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1、 真明丽集团有限公司 真明丽集团有限公司 蓝光芯片产品规格书（产品规格：NNBA35AR-#） 产品特点： 蓝光芯片产品规格书（产品规格：NNBA35AR-#） 产品特点： 户内外应用 高亮度、长寿命 百分之百测试分选 波长和光强良好的一致性 物理参数：物理参数： 芯片尺寸 89025m *89025m（35*35mil） 芯片厚度 14510m 焊盘尺寸 10010m P 电极 金 N 电极 金 背面 金 光电参数：光电参数： 性能参数 符号 测试条件 最小值 最大值 单位 正向电压 VF IF=350mA 2.9 3.6 V 反向电流 IR VR= 5V 0 2 A 主波长 d IF=35
2、0mA 450 470 nm B180 180 200 B200 200 220 辐射功率 Po B220 IF=350mA 220 240 mw 反向电压 VR IR=10A 10 V 半波宽度 IF=350mA 30 nm 最大电流 IMAX DC 450 mA 其它说明其它说明 芯片封装工艺的温度不得超过 270，持续时间小于 10 秒。 该产品属于静电敏感元件，产品传输和封装过程中应有静电保护措施。 亮度值是基于真明丽晶片厂裸芯测试台。 可根据客户要求定做特殊规格的芯片。 真明丽集团有限公司 真明丽集团有限公司 Forward Current vs.Forward Voltage 1
3、10 100 1000 0.001.002.003.004.005.00 Forward Voltage(V) Forward Current(mA) Forward Voltage(20mA)vs.Ambient Temperature 2.8 3 3.2 3.4 3.6 3.8 020406080100 Ta VfV Maximum Driving Forward DC Current vs.Ambient Temperature (Derating based on Tj max. =115) 0 100 200 300 400 500 020406080100120 Ta If-max
4、mA Rth=30/W Rth=40/W Rth=50/W 蓝光芯片产品规格书（产品规格：NNBA35AR-#）蓝光芯片产品规格书（产品规格：NNBA35AR-#） 特性曲线：特性曲线： Relative Luminous Intensity vs. Forward Current 0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 050100 150 200 250 300 350 400 450 500 Forward Current(mA) Relative luminous intensity (normalized at 20mA) Relative Intensity(20mA)vs.Ambient Temperature 20 40 60 80 100 120 020406080100 Ta Relative Intensity% Dominant Wavelength(20mA)vs.Ambient Temperature 440 450 460 470 480 020406080100 Ta Wdnm