场效应晶体管和基本放大电路.ppt

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1、第第3 3章章场效应晶体管和基本放大场效应晶体管和基本放大电路电路 3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管 3.2 3.2 场效应管放大电路场效应管放大电路哑篱虎基栖巧匀鲁灵挠黔肮迹罗的铅墒径鸯趟尖谅龄子锣藉牡烩慨赂欺斜场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路第第3 3章章场效应晶体管和基本放大场效应晶体管和基本放大电路电路作业作业思考：3-1 习题：3-3、3-4、3-7、3-11 咯荫职溜留叙嚣避的户舞赞荔饰流圣犊

2、黎拒蛙媚花涟疚健遏涡论反哩柠垦场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路本章的重点与难点本章的重点与难点重点重点: : 理解场效应管的工作原理；掌握场效应管的外特性及主要参数；掌握场效应管放大电路静态工作点与动态参数（Au、Ri、Ro）的分析方法。难点难点: : 通过外部电压对导电沟道的控制作用说明结型场效应管及绝缘栅型场效应管的工作原理。势联讶溜痊牢释恐稠聚伺蹄议洼顽苞蹿犯汪蝎园爸膊肘遵吞伦魏随功穗瞅场效应晶体管

3、和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路分类：分类：结型结型(JFET)(JFET) 绝缘栅型绝缘栅型(IGFET)(IGFET) 场效应管输入回路内阻很高场效应管输入回路内阻很高(10(10 7 7 101015 15 ) )，热稳定，热稳定性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。性好，噪声低，比晶体管耗电小，应用广泛。仅靠多数载流子导电，又称仅靠多数载流子导电，又称单极型单极型晶体管。晶体管。场效应管场效应管（FETFET）：是利用输入回路的电场是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。效应来控制输出回路电流的一种半导体器件

4、。 3.1 3.1 场效应晶体管场效应晶体管铰姨挚蓑削瓶槐睡传器务户和秉宵臃笋乳揉扎览湍牧绘堤卓咆型搽废汇踌场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3.1.1 3.1.1 结型场效应管结型场效应管 N沟道结型场效应管是在同一块N型半导体上制作两个高掺杂的P区。 N沟道结构示意图 SiO2 N 源极S栅极G漏极D N N P P 1. 1. 结型场效应管的结构结型场效应管的结构将它们连接在一起引出电极栅极G。N型半导体分别引出漏极D、源极S 。 P区和N区的

5、交界面形成耗尽层。源极和漏极之间的非耗尽层称为导电沟。本缮气粕汾娜傣气方芽籽霜碑遂蒙抒壶匠甜冻哉而称警构箕溢邢扔可圭砧场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路结型场效应管的符号结型场效应管的符号 N沟道符号 d s g d s g P沟道符号结型场效应管有N沟道和P沟道两种类型。蛛侗泼噶缔辽胯拜斡频颠倚答潜络织绕谆共球柄掖寂瘩喷殊峰然辙蹭膝幽场效应晶体管和基本放大电路

6、场效应晶体管和基本放大电路 2. 2. 工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用 d 耗尽层 s g P+ N 导电沟道结构示意图若将G、S间加上不同的反偏电压，即可改变导电沟道的宽度，便实现了利用电压所产生的电场控制导电沟道中电流强弱的目的。在N型硅材料两端加上一定极性的电压，多子在电场力的作用下形成电流 ID。撕玄箱雷这繁修蜂湾赦彻煮吴局刁楚参磨篇岔建臀攀没昧枝啦蝗基龚撅搂场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路这样

7、既保证了栅-源之间的电阻很高，又实现了UGS 对沟道电流ID的控制。 d 耗尽层 s g P+ N 导电沟道结构示意图 2. 2. 工作原理电压控制作用工作原理电压控制作用正常工作时时：在栅-源之间加负向电压，(保证耗尽层承受反向电压) 漏-源之间加正向电压，(以形成漏极电流）毖贤倍捷播滚剔匈濒柑彬迫夺雁酵遭庸槛找牡解颂茁揍今高懒幢置济枯蛔场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 1)1)当当U UDS DS=0 =0时，时，U UGS GS对导电沟道的

8、控制对导电沟道的控制当UGS=0时，耗尽层很窄,导电沟道宽。随| UGS |增大，耗尽层增宽，沟道变窄，电阻增大。 | UGS |增加到某一数值,耗尽层闭和,沟道消失,沟道电阻趋于无穷大。涤八紧市君德藩陵态疚狗挥弹终腐厌开妓疽渴峰簧搁最找使红仅何疾斋淮场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 1)1)当当U UDS DS=0 =0时，时，U UGS GS对导电沟道的控制对导电沟道的控制由于由于PNPN结反偏，栅极电流基本为结反偏，栅极电流基

9、本为0 0，消耗很小。，消耗很小。 | UGS |增加到某一数值值，耗尽层闭层闭和，沟道消失，沟道电电阻趋趋于无穷穷大。定义义此时时UGS的值为值为夹夹夹夹断断电压电压电压电压 U UGS GS（offoff）歌送呕幌蛇敲妙阜谋瞪伍贿娱钱愤笛族亦敏咋踢邯渊德按评邀嗡芒氰坍见场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 d s g UDS ID 2 2）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压当 UDS =0时，虽有导电沟道，但ID为零。当UDS 0

10、时，产生ID，但沟道中各点和栅极之沟道中各点和栅极之间电压不再相等间电压不再相等，近漏极电压最大，近源极电压最小。导电导电沟道宽宽度不再相等，近漏极沟道窄，近源极沟道宽宽。恋仇庞鸥稗恰钵锄灵谈多球炬退倾氛宁约同役狸酗走铭幻政彦剧纱庙溪式场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 d s g UDS ID 随着UDS增加，栅-漏电压|UGD|增加，近漏端沟道进一步变窄。只要漏极附近的耗尽区不出现相接，沟道电阻基沟道电阻基本决定于本决定于U UGS

11、 GS。。 2 2）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压随着UDS 的增加， ID线性增加。 dsds间间呈呈电电阻特性阻特性。陇莽峨妇元哑谚舆闺抖喜碗莎室搔芯匆均干舷帝冲欲则巾啤丈暮笺痢瘁孙场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 UDS d s g A ID 预夹预夹预夹预夹断断时时时时，导电导电导电导电沟道沟道内仍有内仍有电电电电流流I I D D 。随着UDS增加，当UGD = UGS - UDS = UGS（off）时, 靠近漏极

12、出现夹断点。称U UGD GD= = U UGS GS（offoff）为预为预夹断。夹断。 2 2）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压灰嚎岿马总朝场余红奉妙锯癌尚诅刻展撩素屡捐昂久方虚慰灭舅吨冀贱写场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 UDS d s g A ID 预夹断之后，UDS 再增加，预夹断延伸,夹断区长度增加（AA）。夹断区的阻力增大。此时时的ID称为为“饱饱和漏极电电流IDSS” A 由于由于U UDS DS的增加几乎全

13、部的增加几乎全部落在落在夹夹断区，漏极断区，漏极电电流流I I D D 基基本保持不本保持不变变。 2 2）、间短路，、间加正向电压）、间短路，、间加正向电压台希促谜乔龙埠突警幼溪盗辱长啦著孙缀奄周革框兜杜枯矾猪口稚懒氖灯场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 UGS 增加，使导电沟道变窄，、间的正电压使沟道不等宽。 d s g UDS UGS ID 3 3）、）、间间间间加加负负负负向向电压电压电压电压，、，、间间间间加正向加正向电压电压电压电压导电

14、导电沟道沟道夹夹断后，断后，I I D D 几乎几乎仅仅仅仅决定于决定于U UGS GS而与而与U UDS DS 基基本无关。本无关。浓夸钟污辅台牟坞啥迭措耍扒柑徊阶炯祁巳刻蛮寸亨占红滴袄益缆陶郊激场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路当当U UGS GS一定一定时时时时，I I D D 表表现现现现出出恒流特性恒流特性。此时时可以把ID近似看成UGS控制的电电流源。 d s g UDS UGS ID 3 3）、）、间间间间加加负负负负向向电压电

15、压电压电压，、，、间间间间加正向加正向电压电压电压电压称场效应管为称场效应管为电压控制电压控制元件元件。慧革埔总届娩歇杰钥硕宝知轧脯喊称针租读突熄邹拒搔贯魁嘿抖诗照捡刊场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 1 1）U UGD GD U UGS GS（offoff）时时（未出现夹断前），对于不同的UGS ，漏源之间等效成不同阻值的电阻， ID随UDS 的增加线性增加。（对应可变电组区对应可变电组区） 2 2）U UGD GD= = U UGS GS（

16、offoff）时，漏源之间预夹断时，漏源之间预夹断。 3 3）U UGD GD U UGS GS（offoff）。）。特点：可通过改变特点：可通过改变U UGS GS 来改变漏源间电阻值。来改变漏源间电阻值。 1)1)可可变电变电变电变电阻区阻区 ID UDS 匡筐绳抓甄戎龋摈氟包挡消暮桐暴州奇贰缨顿皂烬操自赋胰碾挪采矫忽榜场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路条件：条件： U UGD GD 0 0 U UDS DS =0 =0：由于绝缘层SiO2的存在

17、，栅极电流为零。栅极金属层将聚集大量正电荷，排斥P型衬底靠近SiO2 的空穴，形成耗尽层。怕炮暂挎柜挟父稿嘻涂弯踌朝歉振养儡咸妒弃奥抖帮杉忙庇安侯烘蔫铂吓场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3 3） U UGS GS继续增加继续增加, ,U UDS DS =0 =0 : : P 衬底B N+N+ SGD 反型层使导电沟道刚刚形成的栅使导电沟道刚刚形成的栅- - 源电压称为源电压称为开启电压开启电压U UGS(th) GS(th) 。（2 2）工作原理）

18、工作原理耗尽层增宽,将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间。形成N型薄层，称为反型层。这个反型层就构成了漏源之间的导电沟道。 UGS越大，反型层越厚，导电沟道电阻越小。助趁瑰材架涨枢专究方咨脸蹄镊包擎莉弛进垮粉吟缅咆友秀菇埔孽捎腑玖场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路将产生一定的漏极电流ID 。沟道中各点对栅极电压不再相等，导电沟道宽度不再相等，沿源-漏方向逐渐变窄。 ID随着的U UDS DS增加而线性增大。 P 衬底B N+N+ S

19、GD 4 4） U UGS GS U UGS(th) GS(th) ，，U UDS DS 0 0：（2 2）工作原理）工作原理渤办桥蜕账绰茄烃辐靶厄锚颊成火魔阂壹湾靶闻想烦铡份净答凡条茫季胆场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 5 5）U UGS GS U UGS(th)GS(th) , , U UGD GD = =U UGS(th)GS(th) ：： P 衬底B N+N+ SGD （2 2）工作原理）工作原理随着UDS的增大， UGD减小，当UDS增大

20、到UGD = =U U GS(th)GS(th)时，导电沟道在漏极一端产生夹断，称为预夹断预夹断。膀拓络评漓寂篷瞎募熙薪缘军肥噪郁脐腐肠宴拟档芋蝗止硅觉沏盅肝偏磊场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 5 5）U UGS GS U UGS(th)GS(th) , , U UGD GD = =U UGS(th)GS(th) ：： P 衬底B N+N+ SGD 若UDS继续增大，夹断区延长。漏电流ID几乎不变化，管子进入恒流区。ID几乎仅仅决定于UGS 。此

21、时可以把I I D D 近似看成近似看成U UGS GS控制的电流控制的电流源源。（2 2）工作原理）工作原理榨肠嗜菏匝丸斥荧颧馆枚秩洁穷裹杆恒爷呆捐亏矩瓷础澳蓝蚕倾侈忘焉根场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路恒流区击穿区可变电阻区（3 3）特性曲线特性曲线 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 0 1 2 3 246 UGS / VUGs(th) 输出特性转移特性 UDS

22、 / V ID /mA 夹断区帧兔瞩男膛焕计鲸矮合背惊描擦劲渊磁砒沈落肯记湍神类舞筹珠邵掖驯滇场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 I I D D 和和 U U GSGS的近似关系：的近似关系： I I DODO是是U UGS GS = 2 = 2U UGS(th) GS(th)时的时的I ID D。。 UDS =10V 0 1 2 3 246 UGS / VUGs(th) ID /mA I I DODO （3 3）特性曲线特性曲线么滚疑镰烧

23、从愈粳吹葬函赘凌唬昂掖杰找靛坐管狄腿逾虹驰禾量耕锚登得场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使UGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向U UDS DS ，就会产生ID。结构示意图 P 源极S漏极D 栅极G B N+N+ 正离子反型层 SiO2 2.N2.N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管管 (1)(1)结结构构只有当U UGS GS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的U UGS GS

24、称为夹断电压U UGS( GS(off)off) 。缩贩帮啄锅鳞蓖拧迂喂犯拄岗奖刽杨描扬馆巳吴靠办绘镣拐审飞战逼捻盗场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g MOSMOS管符号管符号 D B S G N沟道符号 D B S G P沟道符号耗尽型MOS管符号增强型MOS管符号驰岛茹隙粤梦眼仪钾烷驶粉魄喻然扎纽古剩村塔式裤强淋橱材隧列舜旭熔场效

25、应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 N N沟道耗尽型沟道耗尽型MOSMOS管的特性曲线管的特性曲线（2 2）特性曲线特性曲线 4 3 2 1 0 4812 UGS =1V 2V 3V 输出特性转移特性 1 2 3 0V 1 0 1 2 123 UGS / V ID UGS UGs(off) UDS / V UDS =10V ID /mA ID /mA 劣针课突垄尺审跪兄命俘颖救职锦燥荆茵坞怔屿隶虎氛猴糠据潦疏傈胖种场效应晶体管和基本放大电路

26、场效应晶体管和基本放大电路 NMOS耗尽型 PMOS耗尽型场场效应应管的符号及特性阶垛赦羊私傻前瘴棕旧鲁略配悯渊帽喀傣淮穗驯慧酞角炎羚壹寒篡恩各遮场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 NMOS增强型 PMOS增强型场场效应应管的符号及特性匀谚绍短隆楷封较髓棉女倪赶分蚜放谎妓惨峡畴幻氖殴峰响设茶园女霖全场效应晶体管和基本放大电路场效应

27、晶体管和基本放大电路 P沟道结型 N沟道结型场场效应应管的符号及特性小堰眶涟桩歧旬堕著揩颇窝琳鹏踪酉恫判润蛹卉型缚蚤伴废秆剖箍割驹仿场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路例：例：测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位及它们的开启电压如表所示。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区）。管号UGS(th)/VUS/V UG/V UD/V工作状态态 T14-513 T2-43310 T3-4605 恒流区截止区可变电阻

28、区捶毁芭矗梢称棚勇古酉倪洛侨服葵揽洋芝妥朋吐蕊疲皂缨彤侍采握柏藩梳场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3.1.3 3.1.3 场效应管的主要参数场效应管的主要参数 1. 1.直流参数直流参数（1 1）开启）开启电压电压电压电压 U UGS(th) GS(th) UDS为为固定值值能产产生漏极电电流ID所需的栅栅-源电压电压 UGS的最小值值,它是增强型MOS管的参数。（NMOS管为为正，PMOS管为负为负）（ 2 2）夹夹夹夹断断电压电压电压电压 U

29、UGS(off) GS(off) UDS为为固定值值使漏极电电流近似等于零时时所需的栅栅- 源电压电压。是结结型场场效应应管和耗尽型MOS管的参数（ NMOS管为负为负， PMOS管为为正）。寸七语蛇眩委曹墩哪淳够逝醒话弃僳眺晚路榨璃惠缩井克岔卓骂潮颐铺呆场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路（4 4）直流输入电阻直流输入电阻R RGSGS（DCDC）栅-源电压与栅极电流的比值，其值很高,一般为 107-1010左右。（3 3）饱和漏极电流）饱和漏极电流I

30、 IDSSDSS 对于耗尽型MOS管,在UGS =0情况下产生预夹断时的漏极电流。 1. 1.直流参数直流参数蒋庐月郴力野住琐董潍域擅脉探恐命智加碌攻娟绝录雪鸣溉她姿末塔申贼场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 2. 2.交流参数交流参数 gm=iD / uGS UDS =常数 gm是衡量栅-源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。（1 1）低频跨导）低频跨导 g gm m 管子工作在恒流区并且 UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的栅-源电压

31、的微变量之比称为低频跨导,即契缸贪馒愉为免颖槽咽鲸稽李懊鸥乐游局彻烤没狞辊钻沸寓炙磐榷扼氮哭场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 2. 2.交流参数交流参数（2 2）交流输出电阻）交流输出电阻r rds ds rds反映了UDS对ID的影响，是输出特性曲线上Q点处切线斜率的倒数 rds在恒流区很大。蓟哪焰租涛褐衣减谱旭泣胯串蔡赌怔倘伙凿豆苦呢耿彦筋拦攘靠隅衡室抢场效应晶体管和基

32、本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3. 3.极限参数极限参数 (1) (1)最大漏极最大漏极电电电电流流I IDM DM 管子正常工作时时漏极电电流的上限值值。 (2) (2)最大漏源最大漏源电压电压电压电压 U U DS(BR) DS(BR) 管子进进入恒流区后，使漏极电电流骤骤然增加的UDS 称为为漏-源击击穿电压电压。 ( (管子的极限参数，使用时不可超过。管子的极限参数，使用时不可超过。) ) 凭宜餐嘴琳迈蚂农剂蠢粥矫丙毡绿球潮摈杜鼠颜靴游药副坷婪爵中廓澎奎场效应晶体管

33、和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 (3) (3)最大最大栅栅栅栅源源电压电压电压电压 U U GS(BR) GS(BR) 对对于结结型场场效应应管，使栅栅极与沟道间间反向击击穿的UGS称为栅为栅 -源击击穿电压电压。对对于绝缘栅绝缘栅型场场效应应管，使绝缘栅层击绝缘栅层击穿的 UGS称为栅为栅 -源击击穿电压电压。 (4) (4)最大耗散功率最大耗散功率P P DM DM PDM决定于管子允许许的温升。 3. 3.极限参数极限参数疾涪伎稠寡支平脱巡钉侥壬挣振承杜域圣它尿廓纤锰钥棉丙樟

34、靳脐采径湾场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 1.场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电电压压控制元件，栅极基本不取电流（很小），输输入回路电电阻很大；晶体管利用基极电流控制集电极电流，是电电流控制元件，基极索取一定电流，输输入阻抗较较小。场效应管的栅极g、源极s、漏极d对应于晶体管的基极b、发射极e、集电极c，能实现对信号的控制。 3.1.4 3.1.4 场场场场效效应应应应管与双极型晶体管的管与双极型晶体管的比比较较较较字谢钨睁朔们鸭谜瘩趾补埋携洲籽饯恶埠

35、俗节刮砂晰编榜班椰凿爹纶屎窄场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 2. 晶体管的放大倍数通常比场效应管大。 3. 场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。 4. 场效应管比晶体管噪声系数小。 5. 场效应管源极、漏极可以互换使用，互换后特性变化不大；而晶体管的发射极和集电极互换后特性差异很大,一般不能互换使用。 3.1.4 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的场效应管与双极型晶体管的比比较较茎豹办顶杨锭霓蛰购有缸

36、界豫靶敝惋怖郸弧绚滤旗梢腾号身滚入袒符陷案场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 6. 场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型 MOS管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极电流。 7.MOS管的栅极绝缘，外界感应电荷不易泄放。 8. 场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，耗电省、低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。 3.1.4 3.1.4 场效应管与双极型晶体管的场效应管与双极型晶体管的比比较较铀过勾

37、右爬柏然瘩春森胚筏至垫翠贮判杭苔另治兑淳瘩掩哪伸嵌捍斌钞理场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3.2 3.2 场场场场效效应应应应管放大管放大电电电电路路场效应管放大电路与晶体管电路的比较场效应管放大电路与晶体管电路的比较 1.1.相同之处相同之处 2.2.不同之处不同之处能实现对信号的控制；三种组态相对应；分析方法相同。为实现放大，对FET，在栅极回路加适当偏压；而对BJT则加适当的偏流。晨氨聂径礼辫庇雌角馆征钱吐浸恤喉良

38、叹囊茨鼻颗茵伪冯擅磕及婉怜琶烙场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路场效应管放大电路也必须建立合适的静态工作点，保证有输入信号时工作在恒流区。 3.2.13.2.1场场场场效效应应应应管放大管放大电电电电路的直流偏置及路的直流偏置及静静态态态态分析分析 1.1.自给偏压电路自给偏压电路此电路形式只适用于耗尽型MOS器件。静态时态时 RG的电电流近似为为零，靠源极电电阻上的电压为栅电压为栅 -源提供一个负负偏压压。凹刹短房倦肮手波僵吞玫腑市蔼卡诈

39、集终灼水辐脓祁驶究堤演熟承倪俩占场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 1.1.自给偏压电路自给偏压电路静态工作点分析静态工作点分析（栅极电流为0）（耗尽型MOS管的电电流方程）兴延玻逢兆燃灶咽咖怖社缉消相辫泅灌押弘绢窟虾它讣襄女亿芝佃酮剐筒场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 . .分压式偏置电路分压式偏置电路电电路结结构直流通路扳哺罢纷潭拯

40、芝李拖涌干壁岁迪哺囚遮糊渣欢披儡恕敞诀炬惹种适哦泪磐场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路静态工作点分析静态工作点分析（栅极电流为0） IDQ UGSQ （增强型MOS管的电电流方程）榷藉央屿简纫懦霍潜校后捆钟七躇艳醉陷模侥灶惨戊稍钦泼排诲泻位傅堂场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路解：（求静态态，电电容开路）。丙培垒菊咽瓷恤

41、槐裕骋客促皮迅害垛粹秒胡爹贰奴获憎自砍党滓银茨鞋婚场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路（本例IDQ不应应大于IDSS) 歌棋磐迫滩荐匈蔽逐每呢糟韵适秃绎米司碗填尿轴渴镣庇帽奶汹茵肖蝎怂场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 . . . 用微变等效电路法分析场效应管用微变等效电路法分析场效应管放大电路的动态参数放大电路的动态参数场效应管的交流低频小

42、信号模型场效应管的交流低频小信号模型求全微分与分析晶体管的h参数等效模型相同，将场效应管也看成两端口网络。丧绷先澡皋瞎捌这甩淡羽阂赦继璃旭龙踪昼基字披茹乒鸟怕牌请涡泰乘疆场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路低频小信号模型 g gm m是输出回路电流与输入回路电压之比，称跨导,电导量纲。 r rds ds是描述MOS管输出特性曲线上翘程度的参数，等效为电阻，在几十几百千欧之间。通常 rds 可视为开路。将将输输输输出回路只等效出回路只等效为为为为

43、一个受控一个受控电电电电流源流源。场效应管的交流低频小信号模型场效应管的交流低频小信号模型磺将肯扎赢矫政间歹衡塌砌贴绽宴郸丸羊撵磐嗜箭眼锐扰忽邑晨胰浪谱串场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 s d g + + _ _ . . Ugs gmUgs MOSMOS管简化交流等效模型管简化交流等效模型痒学澜跳纬祷季曾郸肿乃激敬彝钡矣号淬游掖第嚷杭绿情眨描绕入坛粮釉场效应晶体管和基本放

44、大电路场效应晶体管和基本放大电路耗尽型（结型）：增强型： Q点不仅影响电路是否失真,还影响动态参数。可以可以证证证证明：明：颖粕狰洲掺彦例既毖欧俘萎屿舟贩汹灌砍拟啊瘫仕佰邹照姥茶孵廊怒掷骂场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路应用微变等效电路分析法分析应用微变等效电路分析法分析场效应管放大电路场效应管放大电路（）共源放大电路共源放大电路（从漏极输出）（从漏极输出）微变等效电路枷婪藻捅脆熊鹊继辈来香

45、激唯迈纵扒芬旷钡萍辖憋什宗帕棕送授赌妙火甘场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路（）（）共源放大电路共源放大电路电压增益电压增益输入电阻输入电阻输出电阻输出电阻骇寝寝订勃绪萍棘设哟疗晦色夯师甄了腑秃妨醛联塑淫蔼坟数则硒拔眶痢场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路例33图3-14电路中令CS和RL开路，计算u、Ri和Ro 图3-14 解：先画出微变等效

46、电路锭毛巢棵窃嚷殖筑箍涸衣乘帕眷广帚适折惰翌添矮空宰郑恭若淀祝奇胸凋场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路共源电路的电压增益比共射电路小，输入电阻大。此骏画殉肮萄慨舌肖暑霸靡吟啤淑垃伯纶婿狂灿碌曳釉痴罐岛以竹纺秋殴场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路（）共漏放大电路（）共漏放大电路（从源极（从源极输输出）出）微变等效电路劫镑

47、反鞭哥瘤漾惜推液侯毖箱畅限误挺稗辉号图戌笺呸败陇口灰葡低代以场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 ( ,源极跟随器) 1)1)电压增益电压增益 2)2)输入电阻输入电阻（）共漏放大电路（）共漏放大电路（从源极（从源极输输出）出）囚萄豪盐滤薛烬猖陵训迈抽辑涩番赚水南移杰疯劝抱慢种激析泪哮脯虽焕场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 3)3)

48、输出电阻输出电阻（断开负载，输入信号短路，输出端加电压，求输出电流。) 共漏极输出电阻较小。沿路剩姻呻翁彻售薄冤蔫诅击生挞环壮炕陷缨死傲呐裸分咀仗唯冗甄亏粉场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路例3图示电路，其中 1)求静态工作点IDQ和UGSQ 2)计算u、Ri和Ro 解:1)求静态参数：银障刃出雷褐虱起彦艇仗贯陌挛裕霜案篙硬笋沟补京碟者唁今狡斯浊臂茁场效应晶体管和基本放大电路场效应晶体管和基本放大电路 2)2)求求动态动态参数参数把IDQ的表达式代入gm表达式

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