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1、三极管的参数解释 -光谱半宽度 VF-正向压降差 Vz-稳压范围电压增量 av-电压温度系数 a-温度系数 BV cer-基极与发射极串接一电阻，CE 结击穿电压 BVcbo-发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo-基极开路，CE 结击穿电压 BVces-基极与发射极短路 CE 结击穿电压 BVebo- 集电极开路 EB 结击穿电压 Cib-共基极输入电容 Cic-集电结势垒电容 Cieo-共发射极开路输入电容 Cies-共发射极短路输入电容 Cie-共发射极输入电容 Cjo/Cjn-结电容变化 Cjo-零偏压结电容 Cjv-偏压结电容 Cj-结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏
2、压下，锗检波二极管的总电 容 CL-负载电容（外电路参数） Cn-中和电容（外电路参数） Cob-共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo-共发射极开路输出电容 Coe-共发射极输出电容 Co-零偏压电容 Co-输出电容 Cp-并联电容（外电路参数） Cre-共发射极反馈电容 Cs-管壳电容或封装电容 CTC-电容温度系数 CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变 化之比 Ct-总电容 Cvn-标称电容 di/dt-通态电流临界上升率 dv/dt-通态电压临界上升率 D-占空比 ESB-二次击穿能量 fmax-最高振荡频率。当三极管功率增益
3、等于 1 时的工作频率 fT-特征频率 f-频率 h RE-共发射极静态电压反馈系数 hFE-共发射极静态电流放大系数 hfe-共发射极小信号短路电压放大系数 hIE-共发射极静态输入阻抗 hie-共发射极小信号短路输入阻抗 hOE-共发射极静态输出电导 hoe-共发射极小信号开路输出导纳 hre-共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC-正向自动控制电流 IB2-单结晶体管中的基极调制电流 IBM-在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大 值，或交流电流的最大平均值 IB-基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo-基极接地，发射极对地开路，在规定的 VCB 反向电压条件
4、下的集电极与 基极之间的反向截止电流 Iceo-发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与 发射极之间的反向截止电流 Icer-基极与发射极间串联电阻 R，集电极与发射极间的电压 VCE 为规定值时， 集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices-发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压 VCE 条件下，集电极与 发射极之间的反向截止电流 Icex-发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压 VCE 下， 集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP-集电极最大允许脉冲电流 ICM-集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM-最大输出平均电流 Ic-
5、集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR-晶闸管断态平均重复电流 ID-暗电流 IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo-基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压 VEB 条件下，发射极与 基极之间的反向截止电流 IEM-发射极峰值电流 IE-发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）-正向平均电流 IF(ov)-正向过载电流 IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管 的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP-正向脉冲电流 IFRM-正向重复峰值电流 IFSM-正向不重复峰值
6、电流（浪涌电流） IF-正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压 VF 下， 通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续 通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正 向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF-正向总瞬时电流 IGD-晶闸管控制极不触发电流 IGFM-控制极正向峰值电流 IGT-晶闸管控制极触发电流 IH-恒定电流、维持电流。 Ii- 发光二极管起辉电流 IL-光电流或稳流二极管极限电流 IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在 电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许
7、连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop-工作电流 Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP-峰点电流 IR（AV）-反向平均电流 IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流； 硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开 关二极管两端加反向工作电压 VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下， 产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM-反向峰值电流 Irp-反向恢复电流 IRRM-反向重复峰值电流 IRR-晶闸管反向重复平均电流 IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
8、 ir-反向恢复电流 iR-反向总瞬时电流 ISB-二次击穿电流 Is-稳流二极管稳定电流 IV-谷点电流 Izk-稳压管膝点电流 IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM-稳压二极管浪涌电流 Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n-电容变化指数；电容比 PB-承受脉冲烧毁功率 PCM-集电极最大允许耗散功率 Pc-集电极耗散功率 PC-控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd-耗散功率 PFT（AV）-正向导通平均耗散功率 PFTM-正向峰值耗散功率 PFT-正向导通总瞬时耗散功率 PGM-门极峰值功率 PG-门极平均功率 Pi-
9、输入功率 Pi-输入功率 PK-最大开关功率 PMP-最大漏过脉冲功率 PMS-最大承受脉冲功率 PM-额定功率。硅二极管结温不高于 150 度所能承受的最大功率 Pn-噪声功率 Pomax-最大输出功率 Posc-振荡功率 Po-输出功率 Po-输出功率 PR-反向浪涌功率 Psc-连续输出功率 PSM-不重复浪涌功率 Ptot-总耗散功率 Ptot-总耗散功率 PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q-优值（品质因素） r -衰减电阻 R(th)ja-结到环境的热阻 R(th)jc-结到壳的热阻 r(th)-瞬态电阻 rbb 分钟 Cc-基极-集电极时间常数
10、，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb 分钟-基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB-双基极晶体管的基极间电阻 RBE-外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB-外接基极电阻（外电路参数） Rc -外接集电极电阻（外电路参数） RE-射频电阻 RE-外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的 非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量V，正向电流相应增加I， 则V/I 称微分电阻 RG-信号源内阻 rie-发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL-负载电阻 RL-负载电阻（外电路参数） roe-发射极接地，在规定 VCE、I
11、c 或 IE、频率条件下测定的交流输入短路时的 输出电阻 Rs(rs)-串联电阻 Rth-热阻 Rth-热阻 Rz(ru)-动态电阻 Ta-环境温度 Ta-环境温度 Tc-管壳温度 Tc-壳温 td-延迟时间 td-延迟时间 tfr-正向恢复时间 tf-下降时间 tf-下降时间 tgt-门极控制极开通时间 tg-电路换向关断时间 Tjm-最大允许结温 Tjm-最高结温 Tj-结温 toff-关断时间 toff-关断时间 ton-开通时间 ton-开通时间 trr-反向恢复时间 tr-上升时间 tr-上升时间 tstg-温度补偿二极管的贮成温度 Tstg-贮存温度 ts-存储时间 ts-存贮时间
12、 Ts-结温 V n-噪声电压 V v-谷点电压 V（BR）-击穿电压 VAGC-正向自动增益控制电压 VB2B1-基极间电压 VBB-基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10-发射极与第一基极反向电压 VBE-基极发射极（直流）电压 VB-反向峰值击穿电压 VCBO-基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐 压 VCB-集电极-基极（直流）电压 Vcc-集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)-发射极接地，规定 Ic、IB 条件下的集电极-发射极间饱和压降 VC
13、EO-发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高 耐压 VCER-发射极接地，基极与发射极间串接电阻 R，集电极与发射极间在指定条 件下的最高耐压 VCES-发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高 耐压 VCEX-发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在 规定条件下的最高耐压 VCE-集电极-发射极（直流）电压 Vc-整流输入电压 VDRM-断态重复峰值电压 VEBO-基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐 压 VEB-饱和压降 VEE-发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）-正向平均电压 V
14、FM-最大正向压降（正向峰值电压） VF-正向压降（正向直流电压） VGD-门极不触发电压 VGFM-门极正向峰值电压 VGRM-门极反向峰值电压 VGT-门极触发电压 Vk-膝点电压（稳流二极管） VL -极限电压 Vn(p-p)-输入端等效噪声电压峰值 Vn-中心电压 VOM-最大输出平均电压 Vop-工作电压 Vo-交流输入电压 Vp-穿通电压。 Vp-峰点电压 VRM-反向峰值电压（最高测试电压） VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM-反向工作峰值电压 VR-反向工作电压（反向直流电压） VSB-二次击穿电压 Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth-阀电压（门限电压） Vz-稳定电压 vz-稳压管电压漂移 -单结晶体管分压比或效率 p-发光峰值波长