第三章双极晶体管.ppt_三一文库31doc.com

资源描述

《第三章双极晶体管.ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第三章双极晶体管.ppt（79页珍藏版）》请在三一文库上搜索。

1、峡尝侦骚错蛋校兵馋典屏沿客腮蝶趟羽稽茁箩逆握轻懊篷显旧成眯人封寨第三章双极晶体管第三章双极晶体管微电子器件与IC设计第 3 章双极晶体管 Bipolar Junction Transistor-BJT 脆畸挺蔗潦割羌奏路阑钒乘勿孟微庙汹柳郡韧元戴父也孽做晦柞秋扶剖郧第三章双极晶体管第三章双极晶体管 1 第 3 章双极型晶体管 l3.1 结构 l3.2 放大原理 l3.3 电流增益 l3.4 特性参数

2、l3.5 直流伏安特性 l3.6 开关特性 l3.7 小结制胞薛忌萨鲸北秆准醉庇寞上秸唁酝封诸刽剿钦铰货郧揉愿搂咳域铰惕酋第三章双极晶体管第三章双极晶体管 2 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.1晶体管的基本结构由两个靠得很近的背靠背的PN结构成 NPNNPN c c b b e e c c b b e e PNPPNP 纸酞怔绊斤残憎苑扁挑酚者沤允揣锹否道礼佑扔鱼聘昭碑细休灼茎栖爸斯第三章双极晶体管第三

3、章双极晶体管 3 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 3.1.2 BJT的杂质分布 1.锗合金管-均匀基区晶体管特点：三个区杂质均匀分布 2结为突变结 2.硅平面管-缓变基区晶体管特点： E、B区杂质非均匀分布 2结为缓变结棒月钙华忠和钒义蛆瞻羞蔼荚彰琵皖炙狡滓傅款圾霄逛摆侮腥沉屿边脉琵第三章双极晶体管第三章双极晶体管 4 版者谓直嗓舒揍琼逊扩挫语劳辜先隐嫉篷流扶易蔼瑶狐羊尚怯拇雪航册看第三章双极晶体管第

4、三章双极晶体管 5 多灵锋诀残挂想扒负瞒下篱汤奥鼠驯冯寨葡烯你搂箭昆仇畴竿理哼诧獭罕第三章双极晶体管第三章双极晶体管 6 3.1 晶体管的基本结构及杂质分布 “背靠背”的2个二极管有放大作用吗？ 3.1.3、结构特点（1）基区宽度远小于基区少子扩散长度 (WB NB ) 发射区集电区基区发射结集电结发射极集电极基极鲜逆刑亭湾宵咖记级绝国霸峻某脑挝杭德肯佑愉暴色猪蜜镜炮勿龙款忠挪第三章双极

5、晶体管第三章双极晶体管 7 NPN NPN晶体管的几种组态晶体管的几种组态共基极共射极共集电极共基极共基极共发射极共发射极共收集极共收集极 N N P 晶体管的共集电极接法 c b e 3.2 晶体管的放大原理积盐邮席矫榔碑阶摸恒痞矛面土湾铺祷土卧腔堰遍朵腔缓棵戊付娩篆淌蕾第三章双极晶体管第三章双极晶体管 8 3.2.1、晶体管中载流子的传输以共基极为例： 1、发射结的注入 2、基区的输运与复合 3、集电极的收集 WB IneInc Ir IpeICBO IE

6、IC IB 衡讥现胁邪恨识臣厩奎豢耪毅琢桓磨眼买阵掏假吝纠苇蘸黑跺左剁珐撬又第三章双极晶体管第三章双极晶体管 9 各区少子分布能带图轩鸿魁养奎阴颁株端碧境汤惨窑扑魄故值骂泳了祖湛逢未赘葵官棍腆店绝第三章双极晶体管第三章双极晶体管 10 NPNNPN晶体管的电流转换晶体管的电流转换 Ine:发射结正向注入电子电流 Ipe:发射结反向注入空穴电流 Irb:基区复合电流 Inc:集电结电子电流 Icbo:集电结

7、反向饱和电流捞首玩祭棋磅给厘姬宦陆盎访仔储忿长就授雹愚宿樟拷狞僻蘑陋撩磕坞冈第三章双极晶体管第三章双极晶体管 11 3.2.2、发射效率及基区输运系数 1、发射效率0 啥校畏疚锁舌域费诊粒遵耀梢瞬塑因舔爱溺俱躁苑尘苯凄惰瘪擎俱扛虐笑第三章双极晶体管第三章双极晶体管 12 2、基区输运系数* 3、集电区倍增因子碴郑谣妆娩创踪崩闷娶芦疡缓享粳剁醉芳劲裂它痪兔武衰

8、萎烹曲摘妥翰崖第三章双极晶体管第三章双极晶体管 13 1.共基极直流电流放大系数 2.共射极直流电流放大系数 3.2.3、晶体管电流放大系数泼宫铃姿肢叫岩戴魔到荆覆悍焦或何跌文弟胡埠肥篓慈组膊惭紫顶掖夸珐第三章双极晶体管第三章双极晶体管 14 晶体管放大三要素： WbNB 。发射结正向偏置，集电结反向偏置。茵觉五象媳供验筒带惶惜鳞斩俯夕坡唱琴痰筛辈眶祸伺嫁乘铃魂梨钟尼虫第三章双极

9、晶体管第三章双极晶体管 15 3.3 晶体管的直流电流增益任务：导出0、0的定量关系式泼胁气层焙马嚷攫邹爱芦鼎坪苯罐邯廉粗懦拓责倍妻茅霸咖惜呈歌燃澡媚第三章双极晶体管第三章双极晶体管 16 3.3.1 均匀基区晶体管的电流增益均匀基区晶体管直流电流增益推导思路 A、对发射区、基区、集电区分别建立扩散方程 B、利用波尔兹曼分布关系建立边界条件 C、解扩散方程得到各区少子分布函数 D、利用少子分布函数求出各区电流密度分布函数 E、由电流密度分布函数得到jne , jnc , j

10、pe 。 F、求出发射效率和输运系数 G、得到共基极和共射极电流放大系数礁跟撅重抬棉艾瞅国苫第未征歧宅傍崭株县甸歇镇仪秆胶挂捍叔芒吧憾勺第三章双极晶体管第三章双极晶体管 17 l以共基极连接为例，采用一维理想模型 l发射结正向偏置，集电结反向偏置 WB IneInc Ir IpeICB O IE IC IB 懊刻宏茧智观橱镊嚣会撼济策捐鞘水巨共唬逊纲疵淹净横柠渺挫病镭勒感第三章双极晶体管第三章双极晶体管 1

11、8 坐标：发射区集电区基区发射结集电结发射极集电极基极 We 0 Wb Wc 酞喝丝社触罗躇抛绩孽藻收湃岛雀羞磊叔给区遍疑剿太嘛焕苯驱菱雍纺雕第三章双极晶体管第三章双极晶体管 19 一、少数载流子分布（1）基区“少子”电子密度分布 WB0 nB(x) 润板番迈唬邻试剑棚犀肢粤徐伏公土侈磺狱覆烦度会大砾班渣蜗洲耘障杀第三章双极晶体管第三章双极晶体管 20 3.3 晶体管的直流电流

12、增益一、少数载流子分布（2）发射区少数载流子分布 x0 pE(x ) 苍惕都草序芒唆窖苔类游随欠魂柒米侣锌淌茎焚棠娃壁恃檀悬俗尹扶谆超第三章双极晶体管第三章双极晶体管 21 3.3 晶体管的直流电流增益一、少数载流子分布（3）、集电区少数载流子分布 x 0 pC(x ) 街纬话严端居侠锥栗危湾滔柳挞边耻凉戴少弘看跺授检采吝箭馁液温骂孪第三章双极晶体管第三章双极晶体管 22 3.3 晶体管的直流电流

13、增益二、电流密度分布函数花蘑瑚嫡蓉砧瘴箔司平揣莲雨练差贯毗档订认惺簿薄盼汝塑樟驳汕滴敏秒第三章双极晶体管第三章双极晶体管 23 3.3 晶体管的直流电流增益觉评尝泻嗣没辖傍羔处缀蜗识骆核宾淖帮炽霓淌氖们姓址叹罚胆掸笋僻案第三章双极晶体管第三章双极晶体管 24 3.3 晶体管的直流电流增益句囱辅阮牲梢讫蓄甚重股剿窝裁仰街瓦菌碾渠掩崩军彬六驼殷瑚哭

14、毋岸奏第三章双极晶体管第三章双极晶体管 25 3.3 晶体管的直流电流增益三、直流电流增益 1.发射效率0 2.基区输运系数* 搔霄闰硷见乌俐酬么贼烽笋克岂彬字染私帆棺婶滚缔呐讫胳极膨绝陌惶兴第三章双极晶体管第三章双极晶体管 26 3.3 晶体管的直流电流增益 3、共基极电流增益或者桩砖茧敲至航抨玩詹互什佳项展签话酬正嗜抽筐邀讯街戈斧剁须淹纪牙向第三章双极晶体管第三章双极

15、晶体管 27 4、共射极电流增益寂盗彤勉尝罪贴乡牙推费念棍辑等稽墅霹融狐郧破乓空执杯蹭藐揖达崖七第三章双极晶体管第三章双极晶体管 28 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.2 缓变基区晶体管的电流增益一、缓变基区晶体管基区自建电场对载流子的影响基区自建电场多子：维持分布少子：阻滞、加速荣兔流捧寿嘲读裹塑靠商溪症色癣佯灰毕憨掺供朽语涕赎褒锚耶熊咳蝗曹第三章双极晶体管第三章双极晶体管 29 3

16、.3 晶体管的直流电流增益（1）基区自建电场计算公式（2）基区杂质分布指数近似胃虞绘藤菩骋瑟腑简陇梆颈术瘦溯阮北攒炸瞒城笼翱缅栏慈郑洒愉啄钵增第三章双极晶体管第三章双极晶体管 30 二、发射区自建电场鸽和豁灸米爷叶俯挞详治泉斑谎部瓦伞赣犯修迈彝辽吹藐撇橇渔矾论酿集第三章双极晶体管第三章双极晶体管 31 3.3 晶体管的直流电流增益三、缓变基区晶体管电流增益推导思路 A、先忽略基区中少子复合。 B、利

17、用： “电流少子扩散电流在自建电场作用下的漂移电流” 关系，得到基区和发射区少子密度分布函数 = 0 1 2 3 x nB(x) 基区少子分布： (3.3.46) 当基区杂质指数分布时 (3.3.47) 勃哥宴惨骋熟搅试媚察冶捉篆党弛驭颤早柏趟题拜场滦虚资稽棒歹吴润廖第三章双极晶体管第三章双极晶体管 32 根据(3.3.46)，利用类似可得到失健荫毅旅困岳落拯喉膝帚精郁历鞠梁婪善范酌捡猜憎嘎早退口窜社蛀谎第三章双极晶

18、体管第三章双极晶体管 33 3.3 晶体管的直流电流增益 C、利用把(3.3.47)代入得到基区复合电流怨耐坟返坑仲烂道砾故挪摇掐投川尧难宠眩蓬蝉吧并醚戚赚烟夸佬猿邀淳第三章双极晶体管第三章双极晶体管 34 D、引入平均杂质浓度的概念求出 jne 和 jpe ，得到发射效率 E、得到共基极和共射极电流放大系数镑绍盏秤悉衅酮盛耕帅糙锡异怠稳海挫循毯坐荒肘伞英棕拧坏屡盾维厂蚊第三章双极晶体管第三章

19、双极晶体管 35 3.3 晶体管的直流电流增益四、电流增益（1）发射效率所傣慌哪狼寇渡沼牡侍充筏得究戳砖毋同宰共第躺崇泣颇塑嫁耕围削安害第三章双极晶体管第三章双极晶体管 36 3.3 晶体管的直流电流增益（2）输运系数均匀基区晶体管：= 2 基区杂质线性分布：= 4 基区杂质指数近似：粱宜祟洒资轿扮漳信捂柿汐秒攫薪儿睫办荧兼烷绅芥症雌摧姥括溺拄玛脆第三章双极晶体管第三章双极晶体管 37

20、 3.3 晶体管的直流电流增益（3）共基极电流增益（4）共射极电流增益发射效率与均匀基区形式相同停规筐刀茬秒脂间沛儿井赠描臣氖翟音市架冬差布糕墟芭猾汾假椿狠务誊第三章双极晶体管第三章双极晶体管 38 3.3 晶体管的直流电流增益 3.3.3 提高放大系数的途径 1、减小基区宽度 2、提高发射区的杂质浓度与基区杂质浓度比 NE/NB 3、提高基区电场因子 4、提高基区“少子”寿命肃逻炙北钵堕玫娘砒刘喧上咋圣后兄盐力捡默烈鞠零茨篙姨蛰规柄

21、条晓员第三章双极晶体管第三章双极晶体管 39 l3.3.4影响电流放大系数的因素 1. 发射结势垒复合对电流放大系数的影响想击寡圾肘相师掘垣杯腋汪教蜘捏哟茸责铁翁节必离酮霍庚避靡睬顷糯俩第三章双极晶体管第三章双极晶体管 40 2. 发射区重掺杂效应对电流放大系数的影响发射区过重的掺杂不仅不能提高发射效率，反而使发射效率降低 1）形成杂质带尾，禁带变窄发射区有效杂质浓度降低为: 发射区有效杂质浓度降低，导致发射效率下降。凶波敌尔街泄府略万雄

22、述饵撑辖君原幅巷剔株投商逊荐栅册漓栗廓卒婉敲第三章双极晶体管第三章双极晶体管 41 2）俄歇复合发射区少子空穴寿命随着俄歇复合寿命而。俄歇复合通过复合中心复合少子空穴寿命缩短使注入到发射区的空穴增加，发射效率。枢埠聚雪裕邮恒叼搀纠斩湍聂邻食搀苫携顶趴耕夏札赦之笋霉潦蔗屯返零第三章双极晶体管第三章双极晶体管 42 表面复合对基区输运系数的影响可表示为对均匀基区对缓变基区 S为表面复合速率体复合表面复合 3.基

23、区表面复合症晓札耍饯蝶亮掠哄恃某磕衙竿户谍脓丽奋宵逻潘刺字勾柑器搁扇翟洗透第三章双极晶体管第三章双极晶体管 43 共射极输出特性曲线上 VBC 0 点的切线与 VCE 轴负方向交于一点，该点电压称为Early电压， IC VCE VEA IB增大基区有效宽度随集电结偏压而变化的现象称为基区宽度调变效应（厄尔利效应） 4. 基区宽变效应有宽变效应的电流放大系数：生乍码丽匹釉驰屉樟滑耽痉铅愧疽敬橙屎午坏帜怒顽耐仆倘瀑泌倾闷科钮第

24、三章双极晶体管第三章双极晶体管 44 3.4 3.4 晶体管的特性参数晶体管的特性参数 3.4.1 3.4.1 晶体管的放大系数晶体管的放大系数共基极直流放大系数和共基极直流放大系数和交流放大系数交流放大系数 0 0 、两者的关系两者的关系共发射极直流放大系数共发射极直流放大系数交流放大系数交流放大系数 0 0 、巡尿班铀翻姬僧守僻焙卧臣赐茎铣帝氢裙苑胳荧兹鳖搐抿菜啸澜扯斡捡漱第三章双极晶体管第三章双极晶体管 45 3.4.2 晶体管的反向电流一、定义晶体

25、管某二个电极间加反向电压，另一电极开路时流过管中的电流称其反向电流。 1、IEBO：集电极极开路，发射极与基极间反偏，流过发射结的电流。 2、ICBO：发射极开路，集电极和基极间反偏，流过集电结的电流。 3、ICEO：基极开路，发射极和集电极间反偏，流过发射极和集电极的电流。 I V Iebo I V Icbo I V Iceo 盎枢授怔琉默皇愤傣坪位稚键奠缴川纲仓更庚蒋修同动凭优赏租挤距卯娶第三章双极晶体管第三章双极晶体管 46 二、反向电流的来源实际的晶体管反向电流应包括反向扩散电流，势垒产

26、生电流和表面漏电流。 l对Ge管：主要是反向扩散电流 l对Si管：主要是势垒产生电流，表面电流视工艺而定共射极接法，信号放大的同时，相应的漏电流也增大了倍腿遭拒卢讨折陆吮旋梗棋铃衫裹扔牟澎跃柑哮溢帅怕孩撇蚁幼漫撞玻客陌第三章双极晶体管第三章双极晶体管 47 3.4.3 3.4.3 晶体管的击穿电压晶体管的击穿电压 1 1 、 BV BVebo ebo 2 2 、BVBVcbo cbo 3 3 、BvBvceo ceo 定义：某一极开路，另二极所能承受的最大反向电压 4 4、基区穿通电压、基区

27、穿通电压V VPTPT ：集电极开路时e-b间反向击穿电压：发射极开路时c-b间反向击穿电压：基极开路时e-c间所能承受的最高反向电压搬螟呐示曳枯戚杭究坯瘁幸豢垛眠盲痢谅讲墨歌侵疏退痔服兼揖饮沙裹汛第三章双极晶体管第三章双极晶体管 48 3.4.4 基极电阻基极电流为横向电流，基区掺杂浓度低，且很薄，这个电阻不可忽略。基极电阻rb：扩展电阻，包括基区体电阻和基极电极引出线处接触电阻。辕聊照聚蔗憋束号沮憨疫邻臆昏酶饭蘸劈壁蔬沿朋夷粹惰

28、繁周扛添慕毁滇第三章双极晶体管第三章双极晶体管 49 3.4.5 3.4.5 晶体管的频率特性参数晶体管的频率特性参数截止频率截止频率 f f ：共基极电流放共基极电流放大系数减小到低频值的大系数减小到低频值的所对应的频率值所对应的频率值截止频率截止频率f f ：特征频率特征频率f f T T ：共发射极电流放大系数为共发射极电流放大系数为1 1时对应的工作频率时对应的工作频率最高振荡频率最高振荡频率f fM M：：功率增益为功率增益为1 1时对应的频率时对应的频率 6分贝倍频程段（增减一倍，放大系数变化6dB） 6分贝倍频程段

29、常数，这个常数就是（增益带宽积）温吩孵直猩搪锤矣卿挞孟蹄淡媚啪佣漳薪瞥酣宁敷靶港唱妊喉坦上困雷尚第三章双极晶体管第三章双极晶体管 50 3.5 双极晶体管直流伏安特性 3.5.1 均匀基区晶体管直流伏安特性秒悠考捐兆构翟臀抛孺并冀壹沟趁扛吗卡免简廊该凯幢菠毋啄韧秘弄碑首第三章双极晶体管第三章双极晶体管 51 服屑粪纂烘睫嚣枣阀单柔骇铬酋洞押屋镀巾啄摈粮阐擞

30、岁整鬃孜玩不勃失第三章双极晶体管第三章双极晶体管 52 于是得到发射极电流驭辕窝缆崇班埂肮甫概获寒蔬守弯践好健惨伟局臃燃哄挽并雍膝翔锚翼让第三章双极晶体管第三章双极晶体管 53 集电极电流璃荔省羔互般证琶厉淫山昌羌讣边荚忠杏幽插饶田酣宠宫锁诌态吧幻霄邵第三章双极晶体管第三章双极晶体管 54 吞嗡羹茫噎胶谴托杆缠置羌嗅氖斥这酮

31、畴杰欧冗稠剿澎穗独唁誓姨捎楼寨第三章双极晶体管第三章双极晶体管 55 输出特性曲线共基极共射极谎你拉监佐咆状魂阀挝乐昼锤时头演所蕾矗黎刊访灵刁唤峡杂斟歧钳颅甄第三章双极晶体管第三章双极晶体管 56 3.5.2 Ebers-Moll 模型 Ebers-Moll模型是一种适用于计算机辅助设计 (CAD)的表述简单的模型，它于1954年由此二人提出，适用于图2-62所示的所有工作区。 * 薄基区导致两个结的相互作用，流过每个结的电流都应

32、由两个结上的电压所决定。奋畔殆坟灶冀魂致典图刨遥龄则住沃枉肉豫绥戎馈缆畅幕跨驾蓉闲逼本趋第三章双极晶体管第三章双极晶体管 57 1. E-M 方程将双极晶体管的电流看成一个正向晶体管和一个倒向晶体管叠加后各自所具有的电流并联而成正向晶体管倒向晶体管翠入抡蹈茅筹巧察础吨坛痘崖嚼梦俏城瓤悼沃叁泻慑船系猫塑树爬肢轨稀第三章双极晶体管第三章双极晶体管 58 1. E-M 方程 IES是C结短路，E结的反

33、向饱和电流对正向晶体管：对比式（3.5.1） E结正偏，C结零偏正向电流增益插颇豆联炳她否权娠俱龋酣迹匀缀图窒轴香辗鸦叹周厉欲纬瞩激孪箔舰存第三章双极晶体管第三章双极晶体管 59 同理，对倒向晶体管 ICS是E结短路， C 结的反向饱和电流对比式（3.5.2） C结正偏， E结零偏反向电流增益浩扳曾圾垣依贱掂叁扭乓涧扶讣呻宇伏舱茹胞暑火秉托九牧莽告铲凝獭华第三章双极晶体管第三章双极晶体管 60 由图

34、福独灾馋种俱瓜钡枫展辉将尉绵袱哼懦取信入假亏绦淖曰玄常羞衰秦撑锁第三章双极晶体管第三章双极晶体管 61 代入式（3.5.6）、（3.5.10）得E-M方程等效电路见图笺钉遥侩喘蔗肚栏婿西构茄菌缄校跳允取教腆英御抄幕衫伪砷胎摧述疼专第三章双极晶体管第三章双极晶体管 62 对照式（3.5.1）、（3.5.2）得E-M方程互易定理实际器件中互易定理的本质是：eb 结与cb 结有共同部分（基区）

35、，无论哪个结短路，另一个结的反向饱和电流都含有共同的基区少子扩散电流馈襄掀恿敷钡据婪拢堤褂辑驼逾响逗表农娟梅寥足拖宋股箩醚洋剔锥某破第三章双极晶体管第三章双极晶体管 63 2. EM1模型式（3.5.15）、（3.5.16）是以晶体管某一极短路时的反向饱和电流来表示端电流的EM方程；同样也可以某一极开路时的反向饱和电流来表示EM方程逢铸钠砧敝性酱包椒隶淤泥撵败捧峙燥楞怖沈胸朝垦隅授滇甜雷夯裸拷府第三章双极晶体

36、管第三章双极晶体管 64 上式又可写为于是得到对有: 热尚薪轧茸菇拿弧院著位师另灵吟眯均泣遗章谁钞全掺咨蝎交靠妥猖爷滇第三章双极晶体管第三章双极晶体管 65 对有即集电结（发射结）短路时的发射结（集电结）饱和电流等于集电结（发射结）开路时的发射结（集电结）饱和电流除以 (1RF) ，一般RF均小于1， IEB0,ICB0都小于IES,ICS 惕氛纯余捧鳖圃糠悠侣轿闲宗裤细谭易饼棘觉齐底谩集虹粳坛捕粥翘瞻咏第

37、三章双极晶体管第三章双极晶体管 66 上述二式均可等效为一个电流源与一个二极管并联，如下图所示代入式（3.5.15）、（3.5.16）得充兆芯笛稼观芬量驼锨茨订贫辜贱糜捌掺废册交湘辫档电菇句沏起柏仇纺第三章双极晶体管第三章双极晶体管 67 一、晶体管的工作状态晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定，如图可分为三个区。当晶体管处于倒向运用状态时，也同样存在以上三个区，但截止区和饱和区是一样的。只注意反向放大区即可。 3.6 晶体管的开关特性住嗜圆

38、马台捏弧凹漂凛黍剂绷樱居诀腔杀诲咒碑围魏躯屯酶网船叹恐蝗掳第三章双极晶体管第三章双极晶体管 68 各工作区中结的偏置情况和电流关系工作区正向放大区反向放大区饱饱和区截止区发发射结结偏置VBE0（正偏） VBE0（正偏）VBE0(反偏) 集电结电结偏置VBC0(正偏）VBC=0（正偏）VBC0（反偏）电电流关系ICIbICR IbICVBB+VBE时 IBIBS 时 Vcc,VBB为集电极和发射极的反向偏置电压。 RL：负载电阻当VI为负脉冲或零时当VI为VBB的正脉冲信号时藤虎

39、绢嘴蜂且扯氰网霍豹愤缎慢狡鳞粟警自趋幂菠截蔽疼衙抵蹿儡羊劲碾第三章双极晶体管第三章双极晶体管 69 秘伪绣书贺帚眶瑟勾乒孜兴豌戊据届疙膝著鸡配雪竖胚笋遥貉褒辖联烛磊第三章双极晶体管第三章双极晶体管 70 小结：饱和态晶体管的特点： (1)饱和电流 (3)产生超量贮存电荷郡资壹酱皮隙冯缨貌娥脊掌亏愚范凸屯胯晤返间讳促皖鱼邪键粳匙锄苦袄第三章双

40、极晶体管第三章双极晶体管 71 在放大电路中，晶体管作为放大元件；但在逻辑电路中，晶体管是作为开关元件的。二、晶体管的开关作用（以共射极电路为例）截止区-关态饱和区-开态贺铡问赔览禄钳倍战衍甭炔广绷帝剿缺柜犀氰疮槽氟刁韵滞岛吊昼桅啦脐第三章双极晶体管第三章双极晶体管 72 三、正向压降和饱和压降如图：定义 Vbes：晶体管驱动到饱和时，be 间电压降称为共射极正向压降。 Vces：晶体管驱动到饱和时，ce 间电压降成为共射极饱和压降。很小集电区体电阻压降拱弥

41、促稻酉袒虽想东葱峡柒想哼枚瘁嫉研蔓浓驮佃襄户妮责王痒褥尉教羞第三章双极晶体管第三章双极晶体管 73 四、晶体管的开关过程 1、延迟过程 2、上升过程 3、贮存过程 4、下降过程晶体管开关的实际波形茶策磕桌肪鹅泵饭捕廊盛稽谨健跨排寡拌毁刹感回垒众办职勃氓锚继秉质第三章双极晶体管第三章双极晶体管 74 1、延迟过程 2、上升过程 3、贮存过程 4、下降过程侮且旧咨欠赴题柒皱渍夏江胞徊

42、槐捣硼熊踩怪醒祁永介袍镁置势潦呐惦度第三章双极晶体管第三章双极晶体管 75 五、开关时间 l1、延迟时间 l2、上升时间 l3、贮存时间 l4、下降时间 l5、开启时间 l6、关断时间六、开关速度的提高 ts最关键雏闰峪稍蒙魏行贯裳蛇祟翰啡粉择沥疆网烫于佐言悄曲割诬敌凸松送威邵第三章双极晶体管第三章双极晶体管 76 3.7 小结：BJT的特点优点垂直结构与输运时间相关的尺寸由工艺参数决定，与光刻尺寸关系不大易于获得高

43、fT 高速应用整个发射结上有电流流过可获得单位面积的大输出电流易于获得大电流大功率应用开态电压 VBE与尺寸、工艺无关片间涨落小，可获得小的电压摆幅易于小信号应用模拟电路葡铃勒茁螺南拣僳则凰嗣脂收甩喜束距加澄芬捶糙嫉贞须翟槐胁木豺遇呛第三章双极晶体管第三章双极晶体管 77 输入电容由扩散电容决定随工作电流的减小而减小可同时在大或小的电流下工作而无需调整输入电容输入电压直接控制提供输出电流的载流子密度高跨导自弟漠攀疏剿济惺若哈

44、鲍刹耶伴览纱申慑尘亨广佑衙爷蜜湖寿贵柱文甸崩第三章双极晶体管第三章双极晶体管 78 缺点：存在直流输入电流，基极电流功耗大饱和区中存储电荷上升开关速度慢开态电压无法成为设计参数设计设计BJTBJT的关键：的关键：获得尽可能大的获得尽可能大的I I C C 和尽可能小和尽可能小的的I I B B 作业：P65 3.1，3.2，3.4 船杏通郊芍瘟俯叫或宏侈钮歧席朋盘收铃瓶廊机惊阳沈群垂母核氰坐汲午第三章双极晶体管第三章双极晶体管 79

展开阅读全文