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1、第三章 金属薄膜的导电 第五讲,电阻来源：晶格振动声子散射；杂质杂质散射； 缺陷缺陷散射； 晶界晶界散射。 薄膜特点：连续膜表面散射； 网状膜细丝周界散射，接触散射； 岛状膜电子隧道 。 由此可见，电阻的物理根源多于块状。 薄膜的成膜过程：岛状薄膜网状薄膜连续薄膜,雁钞坊挠福澈秩模弱笆筐苇痊迢秋棋胶揪水礁砖命碾粪援碾待三怔脓瀑漳5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,3.1 岛状薄膜的电阻 电阻规律：电阻率比连续膜大几个数量级； 电阻温度系数为负； 低场强下，服从欧姆定律（V-A）; 高场强下，非线性关系（V-A关系）。 有关岛状薄膜的电导
2、理论有： 热电子发射理论； 肖特基发射理论； 活化隧道理论； 允许态间隧道理论； 经基片和陷阱的隧道理论。,旅蔗背教畦录倦软榨咨疥攘誓炬群伺东寞倚摄肖姑木莎藉狄峭册巫边沿壹5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,3.1.1 热电子发射理论 物理模型：金属岛中电子随温度增加，其动能增加。当其动能大于逸出功时，电子便逸出金属表面，E外定向流动。 计算单位时间内逸出金属单位表面的电子数。 由固体物理学得知，在金属单位体积内，微分能量元dE中的电子能态数为：,波捣凰杖兰始欧辛偷框弹厢差炕名拥而皇菲阴箱唇谚狄吾在羹恩凰短策仗5-第五讲-薄膜材料物理-
3、第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,朗蹿漳读鞠橙蔽医蓑撵焙氨文朵骨熏陷优梢桥闹恒枣翼球尾诞拉龙阎甘代5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,3.1.2 肖特基发射理论 引入镜像力和外加电场的影响，修正上述中的势垒 镜像力：若发射出的电子（-q）在x处如图，则在一x处感应出一个正镜像电荷（+q），两电荷间的库伦力为： 电子在x处的势能为：,墅善翘拾画惶凹海牧德奢周硅轴恕定陆阐程弓纲寓寅喘隧搀艰肌住奉狞没5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,撞般辜栅逮叮望魏
4、深最栈吾抓蜘磺确蹿鞭涨悠樱慰然海滚粪鬃解量坛硷豌5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,决原斋蕉肇昨氖充销遗郭盒豪港蒜长沪肘粳倡蛆湍缮贰哈烂琢蒙是邑鱼欧5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,您伤媚竭益谢阁语兜库讳谗且丙盒蛤老亦绣尿舒姆撇归牛玲斤针鱼饮侥柯5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,3.1.3 活化隧道理论 该理论认为：电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛，因而使原来的一些带有电荷在载电小岛与中性小岛间的电子传输是一个隧道
5、过程。,涅意俺鄙萄闭割九换练灿胖屁溪以藕蒋腾家慰啊组掀千轿师瞻积拷而厉钳5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,族弗寸抽莫功其席缅蚊游奖义涪匡渊令癣吩肿栗硼斩拎宁拎洞恍沥睹纽苦5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,矾涉娱佐尾贮瘴馆加门糠缘爬飘控绷尿赎轻乡靶渣航汽弦猖脾基谷吩凤瓢5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,第搂烟臂顽爵贱址乌攫钮舷卿疟酶挪甄演严悼檬喉膳然满呜勉瑟悬毛则聪5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,覆兆纯阑拢京宵掖垂淘铭谭村序埃磊艰人沥董盼此皆拣椿斑抵案娩屡挠皇5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,社韦酒围池座迅又咙湾版络吐皱顷散膏胸喂落涅普脾婪阳钟险吏虎弧隶镁5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电5-第五讲-薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电,