电子技术基础期末复习分析.pdf

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1、1 第 1 章 检测题 一、填空题： （每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五 价元素组成的。这种半导体内的 多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正 电。 P 型 半导体是在本征半导体中掺入极微量的三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子 为 空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负 电。 2、三极管的内部结构是由基 区、 发射区、 集电区及发射结和集电结组成 的。三极管对外引出电极分别是基 极、发射极和集电 极。 3、PN 结正向偏置时， 外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的 扩散运动而不利于少子的

2、漂移；PN 结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方 向 相同，有利于少子的 漂移运动而不利于多子的 扩散，这种情况下的电流称 为 反向饱和电流。 4、PN 结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向 N 区进行扩散， N 型 半导体中的多数载流子自由电子向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立 起一个空间电荷区，其方向由N 区指向P 区。 空间电荷区的建立，对多数载流子 的 扩散运动起削弱作用，对少子的漂移运动起增强作用，当这两种运动达到动态平 衡时，PN 结 形成。 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R1K 档位，当检测时表针偏转度较 大时，则红表棒接触的电极是二极管的阴

3、极；黑表棒接触的电极是二极管的阳 极。 检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被 击穿损坏；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老 化不通 。 6、单极型晶体管又称为MOS 管。其导电沟道分有N 沟道和P 沟道。 7、稳压管是一种特殊物质制造的面 接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲 线的反向击穿区。 8、MOS 管在不使用时应避免栅 极悬空，务必将各电极短接。 二、判断正误： （每小题1 分，共 10 分） 1、P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错） 2、 自由电子载流子填补空穴的“复合” 运动产

4、生空穴载流子。（ 错） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R 10K 档位。 （错） 4、PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。（错） 5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错） 6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。（对） 2 7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。（错） 8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错） 9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。（错） 10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。（错） 三、选择题： （每小题2 分，共 20 分） 1、单极型半导体器件是（C） 。

5、A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。 2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。 A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。 3、稳压二极管的正常工作状态是（C） 。 A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。 4、 用万用表检测某二极管时，发现其正、 反电阻均约等于1K， 说明该二极管 （C） 。 A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。 5、PN 结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。 A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。 6、测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2

6、.8V，VC4.4V ， 说明此三极管处在（A） 。 A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。 7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C） 。 A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。 8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C） 。 A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。 9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。 A、集电极最大允许电流ICM； B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEO； C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。 10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C） A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、

7、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。 四、简述题： （每小题4 分，共 28 分） 1、N 型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电 的空穴载流子， 因此说 N 型半导体带负电， P 型半导体带正电。 上述说法对吗？为什么？ 答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少 了电子， 从而获得了N 型半导体或P 型半导体， 但整块晶体中既没有失电子也没有得电 3 子，所以仍呈电中性。 2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚 3V、管脚 3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属

8、电极。 答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管 脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN 型硅管。 再根据管子在放大时的原 则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。 3、图 6-23 所示电路中，已知E=5V，tusin10 i V，二极管为理想元件（即认为 正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=） ，试画出u0的波形。 答：分析：根据电路可知， 当 uiE 时，二极管导通 u0=ui， 当 uiE 时，二极管截止时， u0=E。所以u0的波形图如下图 所示： 4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况 又有何不同？

9、 答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子 和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本 质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，因此和双极型晶体管中同时有 两种载流子参与导电也是不同的。 5、半导体二极管由一个PN 结构成，三极管则由两个PN 结构成，那么，能否将两 个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？ 答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠 背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基 区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的

10、空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向 集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。 6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？ 答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。 因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。 课后习题 1-1，1-7 图 6-23 u/V t 0 ui u0 10 5 4 第 2 章 检测题 一、填空题： （每空 0.5 分，共 21 分） 1、基本放大电路的三种组态分别是：共发射极放大电路、共集电极放大电路 和 共基极放大电路。 2、放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。 3、

11、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫 做 反馈信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负 反馈；使 放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正 反馈。放大电路中常用的负 反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负 反馈。 4、射极输出器具有电压增益恒小于 1、接近于 1， 输入信号和 输出信号同相， 并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。 5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造成截止失真，其输出波形为上 削顶。 若采用分压式偏置电路，通过反馈环节调节合适的基极电位，可达到改善输出波形 的目的。 6、对放大电路来说，

12、人们总是希望电路的输入电阻越大越好，因为这可以减轻 信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻越小越好，因为这可以增强放大电路 的整个负载能力。 7、反馈电阻 RE的数值通常为 几十至几千欧， 它不但能够对直流信号产生负反馈 作用，同样可对交流信号产生负反馈作用，从而造成电压增益下降过多。为了不使交 流信号削弱，一般在RE的两端并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容CE 。 8、放大电路有两种工作状态，当ui0 时电路的状态称为 静 态，有交流信号ui 输入时，放大电路的工作状态称为动 态。在动 态情况下，晶体管各极电压、电流均 包含直流 分量和交流分量。放大器的输入电阻越大 ，就越能从前级信

13、号源获得较 大的电信号；输出电阻越小 ，放大器带负载能力就越强。 9、电压放大器中的三极管通常工作在放大状态下，功率放大器中的三极管通常 工作在极限参数情况下。功放电路不仅要求有足够大的输出电压，而且要求电路中 还要有足够大的输出电流，以获取足够大的功率。 10、晶体管由于在长期工作过程中，受外界温度及电网电压不稳定的影响，即使 输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做零点漂移。克 服 零点漂移的最有效常用电路是差动放大电路。 二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1 分，共 19 分） 1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（错） 5 2、放大电路中的所

14、有电容器，起的作用均为通交隔直。（对） 3、射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（错） 4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（对） 5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（对） 6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（错） 7、微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。（对） 8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180的反相关系。 （错） 9、微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（错） 10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（对） 11、普通放大电路中存在的失真

15、均为交越失真。（错） 12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。 （对） 13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。（ 对） 14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在，可断定为电流负反馈。（ 对） 15、共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。（ 错） 16、放大电路的集电极电流超过极限值ICM，就会造成管子烧损。 （ 错） 17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（ 错） 18、采用适当的静态起始电压，可达到消除功放电路中交越失真的目的。（ 对） 19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。（ 对） 三、选择题：

16、 （每小题2 分，共 20 分） 1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C） 。 A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。 2、基本放大电路中的主要放大对象是（B） 。 A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。 3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若VB点电位过高，电路易出现（ B） 。 A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。 4、共发射极放大电路的反馈元件是（B） 。 A、电阻 RB； B、电阻 RE；C、电阻 RC。 5、功放首先考虑的问题是（A） 。 A、管子的工作效率；B、不失真问题；C、管子的极限参数。 6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是（A） 。 A

17、、放大电路的电压增益；B、不失真问题；C、管子的工作效率。 7、射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（A） A、带负载能力强；B、带负载能力差；C、减轻前级或信号源负荷。 8、功放电路易出现的失真现象是（C） 。 6 A、饱和失真；B、截止失真；C、交越失真。 9、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点 Q 接近（ B） 。 A、截止区；B、饱和区；C、死区。 10、射极输出器是典型的（C） 。 A、电流串联负反馈；B、电压并联负反馈；C、电压串联负反馈。 四、简答题： （共 23 分） 1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？（ 3分） 答： RC起的作用是把晶体管的电流放大转

18、换成放大器的电压放大。 2、 放大电路中为何设立静态工作点？静态工作点的高、低对电路有何影响？（4 分） 答：设立静态工作点的目的是使放大信号能全部通过放大器。Q 点过高易使传输信 号部分进入饱和区；Q 点过低易使传输信号部分进入截止区，其结果都是信号发生失真。 3、说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？（4 分） 答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象 称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大 电路可以有效地解决零漂问题。 4、为削除交越失真，通常要给功放管加上适当的正向偏置电压，使基极存在的微 小

19、的正向偏流，让功放管处于微导通状态，从而消除交越失真。那么，这一正向偏置电 压是否越大越好呢？为什么？（4 分） 答：这一正向电压较小，仅使两个管子都工作在微导通状态即可。因为，交越失真 实际上是两个功放管都存在正向死区电压造成的，消除交越失真，实际上就是解决死区 电压的问题。如果这一正向偏置电压大于死区电压较多，势必造成两个功放管不能正常 工作。 五、计算题： （共 17 分） 1、 如图 7-22 所示分压式偏置放大电路中，已知 RC3.3K， RB140K ， RB210K ， RE1.5K， =70。求静态工作点 IBQ、ICQ和 UCEQ。 （8分，图中晶体管为硅管） 25V RC

20、RB1 C1 C2 ui u0 图 7-22 检测题 7-5-1 电路图 RB2 RE CE 7 解：静态工作点为： 251050.7 5V 2.87mA 40101.5 2.87 40 A 170 252.87(3.31.5)11.2V BCQEQ B CE V II I U m ? =? + =? + =-+? 2、画出图2-22 所示电路的微变等效电路，并对电路进行动态分析。要求解出电路 的电压放大倍数Au，电路的输入电阻ri及输出电阻r0。 （9 分） 解：图 7-22 的微变等效电路如下图所示。 动态分析： 26mV 300(170)943 2.87mA be r=W+籛 ri=RB

21、1/ RB2/ rbe=40000/10000/943 843r0=RC=3.3K C u be 3300 70245 943 R A r b= -= -? 课后习题 2-6，2-7，2-10 第 3 章 检测题 一、填空题： （每空 0.5 分，共 20 分） 1、若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入深度负反馈；若要集成运 放工作在非线性区，则必须在电路中引入正 反馈或者在开环工作状态下。集成运放 工作在线性区的特点是输入电流等于零和输出电阻等于零；工作在非线性区的特点： 一是输出电压只具有两种状态和净输入电流等于零 ；在运算放大器电路中，集成运 放工作在线性区，电压比较器工作在非线

22、性区。 2、集成运算放大器具有同相和 反相两个输入端，相应的输入方式有同相输 入、反相输入和双端输入三种。 3、理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压相等， 称为虚短 ；二是输入电流等于零，称为虚断。 4、理想集成运放的Au0 ，ri ，ro 0 ， KCMR 。 ui RB1 RB2 ii ib u0 ib rbe RC 8 5、 反相比例运算电路中反相输入端为虚地，同相比例运算电路中的两个输入 端电位等于输入电压。同相比例运算电路的输入电阻大，反相比例运算电路的输入 电阻小。 6、 同相比例运算电路的输入电流等于零，反相比例运算电路的输入电流等于 流过反馈电阻中的电流

23、。同相比例运算电路的比例系数大于1，而 反相比例运算电 路的比例系数小于零。 7、 同相输入运算电路可实现Au1 的放大器， 反相输入运算电路可实现Au0 的放大器，微分运算电路可将三角波电压转换成方波电压。 8、 滞回电压比较器的基准电压UR0 时，输入电压每经过一次零值，输出电压 就要产生一次跃变，这时的比较器称为过零比较器。 9、集成运放的非线性应用常见的有单门限比较器、 滞回比较器和 方波发生 器。 10、 滞回比较器的电压传输过程中具有回差特性。 二、判断下列说法的正确与错误：（每小题1 分，共 10 分） 1、电压比较器的输出电压只有两种数值。（对） 2、集成运放使用时不接负反馈，

24、电路中的电压增益称为开环电压增益。（错） 3、 “虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（对） 4、 “虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。（错） 5、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（对） 6、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（错） 7、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。（错） 8、理想运放构成的线性应用电路，电压增益与运放本身的参数无关。（错） 9、各种比较器的输出只有两种状态。（对） 10、微分运算电路中的电容器接在电路的反相输入端。（对） 三、选择题： （每小题2 分，共 20 分） 1、理想运放的开环放大倍数Au0

25、为（ A） ，输入电阻为（ A） ，输出电阻为（B） 。 A、；B、0；C、不定。 2、国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C） 。 A、扁平式；B、圆壳式；C、双列直插式。 3、由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C） 。 A、反相放大器；B、差分放大器；C、电压比较器。 4、理想运放的两个重要结论是（B） 。 A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。 5、集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B） 。 9 A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。 6、 （B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。 A、同相；B、反相；C、双端。 7、集成运放

26、的线性应用存在（C）现象，非线性应用存在（B）现象。 A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。 8、各种电压比较器的输出状态只有（B） 。 A、一种；B、两种；C、三种。 9、基本积分电路中的电容器接在电路的（C） 。 A、反相输入端；B、同相输入端；C、反相端与输出端之间。 10、分析集成运放的非线性应用电路时，不能使用的概念是（B） 。 A、虚地；B、虚短；C、虚断。 四、问题：（共 20 分） 1、集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？（4 分） 答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差 动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输

27、入级也是决定 运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数（103107） ，一般 采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载 能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输出器组成；为 了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏 置电路满足此要求。 2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地” 真正接“地” ，集成运放能否正常工作？（4 分） 答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两 点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“

28、虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如 反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有ii=if成立，反相比例运算电路也就无法正 常工作。 3、集成运放的理想化条件主要有哪些？（3 分） 答：集成运放的理想化条件有四条：开环差模电压放大倍数AU0=；差模输入 电阻 rid=；开环输出电阻r0=0；共模抑制比 KCMR=。 5、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用？（3分） 答：同相端所接电阻起平衡作用。 6、 应用集成运放芯片连成各种运算电路时，为什么首先要对电路进行调零？（3 分） 答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。 五、计算题：课后习题 3-4，3-5，3-7，3-9，3-

29、10，3-11，3-12 10 第 7 章 检测题 （共 100分，120 分钟） 一、填空题： （每空 0.5 分，共 22 分） 1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号； 在时间上和数值上离 散的信号叫做数字信号。 2、在正逻辑的约定下， “1”表示高 电平， “0”表示低电平。 3、数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系，所以数字电路也称 为 逻辑电路。在逻辑关系中，最基本的关系是与逻辑、 或逻辑和 非逻辑关系， 对应的电路称为与 门、或 门和非 门。 4、功能为有 1出1、全 0出0门电路称为或门；相同出 0,相异出 1 功能的门电路是 异或门；实际中与非门应

30、用的最为普遍。 5、三态门除了“1” 态、“ 0” 态，还有第三种状态高阻态。 6、使用三态门可以实现总线结构；使用OC 门可实现“线与”逻辑。 7、一般 TTL 门和 CMOS 门相比，TTL门的带负载能力强，CMOS门的抗干扰能 力强。 8、最简与或表达式是指在表达式中与项最少，且变量也最少。 9、在化简的过程中，约束项可以根据需要看作0 或 1 。 10、TTL 门输入端口为与 逻辑关系时， 多余的输入端可悬空处理； TTL 门输入端 口为或 逻辑关系时， 多余的输入端应接低电平；CMOS 门输入端口为 “与” 逻辑关系 时，多余的输入端应接高 电平，具有“或”逻辑端口的 CMOS门多余

31、的输入端应接低 电 平；即 CMOS门的输入端不允许悬空。 11、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数，同一数码在不同数位所代表的 位权不同。十进制计数各位的基 是10， 位权是10的幂。 12、 8421 BCD 码和2421 码是有权码；余3 码和格雷码是无权码。 13、卡诺图是将代表最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。 二、判断正误题（每小题 1分，共 8分） 1、组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。（对 ） 2、3线 8线译码器电路是三八进制译码器。（错 ） 3、已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。（错 ） 4、编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数

32、。（错 ） 5、74LS138集成芯片可以实现任意变量的逻辑函数。（错 ） 6、组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元。（错 ） 7、74系列集成芯片是双极型的，CC40系列集成芯片是单极型的。 （对） 8、无关最小项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。 （对 ） 11 三、选择题 （每小题 2分，共 20分） 1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为（B） 。 A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非 2 、十进制数 100对应的二进制数为（C） 。 A、 1011110 B、1100010 C、1100100 D、11000100 3、和逻辑式AB表示不同逻辑关系的逻

33、辑式是（B） 。 A、AB+B、ABC、ABB?D、ABA+ 4、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B） 。 A、 2个B、3个C、4个D、8个 5、四输入的译码器，其输出端最多为（D） 。 A、 4个B、8个C、10个D、16个 6、当 74LS148的输入端70 II按顺序输入 11011101时，输出 02 YY为（ C） 。 A、 101 B、010 C、001 D、110 7、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（ C） 。 A、与非门B、或门C、或非门D、异或门 8、多余输入端可以悬空使用的门是（B） 。 A、与门B、TTL 与非门C、CMOS

34、与非门D、或非门 9、数字电路中机器识别和常用的数制是（A） 。 A、二进制B、八进制C、十进制D、十六进制 10、能驱动七段数码管显示的译码器是（A） 。 A、74LS48 B、74LS138 C、74LS148 D、TS547 四、简述题 （共 8分） 1、组合逻辑电路有何特点？分析组合逻辑电路的目的是什么？简述分析步骤。（4分） 答：组合逻辑电路的特点是输出仅取决于输入的现态。分析组合逻辑电路的目的是 找出已知组合逻辑电路的功能，分析的步骤为四步：根据已知逻辑电路图用逐级递推 法写出对应的逻辑函数表达式；用公式法或卡诺图法对的写出的逻辑函数式进行化简， 得到最简逻辑表达式；根据最简逻辑表

35、达式，列出相应的逻辑电路真值表；根据真 值表找出电路可实现的逻辑功能并加以说明，以理解电路的作用。 2、何谓编码？何谓译码？二进制编码和二十进制编码有何不同？（4分） 答：编码就是把人们熟悉的特定信息编成机器识别的二进制代码的过程；译码则是编 码的逆过程，就是把机器识别的二进制代码还原成人们识别的特定信息。二十进制编 码则每四位二进制数对应一个十进制数，其中具有无效码；而二进制编码则不具有无效 码。 五、分析题课后习题 6-1，6-2，6-3，6-9，7-4，7-9，7-10，7-17 12 *应用能力训练附加题：用与非门设计一个组合逻辑电路，完成如下功能：只有当三 个裁判（包括裁判长）或裁判

36、长和一个裁判认为杠铃已举起并符合标准时，按下按键， 使灯亮（或铃响） ，表示此次举重成功，否则，表示举重失败。 解：附加题显然是一个三变量的多数表决电路。其中三个裁判为输入变量，按键为输 出变量。普通裁判同意为1分，裁判长 A同意为 2分，满 3分时 F为1，同意举重成功；不足3 分F为 0，表示举重失败。 真值表为： A B C F 0 0 0 0 0 0 1 0 0 1 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 相应逻辑表达式为：FABCABCABCACABABAC=+=+= 第 8 章 检测题 一、填空题： （每空 0.5 分，共 20 分）

37、 1、两个与非门构成的基本RS 触发器的功能有置 0 、 置 1 和 保持 。电路中不 允许两个输入端同时为0 ，否则将出现逻辑混乱。 2、 钟控 RS 触发器具有“空翻”现象，且属于电平 触发方式的触发器；为抑制 “空翻”，人们研制出了边沿触发方式的JK 触发器和D 触发器。 3、JK 触发器具有置 0 、 置 1 、 保持和 翻转四种功能。欲使JK 触发器实现 nn QQ 1 的功能，则输入端J 应接 1 ，K 应接1 。 4、D 触发器的输入端子有1 个，具有置 0 和 置 1 的功能。 5、时序逻辑电路的输出不仅取决于输入的状态，还与电路已存的现态有关。 F A B C & & & 1

38、3 6、组合逻辑电路的基本单元是门电路，时序逻辑电路的基本单元是触发器。 7、触发器的逻辑功能通常可用特征方程、 功能真值表、 状态图 和 时序图四 种方法来描述。 8、 JK 触发器的次态方程为 1nnn QJQKQ + =+；D 触发器的次态方程为 1nn QD + =。 9、寄存器可分为数码寄存器和移位寄存器，集成74LS194 属于四位双向移 位寄存器。 用四位移位寄存器构成环行计数器时，有效状态共有4 个；若构成扭环计数 器时，其有效状态是8 个。 10、构成一个六进制计数器最少要采用三 位触发器，这时构成的电路有6 个有 效状态，2 个无效状态。 二、选择题 （每小题2 分，共 2

39、0 分） 1、描述时序逻辑电路功能的两个必不可少的重要方程式是（B） 。 A、次态方程和输出方程B、次态方程和驱动方程 C、驱动方程和特性方程D、驱动方程和输出方程 2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合S R为（ A） 。 A、00 B、01 C、10 D、11 3、按各触发器的状态转换与时钟输入CP 的关系分类，计数器可为（A）计数器。 A、同步和异步B、加计数和减计数C、二进制和十进制 4、按计数器的进位制或循环模数分类，计数器可为（C）计数器。 A、同步和异步B、加计数、减计数C、二进制、十进制或任意进制 5、存在空翻问题的触发器是（B） A、D 触发器B、钟控 RS

40、触发器 C、主从 JK 触发器D、维持阻塞D 触发器 四、简述题 （共 10 分） 1、时序逻辑电路和组合逻辑电路的区别有哪些？（2 分） 答：主要区别有两点：时序逻辑电路的基本单元是触发器，组合逻辑电路的基本单 元是门电路；时序逻辑电路的输出只与现时输入有关，不具有记忆性，组合逻辑电路的 输出不仅和现时输入有关，还和现时状态有关，即具有记忆性。 2、何谓“空翻”现象？抑制“空翻”可采取什么措施？（3分） 答：在一个时钟脉冲为 “1” 期间，触发器的输出随输入发生多次变化的现象称为“空 翻” 。空翻造成触发器工作的不可靠，为抑制空翻， 人们研制出了边沿触发方式的主从型 JK 触发器和维持阻塞型的D 触发器等等。这些触发器由于只在时钟脉冲边沿到来时发 生翻转，从而有效地抑制了空翻现象。