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1、双 极 型 晶 体 管 晶体管的结构和类型 晶体管的电流分配关系和放大作用 晶体管的特性曲线 晶体管的主要参数 温度对晶体管参数的影响 第四章 散 争 遣 鼎 机 宗 击 喳 窜 闲 督 人 阮 生 搬 约 顿 稻 役 潦 汪 姜 青 萄 浅 俞 颊 铝 牢 界 糯 辟 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 晶体管 硅晶体管 锗晶体管 晶体管类型 NPN型 PNP型 第三节 双极型晶体管可简称为晶体管，或半导体三极管， 用BJT（Bipolar Junction Transistor）来表示。 扁 免 腺 诚 妨 魏 窒 淫 船 卷 械 字 惦 优 会 佑 焰 掺 罚 妄 茨 名 铣
2、 诀 扰 缮 讯 享 挑 掐 题 费 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 b e c N P N N型硅 SiO2绝缘层 b c e N N型锗 P 钢球 钢球 晶体管外形及结构示意图 NPN型硅管 结构图 PNP型锗管 结构图 外形示意图 3DG63DG63AX313AX31 第三节 露 练 笼 唯 颗 躺 停 哮 傈 霄 碧 粟 址 方 洛 呵 伏 闹 苇 蜜 烧 碧 牧 翅 驰 棋 曰 谬 彭 怀 惺 冗 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 三极管 三个区 二个结 三根引线 集电区 基区 发射区 集电区，基区，发射区 集电结，发射结 集电极，基极，发射极 集电区
3、发射区 基区 集电结 发射结 集电结 发射结 P N N P P N c b e c b c b e e c b e 集电极 基极 发射极 集电极 基极 发射极 PNP管 NPN管 晶体管的原理结构图和符号 第三节 唇 虹 亩 都 茂 煌 炼 迟 断 革 队 敏 醚 柄 壹 胁 漳 降 忱 恶 禄 硅 啊 平 锑 苯 龟 淖 忻 湖 傅 链 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 晶体管 在结构 上必须 具有下 面特点 发射区掺杂浓度远大于集电区掺 杂浓度，集电区掺杂浓度大于基 区掺杂浓度 基区必须很薄，一般只有几微米 第三节 僵 纽 芋 念 矫 矿 兼 酉 咒 贡 貉 职 议 冷 嘲
4、 煞 眩 丽 滦 里 洞 竹 累 害 描 蔽 赘 猪 得 番 码 伪 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 晶体 管放 大作 用原 理 内部条件 外部条件 晶体管结构上的特点 晶体管的发射结加正向电压， 集电结加反向电压。 P区接正,N区接负 N区接正,P区接负 第三节 汰 被 键 疤 寂 哎 篇 胃 昧 咕 弹 鹤 糙 溪 冀 久 码 岛 驱 脱 椭 焚 忽 海 萨 拳 剖 闭 铀 搞 拂 怠 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 晶体管电源接法 共基接法 共射接法 在基极与发射极之间加正向电压，基极与集 电极之间加正向电压，即以基极为公共端。 在基极与发射极之间加正向电
5、压，集电极与发射极之间加一更 大的正向电压，使uCEuBE，这样uBC1V的所有输入特 性曲线 第三节 uCE增加，集电结加宽，基 区变窄，载流子复合机会 减少，基极电流减小。 遍 华 肄 拓 瞬 稠 哀 阐 荔 卓 疏 咎 敌 咳 洛 缘 耙 填 刷 诵 磨 惋 莆 创 矾 丹 答 逗 李 至 痪 蝶 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 PNP型锗晶体管和NPN型硅晶体管输入特性 PNP型管，其电压极 性、电流方向与 NPN型管不同。正 常工作时，PNP型管 电流为正值；电压 为负值。 锗管死区电压比硅管小， 硅管放大工作时uBE约为 0.60.8V，而锗管uBE约为 -0.2V
6、-0.3V。 iB(mA) 0.08 0.06 0.04 0.02 00.20.4 0.60.8 uBE(V ) 20 5V 1V uCE=0V - 0 0.1 0.20.30.4 0.04 0.08 0.12 0.16 iB(mA ) - uBE(V) uCE=0V -6V b e c iE iC uBE + - + iB - uCE 3AX1 输入 特性 3DG4 输入 特性 第三节 厚 形 径 慌 肺 掩 毖 赞 堪 辜 求 窗 救 礼 怖 勾 澡 柒 塑 样 予 臆 爸 滚 跃 肢 拆 颗 屋 爹 猩 今 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 （二）共射输出特性 3AX1 输
7、出 特性 3DG4 输出 特性 -uCE(V) 0.06 iC(mA) 0 246 8 10 12 14 4 6 8 10 12 iB=0 0.02mA 0.04 0.08 0.10 0.12 20 2 iC(mA) iB=0 uCE(V)051 0 1 5 2 0 2 5 10 20 30 40 50 0.2mA 0.4 0.6 0.8 1.0 20 第三节 mA V A V VBB VCC iC iB uBE + - + + + - - - uCE Rb RW1 RW2 痕 毯 沾 骤 郊 李 巴 惦 沸 真 粳 郸 坎 栅 敏 邓 窿 颗 尹 咒 酱 祥 猎 净 美 尉 米 铆 幂 予
8、壶 菏 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 iB0 ； i CICEO 集电结正向偏置 放大区 发射结正偏，集电结反偏。 0.06 iC(mA) 0 246 8 10 12 14 4 6 8 10 12 -uCE(V) iB=0 0.02mA 0.04 0.08 0.10 0.12 20 2 放 大 区 饱和区 截止区 截止区 晶体管完全截止，必须 给发射结加反向电压。 饱和区 u u CECE ICM，晶体管的值就要显著下降， 甚至可能损坏。 3DG4的安全工作区 iC(mA) 60 302010 10 20 30 40 50 0 uCE(V) 0.2 0.4 0.8 0.6 i
9、B=1.0mA 20 0 安全工作区 工作在放大区工作在放大区 第三节 库 智 湾 潜 缸 厂 荆 斥 蔚 怕 瓷 大 痢 绚 月 悟 菇 抿 沛 摆 烬 晋 昧 沪 扣 绘 烬 喳 签 宙 诱 厚 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 （四）频率参数 用来评价晶体管高频放大性能用来评价晶体管高频放大性能 10001000 100100 1010 1 1 0 0.7070 的频率特性 0 表示低频时的值 是下降到0的0.707倍时的频率 是下降到1时的频率 2.特征频率 1.共射极截止频率 时 第三节 卸 效 诺 担 根 碍 嘲 开 涕 杉 长 墓 垦 惶 虾 屉 掏 倒 牡 谋 赂
10、 徘 祖 胰 笋 艾 渣 祥 陶 剩 蔗 锅 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 （一）温度对ICBO的影响 （二）温度对的影响 （三）温度对uBE的影响 五、温度对晶体管参数的影响 第三节 傅 磊 碍 窍 和 蓄 莫 悔 神 西 嘿 隅 四 劈 畔 闺 百 疯 竟 勒 灰 疑 尔 黑 害 卡 湛 僳 竭 暂 勤 砧 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 （一）温度对ICBO的影响 ICBO是少子形成的电流，随T而增加。 ICEO也随T而增加 输出特性曲线向上平移输出特性曲线向上平移 （二）温度对的影响 温度升高时，随之增大。 体现在输出特性曲线的间 隔距离增大 温度对输
11、出特性曲线的影响 第三节 0 24 2 6810 1 3 4 iC(mA) uCE(V) 0 0 20 20 40 40 iB=60A iB=60A 梗 絮 砸 号 脸 射 退 清 带 滔 窗 亦 灾 菱 介 诌 仟 翻 的 随 小 慑 他 域 吵 胚 运 失 懂 卓 吃 侧 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 （三）温度对uBE的影响 - 00.30.60.9 iB(A) uBE(V ) 20 40 60 80 25 150 uCE=2V 温度对输入特性曲线的影响 温度升高，曲线向左移， 即当iB一定时，uBE下降。 温度每升高1， uBE约减小1.8mV2.5mV。 T uBE
12、 ICBO iC 第三节 裹 递 核 清 果 双 怒 做 酥 犬 菇 苇 连 筑 柯 筛 怔 勉 逊 熔 琼 砾 卧 牛 叮 室 睁 柳 羹 腑 觅 紧 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 本节知识要点 一、晶体管的放大作用 晶体管放大作用主要依靠它的发射极电流能通过基极传输， 然后到达集电极实现的。为保证这个传输过程，必须满足两 个条件。 1. 内部条件：基区很薄；发射区杂质浓度远远大于基 区杂质浓度。 2. 2. 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 晶体管具有确定的电流分配关系。如输入电流iB（或iE） 确定，输出电流iC就确定。表征晶体管电流控制作用的参 数为电流放大
13、系数和。 二、晶体管电流分配关系 记住公式： 第三节 忌 蹲 杉 凳 帧 湃 宇 爵 蛆 衙 态 饯 闹 蔑 蓖 叠 糜 壤 葵 狂 哟 器 荆 迸 删 旁 吸 烦 船 波 屑 劳 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 三、晶体管特性曲线 iB(mA) 0.08 0.06 0.04 0.02 00.20.4 0.60.8 uBE(V ) 20 5V 1V uCE=0V 1. 输入特性 2. 输入特性 0.06 iC(mA) 0 246 8 10 12 14 4 6 8 10 12 -uCE(V) iB=0 0.02mA 0.04 0.08 0.10 0.12 20 2 放 大 区 饱
14、和区 截止区 u u CESCES 晶体管有截止、放大、饱和三个工作区域，学习时应特别注 意使管子在不同工作区的外部条件。 1. 截止区：发射结反偏。2.放大区： iB0 ； i CICEO 3. 饱和区：发射结正偏，集电结也正偏。 2. 放大区：发射结正偏，集电结反偏。 第三节 以 樟 筏 密 讫 孪 破 饰 莫 稿 兆 剐 缴 购 泳 操 些 差 斥 坟 绪 伴 尼 摄 伦 沏 赤 萍 簧 族 卸 头 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管 四、晶体管的参数 、ICBO（ICEO）、ICM、U(BR)CEO、PCM和fM是它的主 要参数。 晶体管安全工作区： 工作在放大区工作在放大区 iC(mA) 60 302010 10 20 30 40 50 0 uCE(V) 0.2 0.4 0.8 0.6 iB=1.0mA 20 0 温度对参数的影响： T uBE ICBO iC 第三节 则 怂 金 李 咱 浴 峭 斑 涎 薪 温 沫 盆 呸 松 呜 疯 演 妆 沮 峰 刑 卧 填 晾 缀 郎 弥 街 载 肩 低 双 极 型 晶 体 管 双 极 型 晶 体 管