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1、实验三 COP2000存储器实验【实验目的】 1 了解存储器芯片内部结构和访问时序。 2 掌握存储器扩展技术。 3 熟悉动态存储器刷新方式。【实验要求】 1 存储器芯片。 2 静态和动态存储器扩充方法。 3 COP2000实验箱存储器EM。【实验步骤】 1 合理选择存储器芯片。 2 扩展4KB SRAM和2K ROM，要求地址空间与EM不重叠。 3实现存储器的读和写。【实验内容】 一 合理选择存储器芯片。 二 扩展4KB SRAM和2K ROM，要求地址空间与EM不重叠。 三实现存储器的读和写。 写：连接线表连接信号孔接入孔作用有效电平1J1座J3座将K23-K16接入DBUS7:02RRDK
2、11寄存器组读使能低电平有效3RWRK10寄存器组写使能低电平有效4SBK1寄存器选择B5SAK0寄存器选择A6RCKCLOCK寄存器工作脉冲上升沿打入将11H写入R0寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据11HK23K22K21K20K19K18K17K1600010001置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1000按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R0的黄色选择指示灯亮，表明选择R0寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据11H被写入R0寄存器。将22H写入R1寄存器二进制开关K23-
3、K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据22HK23K22K21K20K19K18K17K1600100010置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1001 按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R1的黄色选择指示灯亮，表明选择R1寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据22H被写入R1寄存器。 将33H写入R2寄存器二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据33HK23K22K21K20K19K18K17K1600110011置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)101
4、0 按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R2的黄色选择指示灯亮，表明选择R2寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据33H被写入R2寄存器。 将44H写入R3寄存器 二进制开关K23-K16用于DBUS7:0的数据输入，置数据44HK23K22K21K20K19K18K17K1601000100置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)1011 按住CLOCK脉冲键，CLOCK由高变低，这时寄存器R3的黄色选择指示灯亮，表明选择R3寄存器。放开CLOCK键，CLOCK由低变高，产生一个上升沿，数据44H被写入R3寄存器。 读
5、：读R0寄存器置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0100 这时寄存器R0的红色输出指示灯亮，R0寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 11 00010001. 将K11(RRD)置为1, 关闭R0寄存器输出. 读R1寄存器 置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0101 这时寄存器R1的红色输出指示灯亮，R1寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 22 00100010. 将K11(RRD)置为1, 关闭R1寄存器输出. 读R2寄存器 置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)
6、0110 这时寄存器R2的红色输出指示灯亮，R2寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 33 00110011. 将K11(RRD)置为1, 关闭R2寄存器输出. 读R3寄存器 置控制信号为：K11(RRD)K10(RWR)K1(SB)K0(SA)0111 这时寄存器R3的红色输出指示灯亮，R3寄存器的数据送上数据总线。此时液晶显示DBUS: 44 01000100. 将K11(RRD)置为1, 关闭R3寄存器输出.观察到：数据在K11(RRD)为0时输出, 不是沿触发, 与数据打入不同。【心得体会】本次的存储器试验，使我对如何将数据送入到存储器里面有了全面的了解，存储器储存数据，先将地址输入到MAC里面，然后将数据输入到EM里面，输入的地址和数据均由K16-K23的输入转化成十进制之后的值来确定。这次的实验让我熟练掌握了存储过程的实现，使自己的动手能力得到了提升。