， 或访问我们的网站：w w w . g t i c c . c o m ，谢谢！ 编制时间：2 0 0 3年 1 1月 由成都国腾微电子有限公司发布 发布地点：成都 成都国腾微电子有限公司版权所有。 注意： 以下内容所包含的所有部分仅仅对当前描述的器件承担相关责任，不包括相应的应用手册、使用过程和电路实 现。 以下内容描述的仅仅是跟当前器件相关的内容，不应作为固定的产品特性，也不包括将来可能的设计
20、更改和参 数变化。 因为技术发展的需要，或许会导致任何产品具备一些危险性，如果有任何相关的疑问，请咨询成都国腾微电子 有限公司的相关部门。 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 2 页 共 11 页 2003 年 11 月 1 概述 GM2102 是一款 64K 8 位全静态非易失性 SRAM。器件采用先进的控制电路与自行设计的电源 管理芯片。系列化产品充分满足客户不同情况的需求。我们提供的 DIP 封装形式与各厂商生产的 NVSRAM 完全兼容， 在不修改任何电路的情况下完全能够正常工作， 提供的工作电压为 3V或者 5V。 工作环境包括加强商业级和工业级。 2 特征 内带优质
21、锂电池以保持片内 SRAM 数据，工业级选用进口优质 BR 系列芯片专用电池，加 强商业级选用 CR 系列优质高效电池 工作温度范围：加强商业级- 20+70 工业级- 40+85 无外部电源供电条件下数据保持时间 10 年 32 脚 DIP 封装 外部电源掉电，内部数据自动保护 可替代 64K 8 易失性静态 RAM，EEPROM 和 FLASH 无限多次读写操作 低功耗 CMOS 技术 55ns 或 70ns 读写速度 工作电压为 3V 或者 5V 工作电压在正负 5%间可正常工作 可选加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） JEDEC 标准 32- PIN DIP 封装
22、 3 封装及引脚功能说明 采用 DIP- 32 封装，引脚排布见图 1 所示： 图 1 引脚排布图 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 3 页 共 11 页 2003 年 11 月 该芯片的各引脚功能描述见表 1： 表 1 芯片功能说明 引脚名 方向 说明 NC 空闲 A15A0 Out 地址线 DQ0DQ7 In/Out 数据线 /CE In 片选信号 /OE Out 输出允许信号 /WE In 写允许信号 GND In 地 VCC In 电源 4 64K 系列产品选择表 系列产品选择参照表 2： 表 2 系列产品列表 型号 读写速度 工作温度 工作电压 封装 GM2102-
23、 55LLIW 55ns - 40+85 3V DIP32 GM2102- 55LLCW 55ns - 20+70 3V DIP32 GM2102- 55LLIF 55ns - 40+85 5V DIP32 GM2102- 55LLCF 55ns - 20+70 5V DIP32 5 芯片功能详细描述 5.1 功能描述 该器件内带锂电池和保护电路，能够自动监测电源电压。上电过程中，器件默认进入写保护状 态，当电源电压上升到设定值（VTH1）经过短暂延时，写保护才关闭，器件可以正常工作；这样就 可以防止器件在上电的过程中出现误操作。器件在使用过程中，器件实时监测电源电压，当电源电 压低于设定值（
24、VTH2）时，内部电源自动切换到由锂电池供电，同时写保护开启；芯片进入数据保 持状态，无法对芯片进行读写。 芯片读 当 CE，OE 信号脚都为低电平时对芯片进行读操作，此时由 A0- A15 确定 64K 的访问空间，最 后一位的地址输入信号确定后，8 位有效数据被送到数据总线上，完成数据读操作。 芯片写 当 CE，WE 信号脚都为低电平时对芯片进行写操作。CE 和 WE 信号下降沿标志着写周期的开 始，写周期的检测由 CE 和 WE 的上升沿来决定，写周期中所有的地址线将保持有效，在其他操作 之前 WE 必须回到高阻态。在写周期时 OE 控制信号线将保持高（DISABLE）以避免总线争夺。当
25、 输出总线被禁止时，WE 将从下降沿开始禁止输出。 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 4 页 共 11 页 2003 年 11 月 芯片保持 当 VCC 电压低于写保护电压时，对器件的读写操作将不能正常进行，此时芯片被锁住，当 VCC 继续下降到电池切换点时， 器件电源由备用电池供电， 器件内部数据维持由电池提供电能， 直到 VCC 电压上升到正常水平为止。 5.2 读写操作时序 读周期开关特性 表 3 读周期参数 符号 说明 55ns 最小值 最大值 单位 trc 读周期时间 55 - - ns taa 地址访问时间 - - 55 ns toha 输出保持时间 10 - -
26、 ns tace CE 访问时间 - - 55 ns tdoe OE 访问时间 - - 25 ns thzoe OE to high- z output 0 20 ns tlzoe OE to low- z output 5 - - ns thzce CE to high- z output 0 20 ns tlzce CE to low- z output 10 - - ns P R E V I O U S D A T A V A L I DD A T A V A L I D t o h at a a t o h a t r ct r c A D D R E S S D o u t 图 2
27、读周期 1 D A T A V A L I D t h z c et l z c e t a c e t h z o e t l z o e t d o e t o h a t r c t a a t r c A D D R E S S / O E / C E D O U T 图 3 读周期 2 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 5 页 共 11 页 2003 年 11 月 写周期开关特性 表 4 写周期参数 符号 说明 55ns 最小值 最大值 单位 twc 写周期时间 55 - - ns tsce CE to write end 45 - - ns taw 地址设置时间到
28、写结束 45 - - ns tha 从写结束到地址保持时间 0 - - ns tsa 地址设置时间 0 - - ns tpwe WE 脉冲宽度 40 - - ns tsd 数据设置到写结束 25 - - ns thd 从写结束到数据保持 0 - - ns thzwe WE low to high- z output - - 20 ns tlzwe WE high to low- z output 5 - - ns D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t p w e t a
29、 w t p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / C E / W E D O U T D I N 图 4 写周期 1 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 6 页 共 11 页 2003 年 11 月 D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t a w t p w et p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / O
30、 E / C E / W E D O U T D I N 图 5 写周期 2 D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t a w t p w et p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / O E / C E / W E D O U T D I N 图 6 写周期 3 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 7 页 共 11 页 2003 年 11 月 数据保持开关特性 表 5 数据保持参数
31、 符号 说明 测试条件 最小值 最大值 单位 VDR 数据保持电压 参看相应数据保持波形 1.2 3.6 V IDR 数据保持电流 VDD =1.2，CE= VDD - 0.2V - - 5 uA tSDR 数据保持设置时间 参看相应数据保持波形 0 - - ns tRDR 恢复时间 参看相应数据保持波形 Trc - - ns VD D VD R C E G N D C E VD D- 0 . 2 V tS D RD a t a R e t e n t i o n M o d e tR D R 图 7 数据保持波形 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 8 页 共 11 页 20
32、03 年 11 月 上下电特性 表 6 上下电参数 符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位 tPD VCC Fail Detect to CE and WE Inactive 25 50 nS tPU VCC Valid to CE and WE Active 38 51 64 mS tREC VCC Valid to End of Write Protection 25 50 nS tDR Expected Data Retention Time 10 year V C C V T P 3 . 0 V C E W E B a c k u p c u r r e n t s u p p l
33、i e d f r o m L i t h i u m b a t t e r y I N V A L I D t P D t R E C t P U t D R V A L I DV A L I D 图 8 上下电波形 6 性能指标 1、 写入速度： 型号 时间 GM2102- 55XXX 55ns GM2102- 70XXX 70ns 注：各型号 NV- SRAM 操作和读写速度视型号上的表示速度的后缀而定。 2、 保护电压： 4.5V（5V 系列） ； 2.7V（3V 系列） 3、 电保护延时：15ms40ms 4、 使用温度范围：加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85）
34、 7 推荐操作条件 1、 操作温度：加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 9 页 共 11 页 2003 年 11 月 2、 工作电压： 型号 工作电压 GM2102-SSPPW - 2.75V+3.3V GM2102-SSPPF - 4.75V+5.5V 8 最大容忍度 1、 PIN 的电压值在- 0.3V+7.0V 之间 2、 操作温度：加强商业级为- 20+70工业级为- 40+85 3、 存储温度为：加强商业级为- 40+70工业级为- 40+85 4、 焊接温度：260情况下可以忍受 10 秒钟 9 命名规则 G
35、M 2102 SS PP X V 电压： W：2.5V 3.6V F： 4.5V 5.5V 等级： I： 工业级 C：加强商业级 功耗： LL：超低功耗 速度： 55：55ns 70：70ns 成都国腾微电子有限公司 GM2102 数据手册 第 10 页 共 11 页 2003 年 11 月 10 外型机械尺寸 符号 A B C D E F G H J K 最小值(mm) 42.7 18.3 9.0 2.0 0.4 3.1 2.3 15.0 0.2 0.4 最大值(mm) 43.2 18.8 9.5 2.8 0.6 4.1 2.8 16.0 0.3 0.5 图 8 器件外型尺寸 G M 2 1
36、 0 3 1 2 8 K 8 b i t 全静态非易失性 SRAM 数据手册 2 0 0 3 . 1 1 成都国腾微电子有限公司 成都国腾微电子有限公司 GM2103 数据手册 第 1 页 共 11 页 2003 年 11 月 N V - S R A M 版本记录：1 . 0 当前版本时间：2 0 0 3年 1 1月 新旧版本改动比较： 旧版 文档页数 当前版本 文档页数 主题（和旧版本相比的主要变化） 如果您有技术、交付或价格方面的任何问题，请联系成都国腾微电子有限公司的相关办公室或当地的代理商， 或访问我们的网站：w w w . g t i c c . c o m ，谢谢！ 编制时间：2
37、0 0 3年 1 1月 由成都国腾微电子有限公司发布 发布地点：成都 成都国腾微电子有限公司版权所有。 注意： 以下内容所包含的所有部分仅仅对当前描述的器件承担相关责任，不包括相应的应用手册、使用过程和电路实 现。 以下内容描述的仅仅是跟当前器件相关的内容，不应作为固定的产品特性，也不包括将来可能的设计更改和参 数变化。 因为技术发展的需要，或许会导致任何产品具备一些危险性，如果有任何相关的疑问，请咨询成都国腾微电子 有限公司的相关部门。 成都国腾微电子有限公司 GM2103 数据手册 第 2 页 共 11 页 2003 年 11 月 1 概述 GM2103 是一款 128K 8 位全静态非易
38、失性 SRAM。器件采用先进的控制电路与自行设计的电 源管理芯片。系列化产品充分满足客户不同情况的需求。我们提供的 DIP 封装形式与各厂商生产的 NVSRAM 完全兼容， 在不修改任何电路的情况下完全能够正常工作， 提供的工作电压为 3V或者 5V。 工作环境包括加强商业级和工业级。 2 特征 内带优质锂电池以保持片内 SRAM 数据，工业级选用进口优质 BR 系列芯片专用电池，加 强商业级选用 CR 系列优质高效电池 工作温度范围：加强商业级- 20+70 工业级- 40+85 无外部电源供电条件下数据保持时间 10 年 32 脚 DIP 封装 外部电源掉电，内部数据自动保护 可替代 12
39、8K 8 易失性静态 RAM，EEPROM 和 FLASH 无限多次读写操作 低功耗 CMOS 技术 55ns 或 70ns 读写速度 工作电压为 3V 或者 5V 工作电压在正负 5%间可正常工作 可选加强商业级（- 20+70） ，工业级（- 40+85） JEDEC 标准 32- PIN DIP 封装 3 封装及引脚功能说明 采用 DIP- 32 封装，引脚排布见图 1 所示： 图 1 引脚排布图 成都国腾微电子有限公司 GM2103 数据手册 第 3 页 共 11 页 2003 年 11 月 该芯片的各引脚功能描述见表 1： 表 1 芯片功能说明 引脚名 方向 说明 NC 空闲 A16
40、A0 Out 地址线 DQ0DQ7 In/Out 数据线 /CE In 片选信号 /OE Out 输出允许信号 /WE In 写允许信号 GND In 地 VCC In 电源 4 1M 系列产品选择表 系列产品选择参照表 2： 表 2 系列产品列表 型号 读写速度 工作温度 工作电压 封装 GM2103- 55LLIW 55ns - 40+85 3V DIP32 GM2103- 55LLCW 55ns - 20+70 3V DIP32 GM2103- 55LLIF 55ns - 40+85 5V DIP32 GM2103- 55LLCF 55ns - 20+70 5V DIP32 5 芯片功能
41、详细描述 5.1 功能描述 该器件内带锂电池和保护电路，能够自动监测电源电压。上电过程中，器件默认进入写保护状 态，当电源电压上升到设定值（VTH1）经过短暂延时，写保护才关闭，器件可以正常工作；这样就 可以防止器件在上电的过程中出现误操作。器件在使用过程中，器件实时监测电源电压，当电源电 压低于设定值（VTH2）时，内部电源自动切换到由锂电池供电，同时写保护开启；芯片进入数据保 持状态，无法对芯片进行读写。 芯片读 当 CE，OE 信号脚都为低电平时对芯片进行读操作，此时由 A0- A16 确定 128K 的访问空间，最 后一位的地址输入信号确定后，8 位有效数据被送到数据总线上，完成数据读
42、操作。 芯片写 当 CE，WE 信号脚都为低电平时对芯片进行写操作。CE 和 WE 信号下降沿标志着写周期的开 始，写周期的检测由 CE 和 WE 的上升沿来决定，写周期中所有的地址线将保持有效，在其他操作 之前 WE 必须回到高阻态。在写周期时 OE 控制信号线将保持高（DISABLE）以避免总线争夺。当 输出总线被禁止时，WE 将从下降沿开始禁止输出。 成都国腾微电子有限公司 GM2103 数据手册 第 4 页 共 11 页 2003 年 11 月 芯片保持 当 VCC 电压低于写保护电压时，对器件的读写操作将不能正常进行，此时芯片被锁住，当 VCC 继续下降到电池切换点时， 器件电源由备
43、用电池供电， 器件内部数据维持由电池提供电能， 直到 VCC 电压上升到正常水平为止。 5.2 读写操作时序 读周期开关特性 表 3 读周期参数 符号 说明 55ns 最小值 最大值 单位 trc 读周期时间 55 - - ns taa 地址访问时间 - - 55 ns toha 输出保持时间 10 - - ns tace CE 访问时间 - - 55 ns tdoe OE 访问时间 - - 25 ns thzoe OE to high- z output 0 20 ns tlzoe OE to low- z output 5 - - ns thzce CE to high- z output
44、 0 20 ns tlzce CE to low- z output 10 - - ns P R E V I O U S D A T A V A L I DD A T A V A L I D t o h at a a t o h a t r ct r c A D D R E S S D o u t 图 2 读周期 1 D A T A V A L I D t h z c et l z c e t a c e t h z o e t l z o e t d o e t o h a t r c t a a t r c A D D R E S S / O E / C E D O U T 图 3 读周期
45、 2 成都国腾微电子有限公司 GM2103 数据手册 第 5 页 共 11 页 2003 年 11 月 写周期开关特性 表 4 写周期参数 符号 说明 55ns 最小值 最大值 单位 twc 写周期时间 55 - - ns tsce CE to write end 45 - - ns taw 地址设置时间到写结束 45 - - ns tha 从写结束到地址保持时间 0 - - ns tsa 地址设置时间 0 - - ns tpwe WE 脉冲宽度 40 - - ns tsd 数据设置到写结束 25 - - ns thd 从写结束到数据保持 0 - - ns thzwe WE low to high- z output - - 20 ns tlzwe WE high to low- z output 5 - - ns D A T A U N D E F I N E D D A T A - I N V A L I D t h dt s d t l z w et h z w e t p w e t a w t p w et s a t h at s c et s c e t w ct w c A D D R E S S / C E / W E