几种用于IGBT驱动的集成芯片.docx

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1、几种用于 IG T 驱动得集成芯片2、 LP 50（ TO HIB 公司 生产 )在 一 般 较 低 性 能 得 三 相 电 压 源 逆 变 器 中 ， 各 种 与 电 流 相关 得 性 能 控 制 ， 通 过 检 测 直 流 母 线 上 流 入 逆 变 桥 得 直 流 电流 即 可 , 如 变 频 器 中 得 自 动 转 矩 补 偿 、 转 差 率 补 偿 等 。同 时 , 这 一 检 测 结 果 也 可 以 用 来 完 成 对 逆 变 单 元 中 IG T 实现 过 流 保 护 等 功 能 。 因 此 在 这 种 逆 变 器 中 ， 对 IGBT 驱 动 电 路得 要 求 相 对 比 较

2、简 单 , 成 本 也 比 较 低 。 这 种 类 型 得 驱 动 芯片 主 要 有东 芝 公 司 生 产 得 TP250, 夏 普 公 司 生 产 得 C923 等 等 .这 里 主 要针 对 L250 做 一 介 绍 . P250 包 含 一 个 GAl 光 发 射二 极 管 与 一 个 集 成 光 探 测器 ， 8 脚 双 列 封 装 结 构 。 适 合于 IG或电 力 MO FET 栅 极 驱 动电 路 。 图 2 为 P250 得 内 部 结构 简 图,表 1 给 出 了其 工 作 时 得真 值 表 。TP250 得 典型 特 征 如 下 ：1) 输入阈值电流 (IF）: 5mA(

3、最 大 )2）电源电流 ( CC）： 1 mA（最3） 电源电压（ C） : 35V ；4) 输出电流（ IO ）:0、5 A(最小 )5) 开关时间（ tPLH /tPHL)： 0、 5 s(最6） 隔离电压 :2500 V ms(最小 )。;大） ；大）;表给出了 T 250 得开关特性 ,表 3 给出了 T P20 得推荐工作条件。注 ：使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8 与 5 间 连 接 一 个 0、 F得 陶 瓷 电 容来 稳 定 高 增 益 线 性 放 大 器 得 工 作 ，提 供 得 旁 路 作 用 失 效 会损 坏 开 关 性 能 ， 电 容 与 光 耦 之 间 得

4、 引 线 长 度 不 应 超 过 c。图3 与 图4 给 出 了 TP2得 两 种 典 型得应 用 电 路。直在图4 中 , TR1 与TR得 选取 与用 于I B驱 动 得 栅 极 电 阻 有接得关 系，例 如 ,电源电压为 2 V 时 ，TR1 与 TR得 cma 2 /Rg。图 5 给 出 了TL 2 0 驱 动 IGBT 时 , 200 /20A 得 IG T 上电 流 得实验波形 （ 0 A/1 s)。 可 以 瞧 出 , 由于 P250 不具备过流保护功能 ，当 IGB 过流时， 通过控制信号关 断 BT ， IGT 中 电 流 得 下 降 很 陡 ， 且 有 一个 反 向 得 冲

5、 击 。 这 将 会 产 生 很 大 得 did与 开 关 损 耗 ， 而 且对 控 制 电 路 得 过 流 保 护 功 能 要 求 很 高 。T 250 使 用 特 点 ：1) TLP250 输出电 流较 小,对 较 大 功 率 IGB 实 施 驱 动 时 , 需 要外 加功 率 放大电路 。 ) 由 于流 过IGBT 得 电流就是通 过 其它电 路 检 测 来 完 成得， 而 且仅 仅 检 测 流过 IBT 得电流 , 这 就有 可 能 对于IGBT得 使用效 率 产生 一 定 得 影 响 ， 比如 IGT 在 安全 工 作区时,有 时 出 现 得提 前 保 护 等 。） 要 求 控 制

6、电 路 与 检 测 电 路 对 于 电 流 信 号 得 响 应 要快 , 一 般 由 过 电 流 发 生 到 I BT 可 靠 关 断 应 在 10 s 以 内 完成 。4） 当过 电 流发 生 时 ， 50 得 到 控制 器 发 出得 关断 信号 ，对 IGB得 栅 极施 加 一负 电压， 使 GBT 硬 关 断 。 这 种主电路 得 v dt 比正 常 开 关 状 态 下 大了 许 多 , 造成 了施 加 于 IG两 端 得 电压升 高 很 多 ， 有 时 就 可能 造 成 GB得 击 穿 .2、EXB8 、 ei s（FUJ ELE TRI 公司 生产 )随 着 有 些 电 气 设 备

7、对 三 相 逆 变 器 输 出 性 能 要 求 得 提 高 及逆 变 器 本 身 得 原 因 , 在 现 有 得 许 多 逆 变 器 中 , 把 逆 变 单 元 I BT 得 驱 动 与 保 护 与 主 电 路 电 流 得 检 测 分 别 由 不 同 得 电 路来 完 成 。 这 种 驱 动 方 式 既 提 高 了 逆 变 器 得 性 能 ， 又 提 高 了IGBT 得 工 作 效 率 ，使I BT 更 好地 在 安 全 工 作 区 工 作。这 类 芯 片有 富 士 公 司得 EXB8 、Series、 夏普公 司 得 PC929 等 。 在 这 里 ， 我 们主 要 针对XB 、Series

8、做一介 绍 。EXB8 、 Seie集 成芯 片就是 一 种专 用 于 IGT 得 集驱 动 、 保 护等 功 能 于 一 体 得 复 合 集 成 电 路 。 广 泛 用 于 逆 变 器 与 电 机 驱 动用 变 频 器 、 伺 服 电 机 驱 动 、 PS、 感 应 加 热 与 电 焊 设 备 等 工 业领 域 . 具 有 以 下 得 特 点 :1) 不 同得 系列 （ 标准 系 列 可 用 于 达 到10 k开关 频 率 工 作得 GBT， 高速 系 列可 用 于 达 到 40 kH开关频 率 工 作 得 GB) . ) 内 置 得光 耦 可隔 离 高达 0/min 得 电 压 。3) 单

9、 电 源 得 供 电 电 压 使 其 应 用 起 来 更 为 方 便 .4） 内 置 得 过 流 保 护 功能 使 得 I T 能 够 更加 安全地 工作 .） 具 有 过 流 检测 输 出 信 号。6） 单列 直 插式 封 装 使 得 其具 有高 密 度 得 安 装 方 式 。常 用 得 EXB8 、 S ri s 主 要 有 : 标 准 系 列 得 EXB850 与 EX 851, 高 速系 列 得 E 8与 EXB81。 其 主 要 应 用 场 合 如 表 所 示 。注 : 1） 标 准 系 列 : 驱 动 电 路 中 得 信 号 延 迟 4 s 2） 高 速 系 列 ： 驱 动 电 路

10、 中 得 信 号 延 迟 、15 图 6 给 出 了 EXB8 、 ei s 得 功 能 方 框 图 .表 5 给出 了 EXB 、S ies 得 电 气 特 性。表 6 给出了EXB8 、Ser s 工作时得推荐工作条件。表 6 EXB8 、Se es 工作时得推荐工作条件图 7 给 出 了 EX 8、 S ries 得典型应用电路。EXB8 、 es 使用不同得型号 ，可以达到驱动电流高达 40 A,电压高达 1200V 得各种 型号得 IGBT. 由于驱动电路得信号延迟时间分为两种: 标准型（ XB 50、EB851） 4s，高速型（ 840、 EXB8 1） 1 ， 所 以 标 准 型

11、得适用于频率高达 10 Hz 得 开 关 操 作 ， 而 高 速型得 I适 用 于 频率高 达 40 kHz 得 开关操 作 。在 应 用 电 路 得 设 计 中， 应注意以下几个方面得 问题 : - IB栅射极 驱 动 电路 接线 必 须 小 于1 ; IGBT 栅射 极 驱 动 电 路 接 线应为 双 绞 线；- 如想在 GB 集电极产生大得电压尖脉冲，那么增加GBT 栅极 串 联 电 阻（R) 即 可 ；- 应 用 电路 中 得电 容C与 2 取 值 相 同 ， 对 于EXB850 与 EX80 来 说 ，取 值为 3 F，对 于 EXB8 与XB841 来 说 ， 取 值 为 47F.

12、 该电 容 用 来吸 收 由 电源 接 线 阻 抗 而引 起得 供电 电 压变 化 .它 不 就是电 源 滤波 器电 容 .EXB8 、Serie得使 用特 点 ：1)X 8、Seie得 驱 动 芯 片就是 通过 检 测 IGBT 在导 通 过 程中得 饱 与 压 降 Uc来 实 施 对 得 过 电 流 保 护 得 。 对 于 IGBT 得过 电 流 处 理 完 全 由 驱 动 芯 片 自 身 完 成 ， 对 于 电 机 驱 动 用 得三 相 逆 变 器 实 现 无 跳 闸 控 制 有 较 大 得 帮 助 。2） XB8 、Series 得 驱 动 芯 片 对 IGBT 过 电 流 保 护 得

13、 处 理 采 用 了软 关 断 方 式 ， 因 此 主 电 路 得 d dt 比 硬 关 断 时 小 了 许 多 , 这对 IGBT 得 使 用 较 为有 利 ， 就是 值 得 重 视 得 一 个 优 点 。3） B8、Ser e驱 动 芯 片 内 集 成了 功 率 放 大电 路， 这 在一定 程 度 上 提 高 了 驱 动 电 路 得 抗 干 扰 能 力 。4） X 8、Series得驱 动芯 片 最 大 只 能 驱 动 20 /30A 得 T, 并 且 它 本 身 并 不 提 倡 外 加 功 率 放 大 电 路 , 另 外 ，从 图 7中 可 以 瞧 出 , 该 类 芯 片 为 单 电 源

14、 供 电 ， IGBT 得 关 断 负 电 压 信号 就是 由 芯 片 内 部 产 生 得 5 V 信 号 ， 容 易 受 到 外 部 得 干扰。 因 此 对 于 3以上 得 IGBT 或 者 IGT 并 联 时，就需 要 考虑 别 得 驱 动芯 片， 比如 三 菱 公 司得 M 7962L 等 。图 8 给 出 了EXB841 驱 动IGT 时 , 过 电 流 情 况 下 得实 验 波 形 。可 以 瞧 出 ， 正 如 前 面 介 绍 过 得 , 由 于 EX 8、Seri芯 片 内 部 具备 过 流 保 护 功 能 , 当 IGB 过 流 时 ， 采用 了 软 关 断 方 式 关 断 IG

15、 T，所 以 IGBT 中 电 流 就是一 个较 缓 得 斜坡 下 降 ， 这 样一 来, IG T关断 时得 i t 明显减 少， 这 在 一 定程度 上减 小 了 对 控 制电路 得 过 流保 护 性 能得 要求 .2、3M5 9、 Series（ ITSU SH公 司生产） 9、Sri 就是 日 本 三 菱 公 司 为 IG T 驱 动 提 供 得 一 种 IC 系 列 ， 表 7 给 出 了 这 种 系 列 得 几 种 芯 片 得 基 本 应 用 特 性 （ 其中 有 * 者 为 芯 片 内 部 含 有 o st r 电 路 ) 。在 5、 S es 中 , 以 5 9为 例 做 出

16、一 般 得 解 释 。 随着 逆 变 器 功 率 得 增 大 与 结 构 得 复 杂 ， 驱 动 信 号 得 抗 干 扰能 力 显 得 尤 为 重 要 , 比 较 有 效 得 办 法 就 就是 提 高 驱 动 信 号关 断 I时 得 负 电 压 , M57 L 得 负 电源 就是 外 加 得 ( 这 点 与E 8、Sri s 不 同 ) ， 所 以 实 现 起 来 比 较 方 便 。 它 得 功 能 框 图与 图所 示 得 EXB8 、Sr es 功 能 框 图极 为 类 似 , 在 此 不 再 赘述 。图 9 给 出 了 M57 62L 在 驱 动 大 功 率IGBT 模 块 时 得 典 型

17、 电 路图.在 这 种 电路 中, NN 与 PNP 构成得 电 压 提 升电 路 选用 快速 晶体 管（ tf 20ns） ， 并且 要 有足 够得 电流 增 益 以承 载需 要 得电 流。在 使 用 M57962L 驱 动 大 功 率 T 模 块 时 ， 应 注意 以 下三 个方 面 得 问 题 :） 驱 动 芯 片 得 最 大 输 出 电 流 峰 值 受 栅 极 电 阻 Rg 得 最 小 值 限制 ， 例 如 ， 对 于 M57962L 来 说 , Rg 得 允 许值 在 5 左右 ， 这个 值对 于 大 功 率 得 IG 来 说 高 了 一些 , 且当 R较 高时 ， 会引 起 BT

18、得 开 关 上 升 时 间 d(on）、 下降 时 间 td(o f) 以 及 开 关 损 耗得 增大 , 在 较 高 开 关 频 率（ 5 Hz 以 上 ）应 用 时 ，这 些 附 加 损 耗 就是 不 可 接 受 得 。2） 即 便 就是 这 些 附 加 损 耗 与 较 慢 得 开 关 时 间 可 以 被 接 受 , 驱 动 电 路 得 功 耗 也 必 须 考 虑 ， 当 开 关 频 率 高 到 一 定 程 度 时 ( 高 于 14 kHz） ， 会 引 起 驱 动 芯 片 过 热 。3）驱 动 电 路 缓 慢 得 关 断 会 使 大 功 率 GBT 模 块 得 开 关 效 率降 低 ，

19、这 就是 因 为 大 功 率 T 模 块 得 栅 极 寄 生 电 容 相 对 比 较大 , 而 驱 动 电 路 得 输 出 阻 抗 不 够 低 。 还 有 ， 驱 动 电 路 缓 慢得 关 断 还 会 使 大 功 率 I T 模 块 需 要 较 大 得 吸 收 电 容 .以 上 这 三 种 限 制 可 能 会 产 生 严 重 得 后 果 ， 但 通 过附 加 得ooser 电 路 都 可 以 加 以 克 服 , 如 图 9 所 示 .从 图 0（ a) 可 以 瞧 出 , 在 IG T压 会 以 一 个 缓 慢 得 斜 率 下 降 。 图短 路 时 得 软 关 断 过 程 ( 集 电 极 电

20、极 电 流 iC 得 软 关 断 波 形 ）引言过 流 信 号 输 出 以 后 ， 门 极 电10（ b) 及 图 10( ） 给 出 了 I BT 发 射 极 之 间 得 电 压 u E 与 集随着电力电子技术朝着大功率、高频化、模块化发展，绝缘栅双极品体管（IGBT)已广泛应用于开关电源、变频器、电机控制以及要求快速、低损耗得领域中。 IGT 就是复合全控型电压驱动式电力电子器件，兼有 MOSFET与 TR得优点：输入阻抗高 , 驱动功率小 , 通态压降小，工作频率高与动态响应快。目前，市场上 500 3000V,80l800A 得 IGBT，因其耐高压、功率大得特性 , 已成为大功率开关

21、电源等电力电子装置得首选功率器件。1 驱动保护电路得原则 ? 由于就是电压控制型器件 , 因此只要控制 ICBT 得栅极电压就可以使其开通或关断 , 并且开通时维持比较低得通态压降 . 研究表明，IGB得安全工作区与开关特性随驱动电路得改变而变化。因此 , 为了保证 IGBT 可靠工作 , 驱动保护电路至关重要。IGBT 驱动保护电路得原则如下。( ) 动态驱动能力强 , 能为栅极提供具有陡峭前后沿得驱动脉冲 ; ? （2）开通时能提供合适得正向栅极电压 (1 15V), 关断时可以提供足够得反向关断栅极电压 ( 一 5V)； ? （ ) 尽可能少得输入输出延迟时间，以提高工作效率 ;(4)

22、足够高得输入输出电气隔离特性，使信号电路与栅极驱动电路绝缘；?(5) 出现短路、过流得情况下，具有灵敏得保护能力。目前，在实际应用中 , 普遍使用驱动与保护功能合为一体得 GT 专用得驱动模块 . 2? 集成驱动模块为了解决 IGT 得可靠驱动问题， 世界上各厂家丌发出了众多得 IGBT 集成驱动模块。 如日本富士公司得 EX系列 , 三菱电机公司得 M57系列，三社电机公司得 G系列，美国国际整流器公司得 TR系列， Unitrod 公司得 UC37系列以及国产得 HL系列。以下就是几种典型得集成驱动模块。、 EXB 41 模块得分析EX841 高速驱动模块为15 脚单列直插式结构 , 采用

23、高隔离电压光耦合器作为信号隔离, 内部结构图如图 l 所示 , 其工作频率可达40Hz，可以驱动 4 M00 V以内及 300A/l20得 IGBT管，其隔离电压可达2500A/min, 工作电源为独立电源201V，内部含有一稳压电路， 为 BT得栅极提供 +15V得驱动电压，关断时提供一 5V得偏置电压 , 使其可靠关断。当脚 1与脚 14 有 0 mA 电流通过时 , 脚输出高电平而使 IGT 在 1s 内导通；而当脚与脚 14 无电流通过时，脚 3 输出低电平使 IGBT 关断 ; 若 ICBT 导通时因承受短路电流而退出饱与，迅速上升 , 脚悬空 , 脚电位在短路后约 3 s 后才开始

24、软降。E B 41 典型应用图如图2 所示 , 电容 C1、 C2用于吸收高频噪音。当脚3 输出脉冲得同时 , 通过快速二极管 D1检测 IGB得 C E 间得电压。当 ce7V时，过流保护电流控制运算放大器，使其输出软关断信号，在 10s 内将脚 3 输出电平降为 O。因 EXB841无过流自锁功能，所以外加过流保护电路，一旦产生过流 , 可通过外接光耦 TLP21 将过流保护信号输出，经过一定延时，以防止误动作与保证进行软关断 , 然后由触发器锁定，实现保护。缺点： B8l 过流保护阀值过高 ,Vce7V 时动作 , 此时已远大于饱与压降 ; 存在保护肓区；在实现止常关断时仅能提供一 5V

25、 偏压，在开关频率较高、负载过大时 , 关断就显得不可靠；无过流保护自锁功能 , 在短路保护时其栅压得软关断过程被输入得关断信号所打断。 2 62L 模块得分析M5 62A就是一种 1脚单列直捕式结构得厚膜驱动模块, 其内部结构图如图3 所示。它由光耦合器、接口电路、检测电路、定时复位电路以及门关断电路组成，驱动功率大 , 町以驱动 0 A 0V 及 400A/l200V 等系列 IGBT模块 .M576具有高速得输入输出隔离，绝缘电压也可达到 A 0V/min ；输入电平与 T电平兼容， 适于单片机控制； 内部有定时逻辑短路保护电路 , 同时具有延时保护特性 ; 采用双电源供电方式 , 相对

26、于 EB84l 来说，虽然多使用一个电源 . 但 IGT 可以更可靠地通断。典型应用图如图 4 所示。当驱动信号通过脚 14 与脚 13 时, 经过高速光耦隔离，由 M579AL内置接口电路传输至功率放大极 , 在 M5762L 得脚 5 产生 +15V开栅与一 10V关栅电压，驱动 I BT通断。当脚 1 检测到电压为时 , 模块认定电路短路 , 立即通过光耦输出关断信号，使脚 5 输出低电平，从而将 GBT得 G-E两端置于负向偏置，可靠关断 . 同时，输出误差信号使故障输出端 ( 脚）为低电平，从而驱动外接得保护电路工作。延时 23s 后，若检测到脚 3 为高电平 , 则 7962恢复工

27、作 . 稳压管 D 1 用于防止 D1击穿而损坏 96 AL， Rg为限流电阻， D与 DZ3起限幅作用，以确保可靠通断。比较：与 EXB81 相比 ,M76需要双电源 （+ V, 一 1OV）供电 , 外周电路复杂 .而正就是因为 796AL 可输出一 V 得偏压 , 使得 IGBT 可靠地关断；另外 ,M79 AL具有过流保护自动闭锁功能，并且软关断时间可外部调节, 而 EX84l 得软关断时间无法调节。所以 57 62AL 较 E B841更安全、可靠 .、HL402模块得分析?HL就是 17 脚单列直插式结构 , 内置有静电屏蔽层得高速光耦合器实现信号隔离, 抗干扰能力强 , 响应速度

28、快，隔离电压高。它具有对I 进行降栅压、软关断双重保护功能，在软关断及降栅压得同时能输出报警信号，实现封锁脉冲或分断主回路得保护 . 它输出驱动电压幅值高，正向驱动电压可达15 17，负向偏置电压可达 12V,因而可用来直接驱动容量为400A/6 0及 30 / 00V以下得 GBT.HL402结构图如图 5 所示 . 图 5 中,VL1 为带静电屏蔽得光耦合器, 它用来实现与输入信号得隔离。由于它具有静电屏蔽，因而显著提高了HL402抗共模干扰得能力。图 5 中 U1为脉冲放大器， S、实现驱动脉冲功率放大，2 为降栅压比较器，正常情况下由于脚 9 输入得 GB集电极电压 V E 不高于 U

29、得基准电压 VEF，U2不翻转， S不导通 , 故从脚 17与脚 16 输入得驱动脉冲信号经S2 整形后不被封锁 . 该驱动脉冲经S2、S2 放大后提供给 I BT使其导通或关断，一旦BT 退饱与 , 则脚输入集电极电压给IGBT 使其导通或关断 , 并且脚 9 输入得集电极电压采样信号 V E 高于 U2得基准电压 REF，比较器 2 翻转输出高电平，使 S导通，由稳压管 Z将驱动器输出得栅极电压 GE降低到 10V。此时，软关断定时器 U3在降栅压比较器 U2翻转达到设定得时间后 , 输出正电压使 S导通，将栅极电压软关断降到 IG T 得栅射极门限电压 , 给 I T 提供一个负得驱动电

30、压，保证 IGBT 可靠关断。L02 典型应用图如图6 所示 . 在实际电路中， C1、C2、 C3、C4 需尽可能地靠近 H140得脚 2、脚 l 、脚 4 安装。为了避免高频耦合及电磁干扰，由H 40输出到被驱动IGBT栅射极得引线需要采用双绞线或同轴电缆屏蔽线，其引线长度不超过1m。脚 9 与脚 3 接至 T 集电极得引线必须分开走，不得与栅极与发射极引线绞合，以免引起交叉干扰。光耦合器 L可输入脉冲封锁信号，当1 导通时， HL02 输出脉冲立即被封锁至 -10V. 光耦合器2 提供软关断报警信号 , 它在躯动器软关断得同时导通光耦合器3，提供降栅压报警信号 .使用中 , 通过调整电容

31、器 5、C6、C得值，可以将保护波形中得降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率时间调整至合适得值 . 在高频应用时 , 为了避免 GBT受到多次过电流冲击 , 可在光耦合器 L2 输出数次或 1 次报警信号后 , 将输入脚 16 与脚 17 间得信号封锁。小结 : 以上三者中， 57 62AL与 L4 2 都采用陶瓷基片黑色包装，EXB841采用覆铜板黄色包装，由于陶瓷基片得散热性能与频率特性比覆铜板好，H 0得负载能力与散热性能最好 , 加之合理得布局设计， 在三者中得工作频率最高 , 保护功能最全，而 EB41 与 M5792A都没有降栅压保护功能 . 另外， HL02 与 76AL 提供

32、负偏压得稳压管，放于外部，既有灵活性又提高了可靠性，而 EXB84得稳压管在内部 , 经常因稳压管得损坏而失效。因此， L402 凭借其优越得性能可以弥补另外两者得缺陷。2?4 G 039 模块得分析 03采用单列直插式12 脚封装 , 功耗低、工作中发热很小， 可以高密度使用它采用单电源工作 , 内置高速光耦合器 , 带有软关断过流保护电路 , 过流保护除闭锁自身输出外 , 还给出供用户使用得同步输出端。 它可以用来直接驱动 3 A60以下得 IGBT模块 . ? 其内部结构图如图 7 所示 , 工作原理与 EB 与 7 系列模块相类似 , 这里不再赘述。而与 EX 系列与 M57系列得模块

33、不同得就是该模块已含有保护后发送报警或动作信号得光耦合器，所以使用中不需要像EXB与 57 系列得模块外接光耦合器，因而更加方便, 其性能比 XB与M57系列得模块在保护性能上更加优越；在可靠性方面，由于 GH 039 就是单电源供电，不能提供负偏压，从而导致 ICBT 不能可靠地关断。与 H42 相比， 039 保护功能还不完善 , 它也同 XB84与 57962A一样无降栅压保护 . 因此 ,GH03驱动模块也就是有缺陷得。?H09 典型接线图如图 8 所示 . 工作电源 VCC为 6V；为了保持电压稳定，滤波电容器应尽可能靠近GH一 03模块安装与使用，且其电容值不能小于10 F，并应选

34、用高质量得电容; 串入 GH-09 脚 1与IC T 集电极之间得二极管D1,应选超快速恢复二极管，并且要保证其反向耐压不低于IC 得集电极与栅极之间得额定电压; 为防止所连接得过流保护端子光电隔离器得误动作，应在D1与 GH一 39 得脚 1之间串入 0得电阻；接于脚lO 与脚 12 之间得 D选用超快速恢复二极管，其反向耐压可以低于G得集射极间耐压。2.5其她驱动器（ )IR 系列驱动器 IR 系列驱动器主要就是为驱动桥臂电路而设计得，该芯片具有 14 脚，DIP 封装。它具有过流保护与欠压保护功能，特别就是它具有自举浮动电源大大简化了驱动电源得设计，只用一路电源即可驱动多个功率器件。 其

35、缺点就是本身不能产生负偏压 , 当用于驱动桥式电路时，由于米勒效应得作用，在开通与关断时刻，容易在栅极上产生干扰，造成桥臂短路 ; 另外 IR 系列驱动器采用了不隔离得驱动方式，在主电路得功率器件损坏时，高压可能直接串入驱动器件，致使驱动模块及前极电路损坏。 ? （2） U 37 系列驱动器 该系列驱动器一般由 UC 26 与 C3727两片芯片配对使用 , 其工作频率较高 , 但在两芯片之间需增加脉冲变压器 , 给电路得使用与设计带来 不便 , 因此该系列驱动器在我同并未得到推广。 ? 结语通过以上分析比较，可得到如下结论。 ? （1）以上 6 个系列得驱动器均能实现对 I BT得驱动与保护

36、；（2） XB8l 外周电路简单，仅需单电源供电，就是最早进入我国市场得CBT驱动模块 , 技术成熟，应用广泛； ? （3）EXB841与 M576AL 在 GBT关断期间均能在栅极上施加负电压，进一步保证了 IGB得可靠关断 ; ? （ 4） EXB841、M7962AL、GH一 03与HL02 都就是自身带有对 IGT 进行退饱与及过流保护功能得 IC驱动模块，且都就是通过检测 IGBT集射极间得电压来完成保护功能得。但 EXB84、M57962AL、H 一 039 在 IC T 出现退饱与或过流时，仅可进行软关断得保护。而 HL402 不但能进行软关断保护，还可进行降栅压保护。 因此，HL40就是四者中保护功能最强 , 保护功能设计最合理与保护性能使用最方便得 I BT 驱动器； ? (5) 驱动相同个数得 IGBT 功率开关时， IR 系列所需工作电源最少，但不具有负偏压，容易造成桥臂短路，适用于小功率驱动场合。