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硅基大规模集成电路制作技术,集成电路的发展,单个器件的尺寸越来越小 晶片的尺寸越来越大,器件变小,减小光刻的特征线宽（Lateral feature size) 从设计上缩小器件的尺寸 设计功能强大，集成度更高的器件,晶片变大,硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体 薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高 制作生产线的改进,Moores Law,半导体材料：硅,1960年以前，Ge和GaAs占半导体的主导地位。 1953年，Brattain 和 Bardeen发现可以利用氧气，水等使 半导体表面氧化； 1960年，高质量的SiO2直接生长在Si表面 1947年，第一个点接触式半导体器件（复合锗晶体）诞生，两年 后基于单晶硅的器件产生 硅还具有其它良好特性，自此以后成为半导体领域的主导者,Intel CPU的发展,例：Silicon IC,关键步骤或工艺,晶体生长 光刻 氧化 扩散 离子注入 蚀刻 薄膜生长 后道工艺,光刻,掩膜和套刻,Photolithography,氧化,薄膜生长,薄膜外延生长,刻蚀,离子注入,CMOS工艺,固体物理知识,半导体掺杂,PN Junction,二极管,MOS电容,nMOSFET, pMOSFET,MOSFET,MOSFET工作原理,