SJ-T-10047-1991.pdf

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1、L - i 中华人民共和国电子工业行业标准 S J / T 1 0 0 4 2 1 0 0 4 8 -9 1 S J / T 1 0 0 7 8. 1 0 0 8 6 -9 1 电子元器件详细规范 半导体集成电路T T L电路 ( 一 ) 1 9 9 1 一 0 4 - 0 8 发布1 9 9 1 一 0 7 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中 华 人 民 共 和 国 电 子 工 业 行 业 标 准 电子元器件详细规范 半导体集成电路C T 5 4 L S 1 9 5 / C T 7 4 L S 1 9 5 型4 位移位寄存器( 并行存取) S J / T 1 0 0 4

2、7 -9 1 De t a i l S p e c i f i c a t i o n f o r e l e c t r o n i c c o mp o n e n t s S e mi c o n d u c t o r i n t e g r a t e d c i r c u i t C T 5 4 L S 1 9 5 / C T 7 4 L S 1 9 5 4 - b i t p a r a l l e l - a c c e s s s h i f t r e g i s t e r 本规范规定了半导体集成电路C T 5 4 L S 1 9 5 / C T7 4 L S 1 9

3、5 型 4 位移位寄存器( 并行存取) 质量评定的全部内容。 本标准符合GB 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器件和集成电路总规范 和 G B / T 1 2 7 5 0 半导 体集成电路分规范( 不包括混合电路) 的要求。 中华人民共和国机械电子工业部 1 9 9 1 - 0 4 - 0 8批准1 9 9 1 - 0 7 - 0 1实施 一7 2 一 S J/ T 1 0 0 4 7 -9 1 中华人民共和国机械电子工业部 S J / T l 0 0 4 7 -9 1 评定器件质量的依据: G B 4 5 8 9 . 1 半导体器件分立器件和 集成电路总规范 G B / T 1 2 7

4、 5 0 半导体集成电路分规范 ( 不包括混合电路) C T 5 4 L S 1 9 5 / C T 7 4 L S 1 9 5 型 4 位移位寄存器( 并行存取) 详细规范 订货资料: 见本规范第 7 章。 1 机械说明 外形依据: GB 7 0 9 2 半导体集成电 路外形尺寸 . 外形图: GB 7 0 9 2 DIM 5.3 *R 5.3.1sli1 5. 4 s bC 5. 4. 1 J_P 5.5 5.1b5.5.1sFM 5.1 5.1.1 一 引出端排列: C R 已 v勺v 。 1 I 一?1蕊 nf 5 v i 0。 K O 1令 Q D 、 11 4! 3 1 41 3

5、1 D , 一气1 2 1 1 0 。Z Lb: I J0 【 ， . 710. CP G N D 二一 止尸 S H / L D 引出端符号名称见本规范第 1 1 . 1 条。 标志: 按 G B 4 5 8 9 . 1第 2 . 5 条及本 规范第 6 章。 2简要说明 双极型寄存器电路 半导体材料: 硅 封装: 空封、 非空封 逻辑图、 功能表: 见本规范第 1 1 章。 品种 : 0 xm 0 7 0 0C ( C) 一 5 5 1 2 5 0C ( M ) 陶瓷直插( D) C T5 4 L S1 9 5 M D 黑瓷直插( J ) C T7 4 L S1 9 5 CJ CT5 4

6、L S1 9 5 MJ 塑料直插( P ) C T7 4 L S1 9 5 CP I I 目 I 6 : 2 加1 令 4】 3 I ,Z h I t o 8 9 多层陶瓷扁平( F ) IC T5 4 LS 1 9 5 M F 3 质量评定类别 . ， EA ,IR 二C s , / T 1 0 0 4 7 -9 1 4 极限值( 绝对最大额定值) 若无其 他规 定 ， 适用 于全工作温度范围 。 条 款 号 I 参数符号 数值 单 .位 最小最大 4 . 1工作环境温度 5 4 I T , m b 一 5 51 2 5 07 07 4 4 . 2贮存退度了 t e 一 6 51 5 0 4

7、 . 3电源电压V - 7v 4 . 4输人电压 v,7v 4 . 5 多发射极晶体管 输入端间的电压 V5 . 5v 5 电工作条件和电特性 电特性的检验要求见本规范第 8 章。 5 . 1 电工作条件 若无其他规 定， 适用于全工作温 度范围。 参数符号 数值 最小最大 5 . 1 . 1电深电压 5 4 Vm 4 . 5 5 . 5 . v l 4 .7 55 . 2 57 4 5 门 . 2输入高电平电压 V 2v 5 . 1 . 3 输入低电平电压 5 4 V u 0 . 7 v 1 ? 峨0 . 8 5 . 1 . 4 输出高电平电流 1 - 4 0 0 户 A 5 . 1 . 5

8、 输出低电平电流 5 4 l a y 4 m A 87 4 5 . 1 . 6时钟频率f - 03 0M H z 5 . 1 . 7脉冲宽度 CR I . ,1 2 n S C Y1 41 6 5 . 1 . 8建 立 时 间 S H/ L D C R t - 2 5 nS 1 KD 1 5 5 . 1 . 9撤离时间S H 力万 t -1 0nS 5 . 11 0保持时间1 Ii Dt H 0nS 5 . 2 电特性 一7 4 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 若无其他规定 ， 适用于全工作温度范 围。 条 款 号特性试 验 注: 1 )条件中“ 最大” 或. 最小” 指的是

9、 s . I 条规定的值. 6 标志 S J / T 1 0 0 4 7 - 9 1 器件上的标志示例: 认 证合格 标志 ( 适 用时 ) 口 厂 PC T 7 4L S 19 5 C P 引 出 端讥 别标 志一r 十一一口。 9 1 6. 里 号 质t评 定类 别 制透 单位 商 标 检 脸批识 别代 码 由于 器件 尺寸的限制， 允许将“ 检验批识别代 码” 、 “ 质t评定类别” 标在器件背面。 7 订货资料 若无其他规定， 订购器件至少豁要下列资料。 . 。 产品型号 b详细规范编号; c . 质t评定类别， d . 其 他。 B 试验众件和检验要求 抽样要求: 根据采用的质盆评定

10、类别， 参明UB / T 1 2 7 5 0第 9 章的有关规定. A组检验的抽样要求 分组 A Q工 _ 类 ，类 1 L A Q1I LA QL A 1里 0 . 6 5 口 0 . 6 5 A 2君 0 . 1 二 0. 1 人 3.0. 1 5江 0. 1 5 A 3 a54l . 0 S41 . D A 3 b341 . 0S4 1 . 0 A 4 S 4 1 10 S41 . 0 S J / T1 0 0 4 7 一 9 1 B 组、 C组和D 组检 验的抽 样要求 分组 LTPO l 类 .类 ABC Bl1 5l 51 51 5 C 12 02 02 02 0 C Z b1 5

11、1 5l 51 5 B 3 C31 51 51 51 5 B 4 C4l 01 01 01 0 B S CS1 01 01 Ol 0 C 62 02 Q2 02 0 C 71 51 51 51 5 B S CS1 0571 O C 91 5571 5 C l l2 02 02 02 0 BZI2 0l 01 O1 5 C 2 32 0 l 1 0 O 一 1 52 0 C 2 4 2 0 1 01 52 0 O81 0571 0 A 组逐 批 所有试验 均为非破坏性的 性 脸 或 试 脸引 用 标 准 条件 若无其他规定， 了 、 ， b !25 ( 见G B峨 5 8 9 . 1 第 . 1

12、 条) 性脸 要 求 规 范 值 Al 分组 外部目检 GB 4 5 8 9 1 第4 . 2 . 1 . 1 条 GB弓 5 8 9 ， 1 第 4 . 211 条 一 ， 志 。 晰 .表 面 无扭伤和气孔 A Z分组 25下的功能验证 按本规范 5 . 2 . 1条、 5 . 2 . 2条和 1 1 . 3 条 按本规范 5 . 2 . 1 条、 5 . 2 . 2条和11. 3条 A 3分组 2 5 下的静态特性 GB3 咭 3 ， 半导体集 成电路 T TL电路测 试方法的荃本原理 按本规范5 . 2 ， 1 条至 5 . 2 . 8 条和 1 0 . 1 条 按本规范 5 . 2

13、. 1 条至 5 . 2 . 8条 7 7 S J / T 1 0 0 4 7 - 9 1 A 组逐批( 续 ) 检 脸 或 试 验弓 I 用 标 准 条件 若无其他规定T . m b = 2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条、 检 验 要 求 规范 值 A3 a 分组 最高工作温度下的 静态特性 GB 3 4 3 9 T . a , b 按本规范4 . 1 条规定的最 大值.条件 同A3分组 同 A3分 组 A 3b 14MA a T 1 efl 度 下 。 1。 。 3439 静 态 特 性 一一月一一一一- P . 4 分组 T. m b 按本规范 4 .

14、1条规定的. 小值。条件: 同A3 分组 同 A3分 组 2 5 下的动态特性 G B 3 4 3 9 按本规范5 . 2 . 9 条和 1 0 . 2条按本规范 5 . 2 . 9 条 _i B组一一 逐批 标有( D) 的试验是破坏性的 检 验或 试 验引 用 标 准 条件 若无其他规定， T . m b = 2 5 C ( 见G B 4 5 8 9 . 1第4 . 1条) 检 验 要 求 规 范 值 B1 分组 尺 寸 G B 4 5 8 9 . 1 第 4 . 2 . 2 条 及 附录 B 按本规范第 1 章 B 4 分组 可焊 性 G B 4 5 9 0 半导体集成电路 机械和气候试

15、验方法 第 2 . 5 条 浸 润 良好 B 5 分组 温度快速变化 a . 空封器件 温度快速变化 随后 进 行 : 电测量 密封 细检漏 粗检 漏 卜 - 一 G B 4 5 9 0第3 . 1条温度按本规范第4 . 2条规定 循环次数: 1 0 次 GB 4 5 9 0第3 . 1 2条 GB 4 5 9 0 第 3 . 1 3 条 同A2 , A3分组 按 规 定 按 规 定 同A 2 , A3 分组 一7 8 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 B组逐批( 续) 条件 榆 验 或 试 验引 用标 准若无其他规定， T a m 6 = z s L ( 见G B 4 5 8

16、 9 . 1第4 . 1条) 检验要求 规 范 值 b . 非空封和环氧 封的空封器件 温度快速变化 随后进行: 外部目检 祖态 湿 热 GB 4 5 9 0第 3 . 1 条 温度按本规范第 4 . 2 条规定 循环次数: 1 0次 G B 4 5 8 9 . 1第4 . 2 . 1 . 1条 GB 4 5 9 0 第 3 . 7 条 按 规 定同 A1 分 组 电侧 t 严格度A 时间: 2 4 h 同A2 , A 3分组同A2 , A3 分组 B8分组 电耐久性( 1 6 8 h ) GB / T 1 2 7 5 0第1 2 . 3 条 .后 测 t ( 同A2 , A3和A4分 组 )

17、 B 2 1 分组 高压燕汽( D ( 非空封器件) 最后侧t ( 同A 2和A3 分组) C R R L分组 T . m b 按本规范 4 . 1 条规定的最 大值， 其他按本规范1 0 . 3 条 A2, A 3 GB 4 5 9 0 第 4 . 5 条 里 一和 A 3 分 组 就 B 4 , B5 , B 8和B 2 1 分组提供计数检查结果. 应 C组周期 标有( D) 的试验是破坏性的 检 验 或 试 验 弓 I 用 标 准 条件 若无其他规定， T e m b - 2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第4 . 条) 检 验 要 求 规 范值 C 1 分组 尺 寸 G

18、B 4 5 8 9 . 1 第 4 . 2 . 2条 及 附 录 B 按本规范第 1 章 C 2 b分组 最高和最低工作 温度下的电特性 G B 3 4 3 9 温度按本规范第4 . 1条 同 A4 分 组 79 s J / T 1 0 0 4 7 -9 1 c组周期 ( 续) 检 验 或 试 脸引 用 标 准 条件 若无其他规定， T . m b =2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检验要求 规 范 值 C 3分组 引线强度 拉力( D 弯 曲 ( D GB 4 5 9 0第 2 . 1 条 G B 4 5 9 0第 2 . 2 条 外加力的值按 2 .

19、1 条表 1 外加力的值按 2 . 2 条表 2 按G B 4 5 9 0 第 2 . 1 . 5 条 无 损 伤 一8 0 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 C组 周期 ( 续) 检 脸 或 试 脸引 用 标 准 条件 若无其他规定， T . m b = 2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 . 1 条) 检 验 要 求 规 范 值 C 9分组 高诬贮存( D ) 最后侧t ( 同B8 分组) G B 4 5 9 0第 3 . 3 条沮度按 Ta ( ma x ) 时间: 1 0 0 0 6 同B 8分组同B 8分组 C 1 1 分组 标志附久性G B 4

20、5 9 0第 . 3 条按方法 2 . 洛液: A型按4 . 3 . 2 条 C 2 3分组 抗溶性( D) ( 非空封器件) GB 4 59 0 第 4 . 4 条 按GB 4 5 9 0第 4 . 4 . 2 条 按G B 4 5 9 0 第 4 . 4 . 2 条 C 2 4分组 易份性( D) ( 非空封器件 GB 4 59 0 第 4 . 1 条按GB 4 5 9 0第4 . 1 . 2 条按G B 4 5 9 0 第 4 . 1 . 2 . 条 C R R L分组就C2 6 , C 3 , C 4 , C5 , C6 , C7 , C8 , C 9 , C I 1 , C 2 3和

21、C 2 4分组提供计数位查结果. 注: 1 ) 连续三次通过后. 周期可放宽为一年一次。 9 D组 D组检验应在鉴定批准之后立即开始进行， 其后每年进行一次。 枪 脸 或 试 脸弓 I 用 标 准 条件 若无其他规定, T. m b =2 5 C ( 见GB 4 5 8 9 . 1 第 4 章) 检验要求 规 范 值 D 8分组 电耐久性( D)B/ T 1 2 7 5 0 第 1 2 . 3 最后 侧 t ( 同B 8分组) 1 类. 2 0 0 0 h ， 类: 3 0 0 0 h 其他同B 8 分组 同 B 8 分 组同 B 8 分 组 1 0 1 0 . 1 附加资料 : 一: 静态特

22、性的测t 静态特性的测f按GB 3 4 3 9 半导体集成电路 T T L电路测试方法的基本原理 . 动态特性的侧t . 1 动态特性的侧2按GB 3 4 3 9 , 一8 1 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 1 0 . 2 . 2负载线路 2 t4 接被 酗鞠 出端 I S o t 1 0 . 3 电耐久性试验线路 V。 二3 V f。 二1 0 0 k Hz f , =5 0 k Hz fi =1 2 . 5 k Hz V 。 二5 V R-2 k f l 协 1 1 1 1 . 1 型号 说明 逻辑 符号 一8 2 一 S ,J / T 1 0 0 4 7 -9 1 引

23、 出端 符号 CP二CR D , - D, J K Qo - Qa Q3 S H/ L D 名称 时钟输入 清 除 并行数据输入 串行数据输入 申行数据输入 输出 互补输出 移位控制/ 置入控制 1 1 . 2 逻辑图 S H i 8 3 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 功 能表 瓦一H-山甄饥一吼-如一吼 出一Q-L -Q-L 蔽骊 t卜专而而针了产 XXXXXXX L L 如Q:.Q:.Qz.吼 山吼QI.Q，.QI.吼 1 1 . 3 1 1 . 4 个X X d o d , d , L XXX X X d o d , Q. Q,. 宁L L X X X 个H H X X

24、X 个H L X X X Qw Q. L Q. H Q Q. Q. 小XXXXX XLHHHHH LHHHHHH 波形 图 cP-cRJ K SH D o 1翻乙，n，3 DDDQQQQ I移 位 -一 - 一 一叫I- - 一 称位一 送 教 !粉 一8 4 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 附录A 偏选 ( 补充件) . 类器件: 生产厂自行规定筛选条件。 ，类器件: 筛选项目和条件如下: 等级 A等级B 等级 C 内 部 目检 G B 4 5 9 0 4 . 6 条 高沮称定 G B 4 5 9 0 3 . 3 条 1 5 0 . 9 6 6 沮度快速变化 G B 4 5

25、 9 0 3 . 1 条 一6 5 -1 5 0 C . 3 0次 老化前电侧t 同人3分组. 剧除不合格品。 匡 PM 速 变 化一 ! G B 4 5 9 0“ A! - 6 5 - 1 5 0 -C . 1 0 a ; 注: ” 不适用于非空封器件. 一8 5 一 S J / T 1 0 0 4 7 -9 1 附加说 明 : 本标准由全国集成电路标准化分技术委员会提出。 本标准由北京八七八厂负责起草。 本标准主要起草人: 孙人杰 *草庐一苇草庐一苇*提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 提供优质文档， 如果 你下载的文档有缺页、 模糊等现象或 者遇到找不到的稀缺文件， 请发站内 信和我联系！我一定帮你解决！ 本人有各种国内外标准 20 余万个， 包括全系 列 GB 国标国标及国内行业行业及部门标准部门标准，全系列 BSI EN DIN JIS NF AS NZS GOST ASTM ISO ASME SSPC ANSI IEC IEEE ANSI UL AASHTO ABS ACI AREMA AWS ML NACE GM FAA TBR RCC 各国船级 社 船级 社 等大量其他国际标准。豆丁下载网址：豆丁下载网址： http:/