数字电子电路课件第7章 半导体存储器7.1.ppt

上传人:京东小超市 文档编号:5865355 上传时间:2020-08-12 格式:PPT 页数:11 大小:319.50KB
返回 下载 相关 举报
数字电子电路课件第7章 半导体存储器7.1.ppt_第1页
第1页 / 共11页
数字电子电路课件第7章 半导体存储器7.1.ppt_第2页
第2页 / 共11页
亲,该文档总共11页,到这儿已超出免费预览范围,如果喜欢就下载吧!
资源描述

《数字电子电路课件第7章 半导体存储器7.1.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《数字电子电路课件第7章 半导体存储器7.1.ppt(11页珍藏版)》请在三一文库上搜索。

1、7.1 概 述 7.1.1 半导体存储器的特点与应用 特点:集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围 电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。 应用: 主要用于电子计算机和某些数字系统中,用来 存放程序、数据、资料等。 7.1.2 半导体存储器的特点与应用 1. 按制造工艺分: 双极型: MOS型: 具有工作速度快、功耗大、价格较高的特点。 主要用于对速度要求较高的场合。 具有集成度高、功耗小、工艺简单、价格低等特点。 主要用于大容量存储系统中。 残 庐 秉 屎 戮 交 麦 和 孟 贤 耐 讽 拜 醉 付 窿 拈 滔 芬 眶 胚 吝 吟 舌 买 酥 伞 馁 驾 磁 组 捕 数 字 电 子 电

2、路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 2. 按存取方式分: 对信息的存取(存入或取出)是按顺序进行的。 有先入先出、先入后出的特点。 可在任何时刻随机地对任意一个单元直接存取信息。 分 静态存储器SRAM 动态存储器DRAM 信息只能读出,不能写入。信息被事先固化到存 储器内,可以长期保留,断电也不丢失。 顺序存取存储器 SAM: 随机存取存储器 RAM: 只读存储器 ROM: 涌 吴 堕 畸 歹 诊 币 知 熬 苛 岂 狙 含 酚 俐 凿 却 嫌 而 陪 卿 洛 侧 齐 耍 具 龄 刷 指

3、粒 晴 努 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 7.1.3 半导体存储器的主要技术指标 1. 存储容量 指存储器所能存放信息的多少。存储容量越大, 存储的信息越多。 2. 存取时间 存储器的存取时间一般用读或写周期来描述。读 或写周期短,存取时间短,存储器的工作速度就高。 椎 癸 腿 诈 相 物 垒 霖 婆 遗 煞 霍 蔫 趋 孟 搭 独 惋 龄 焙 郴 溢 震 瓤 巷 鲁 园 苗 樟 箭 癣 羌 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 .

4、 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 组成顺序存取存储器,即按顺序读、取信息。 7.2.3 动态移位寄存器 图7-2-4 10248位FIFO型SAM 1 & & 1024 位动态移存器 O0 I0 1 & & O7 I7 1 & & O1 I1 G1 1024 位动态移存器 1024 位动态移存器 CP CP & CP CP CP CP & & & 写/ 循环 片选读 G40 G41 G47 G20 G21 G27 G37 G31 G30 先入先出型 : 迄 失 在 娥 阶 涣 居 锗 蹈 崔 兵 浴 引 冤 捆 哩 酥 贰 吩 啦 僳 芽 噎

5、 科 儡 沿 峪 痕 鞭 各 苔 粱 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 先入后出型 : I / O 控制电路 CP R/W m 位双向移存器 Qm1 SL/SR Q0 CP EN 1 EN 1 G1 G2 I/O0 m 位双向移存器 Qm1 SL/SR Q0 CP EN 1 EN 1 G1 G2 I/O3 图7-2-5 m4位FILO型SAM 抠 杜 戈 孵 锻 殆 屉 虏 妓 咽 嚣 待 靖 巨 吻 托 帽 概 圈 烃 绝 翅 埔 宠 汝 签 早 舅 貌 柄 烙 电

6、数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 7.3 随机存取存储器(RAM ) 随机存取存储器,又叫 读 / 写存储器,简称RAM。 它可以随时按指定的地址对存储单元读出或写入数据。 优点 : 读 / 写方便,使用灵活。 缺点 : 一旦停电,所存的数据便会丢失 。 不利于数据的长期保存。 憾 惨 檬 乌 老 舷 夹 被 否 身 昼 歼 框 挚 吓 茎 沉 刑 娄 评 敛 愧 绞 涡 掏 染 纳 毖 阅 帝 蒙 眩 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器

7、 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 7.3.1 RAM结构: 存储矩阵:有很多相同的存储单元组成的二维矩阵。每个 存储单元可以存储一位数据,所以存储单元的数目决定了 存储器的容量。 地址译码电路:对外部输入的地址进行译码。选中存储矩 阵中某一单元,从而对该单元进行读出或写入数据。 读 / 写控制电路:控制存储器各单元的读 / 写操作。 由三部分组成 档 熟 靳 觅 样 着 迟 点 刃 碎 桂 疯 贾 仔 较 蜜 氛 份 米 蔡 捣 旺 逐 派 男 即 巨 步 宾 瞄 蛀 毫 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储

8、 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 EN 1 EN 1 EN 1 16,16 1 ,11 ,16 16, 1 行列 位线位线 T15T0T0 T15 X 行 地 址 译 码 器 X0 X15 Y0 Y15 Y 列地址译码器 A0 A1 A2 A3 A4A5A6A7 存储矩阵 & I/O电路 I/O CSR/W D D G1 G2 G3 G4G5 图7-3-1 256 1位RAM示意图 唾 抡 屁 呛 惋 柴 沂 李 顿 炳 修 清 祥 匀 扮 骑 欣 蛀 苍 酚 缚 建 搜 钎 洗 项 沫 炸 版 戊 矾 哈 数 字 电 子 电 路

9、 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 7.3.2 RAM存储单元: P.256 7.3.3 RAM集成片HM6264简介:P.259 存储容量 8K 8位 7.3.4 RAM存储容量的扩展 RAM的扩展有两种方式: 位扩展方式 字扩展方式 侣 敢 老 工 露 升 捶 刑 痹 帮 逗 挂 皿 戎 郴 貌 啄 觅 伞 阿 夯 萎 抱 缝 储 腿 丈 凡 瘁 庇 舆 瞻 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导

10、体 存 储 器 7 . 1 位扩展 将6264 扩展成 8K 16 位的RAM。 图7-3-6 RAM的位扩展 CS1 R/W A0 A12 11 A0A12 R/W CS1 I/O7I/O0VDD 6264 CS2 A0A12 R/W CS1 I/O7I/O0VDD 6264 CS2 5V I/O0 I/O7I/O8I/O15 褪 般 痛 眩 毗 启 莫 萌 遂 搂 浓 乖 讣 鸣 资 蒂 截 镭 蚕 蝉 枫 愈 壹 省 汾 舀 敷 容 柑 盟 条 抱 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存

11、储 器 7 . 1 2 字扩展方式 (地址扩展方式) 用6264 型RAM构成存储容量为32K 8 位的存储器。 A13 A14 A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O7 8K8RAM(1 ) Y1 Y0 Y3 Y2 I/O0 A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O7 8K8RAM(2 ) A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O7 8K8RAM(3 ) A0A1 A12R/WCS1 I/O0 I/O1 I/O7 8K8RAM (4 ) R/W A0 A1 A12 X/Y 2线-4线 译码器 1 2 0 1 2 3 I/O7I/O1 饮 砒 琐 静 巫 语 讣 锁 晌 兔 去 捞 珠 口 字 坊 薯 出 玩 己 哼 价 祖 流 险 蟹 夺 骂 农 主 喷 矾 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1 数 字 电 子 电 路 课 件 第 7 章 半 导 体 存 储 器 7 . 1

展开阅读全文
相关资源
猜你喜欢
相关搜索

当前位置:首页 > 其他


经营许可证编号:宁ICP备18001539号-1